برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology

دانلود کتاب ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS

مشخصات کتاب

Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology

دسته بندی: الکترونیک: VLSI
ویرایش: 1 
نویسندگان: John D. Cressler  
سری:  
ISBN (شابک) : 1420066870, 9781420066876 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 2007 
تعداد صفحات: 260 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 6 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 47,000

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 5

در صورت تبدیل فایل کتاب Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS

فناوری SiGe HBT BiCMOS پیشگام آشکار فضای کاربرد ناهمسان ساختارهای Si است. تا به امروز، تقریباً هر بازیگر اصلی در بازار الکترونیک ارتباطات، یا SiGe را در داخل خود راه‌اندازی و راه‌اندازی می‌کند یا از دستگاه SiGe شخص دیگری به عنوان ریخته‌گری برای طراحان خود استفاده می‌کند. کلید این موفقیت در ادغام موفقیت آمیز SiGe HBT و Si CMOS نهفته است، بدون از دست دادن عملکرد هر دو دستگاه. ساخت فن آوری های SiGe HBT BiCMOS با مشارکت کارشناسان برجسته، بحث کاملی از این موضوعات را در یک منبع واحد گرد هم می آورد. این جلد برگرفته از کتاب جامع و به خوبی بررسی شده سیلیکون Heterostructure، طراحی، ساخت و کاربرد ترانزیستورهای ناهم ساختار سیلیکونی را بررسی می کند. جنبه جدید این کتاب گنجاندن نماهای عکس فوری متعدد از پیشرفته ترین صنعت برای فناوری SiGe HBT BiCMOS است. این به دقت طراحی شده است تا مبنایی مفید برای مقایسه برای وضعیت فعلی و مسیر آینده صنعت جهانی فراهم کند. علاوه بر مطالب فنی فراوان و مراجع متعدد موجود در هر فصل، این کتاب شامل ضمیمه‌هایی با مرجع آسان در مورد خواص Si و Ge، روابط تعمیم‌یافته Moll-Ross، روابط انتگرال بار-کنترل، و نمونه SiGe HBT است. پارامترهای مدل فشرده

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

SiGe HBT BiCMOS technology is the obvious groundbreaker of the Si heterostructures application space. To date virtually every major player in the communications electronics market either has SiGe up and running in-house or is using someone else’s SiGe fab as foundry for their designers. Key to this success lies in successful integration of the SiGe HBT and Si CMOS, with no loss of performance from either device. Filled with contributions from leading experts, Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technologies brings together a complete discussion of these topics into a single resource. Drawn from the comprehensive and well-reviewed Silicon Heterostructure Handbook, this volume examines the design, fabrication, and application of silicon heterostructure transistors. A novel aspect of this book the inclusion of numerous snapshot views of the industrial state-of-the-art for SiGe HBT BiCMOS technology. It has been carefully designed to provide a useful basis of comparison for the current status and future course of the global industry. In addition to the copious technical material and the numerous references contained in each chapter, the book includes easy-to-reference appendices on the properties of Si and Ge, the generalized Moll-Ross relations, integral charge-control relations, and sample SiGe HBT compact model parameters.