Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties

این کتاب بر اهمیت یون های متحرک ارائه شده در ساختارهای اکسیدی تمرکز دارد، چیزی که به طور قابل توجهی بر خواص فلز-اکسید-نیمه هادی (MOS) تأثیر می گذارد. خواندن با تعریف ساختار MOS، جنبه های مختلف آن و انواع مختلف بارهای ارائه شده در ساختار آنها شروع می شود. مروری بر مکانیسم‌های انتقال یونی و تکنیک‌های اندازه‌گیری غلظت یون‌های متحرک در اکسیدها ارائه شده است، توجه ویژه‌ای به تکنیک پمپاژ شارژ (CP) مرتبط با روش تنش حرارتی بایاس (BTS) انجام شده است. رویکردهای نظری برای تعیین چگالی یون های متحرک و همچنین توزیع آنها در امتداد ضخامت اکسید نیز مورد بحث قرار می گیرد. محتوا از نمونه‌های عمومی تا بسیار خاص متفاوت است و به خواننده کمک می‌کند تا در مورد حمل و نقل در ساختارهای MOS اطلاعات بیشتری کسب کند.

This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.