دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک حالت جامد ویرایش: نویسندگان: P. Blood, J. W. Orton سری: Techniques of Physics ISBN (شابک) : 0125286279, 9780125286275 ناشر: Academic Pr سال نشر: 1992 تعداد صفحات: 760 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 17 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب خصوصیات الکتریکی نیمه هادی ها: اکثر حامل ها و حالت های الکترونی: نیمه هادی ها، الکترونیک، برق و الکترونیک، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، کتاب های درسی جدید، مستعمل و اجاره ای، کسب و کار و امور مالی، ارتباطات و روزنامه نگاری، علوم کامپیوتر، آموزش، مهندسی، علوم انسانی، حقوق، علوم پزشکی و بهداشت، کارشناسی ارشد و پزشکی ,علوم اجتماعی,راهنماهای آمادگی و مطالعه آزمون,بوتیک تخصصی
در صورت تبدیل فایل کتاب The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خصوصیات الکتریکی نیمه هادی ها: اکثر حامل ها و حالت های الکترونی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این اولین درمان جامع و یکپارچه است که اصول فیزیکی پشت تکنیک های تجربی مورد استفاده برای اندازه گیری خواص الکتریکی نیمه هادی ها را توصیف می کند. اصول درگیر با ارجاع به نمونههای انتخاب شده از دنیای مواد نیمهرسانا نشان داده شدهاند. نویسندگان با تمرکز بر اصول فیزیکی هر تکنیک و برشمردن محدودیتهای ذاتی آن، متنی را تولید کردهاند که باید در حل انواع مشکلات در خصوصیات نیمهرسانا مفید باشد و متنی که با توسعه در خود مواد به سرعت از بین نخواهد رفت.
This is the first comprehensive and unified treatment to describe the physical principles behind experimental techniques used for measuring the electrical properties of semiconductors. The principles involved are illustrated by reference to selected examples drawn from the world of semiconductor materials. By concentrating on the physical principles of each technique and enumerating its inherent limitations, the authors have produced a text which should be helpful in solving a variety of problems in semiconductor characterization and one which will not be overtaken quickly by development in the materials themselves.