دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Manijeh Razeghi (Author)
سری:
ISBN (شابک) : 9781439807316, 9780429076855
ناشر: CRC Press
سال نشر: 1995
تعداد صفحات: 460
زبان:
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 24 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب چالش MOCVD: جلد 2: بررسی GaInAsP-GaAs برای کاربردهای دستگاه های فوتونیک و الکترونیکی: مهندسی و فناوری، مهندسی برق و الکترونیک، ارتباطات مهندسی برق، اپتیک و الکترونیک نوری، الکترومغناطیسی و مایکروویو، علوم فیزیک، فیزیک، اپتوالکترونیک
در صورت تبدیل فایل کتاب The MOCVD Challenge: Volume 2: A Survey of GaInAsP-GaAs for Photonic and Electronic Device Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب چالش MOCVD: جلد 2: بررسی GaInAsP-GaAs برای کاربردهای دستگاه های فوتونیک و الکترونیکی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Preface. Foreword. Introduction. Introduction to semiconductor compounds. MOCVD growth technique. ^IIn-situ characterization during MOCVD. ^IEx-situ characterization techniques. MOCVD growth of GaAs layers. Growth and characterization of the GaInP-GaAs system. Optical devices. GaAs-based lasers. GaAs-based heterojunction electron devices grown by MOCVD. Optoelectronic integrated circuits (OEICs). Appendices. Effect of substrate miscut on the measured superlattice period. Optimization of thickness and In composition of InGaAs well for 980 nm lasers. Energy levels and laser gains in a quantum well (GaInAsP): the `effective mass approximation`. Luttinger-Kohn Hamiltonian. Infrared detectors. Index.