دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [1 ed.] نویسندگان: A. Cachard (auth.), A. Perez, R. Coussement (eds.) سری: NATO Advanced Study Institutes Series 47 ISBN (شابک) : 9781468410174, 9781468410150 ناشر: Springer US سال نشر: 1980 تعداد صفحات: 520 [517] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 18 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Site Characterization and Aggregation of Implanted Atoms in Materials به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خصوصیات سایت و تجمع اتم های کاشته شده در مواد نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
پیشرفت های انفجاری در میکروالکترونیک، علاقه به متالورژی هسته ای، و کاربردهای گسترده در علوم سطح، همگی پیشرفت های زیادی در زمینه کاشت یون ایجاد کرده اند. فعالیت پژوهشی آنقدر فشرده و گسترده شده است که این رشته به زیر شاخه های تخصصی زیادی تقسیم شده است. یک مؤسسه مطالعات پیشرفته، که پدیدههای اساسی و رایج تجمع را پوشش میدهد، برای راهاندازی دانشمندان و مهندسان علاقهمند به این زیرشاخههای فعال مختلف، مناسب به نظر میرسد، زیرا تجمع معمولاً پس از کاشت یون انجام میشود. در نتیجه، دکتر. پرز، کاوسمان، مارس، کاچارد و من چنین پیشنهادی را به بخش امور علمی ناتو ارائه کردیم که تصویب آن منجر به جلد حاضر شد. برای فیزیکدانی که برهمکنشهای فوق ظریف هستهای را مطالعه میکند، اگر قرار است نتایج به درستی تفسیر شوند، باید پیامدهای تجمع اتمهای کاشتهشده، حتی در دوزهای پایین، در نظر گرفته شوند. برای دانشمندان مواد و مهندسان دستگاه، درک مکانیزمهای تجمع و روشهای کنترل به وضوح در طراحی محصولات نهایی ضروری است.
Explosive developments in microelectronics, interest in nuclear metallurgy, and widespread applications in surface science have all produced many advances in the field of ion implantation. The research activity has become so intensive and so broad that the field has become divided into many specialized subfields. An Advanced Study Institute, covering the basic and common phenomena of aggregation, seems opportune for initiating interested scientists and engineers into these various active subfields since aggregation usually follows ion implantation. As a consequence, Drs. Perez, Coussement, Marest, Cachard and I submitted such a pro posal to the Scientific Affairs Division of NATO, the approval of which resulted in the present volume. For the physicist studying nuclear hyperfine interactions, the consequences of aggregation of implanted atoms, even at low doses, need to be taken into account if the results are to be correctly interpreted. For materials scientists and device engineers, under standing aggregation mechanisms and methods of control is clearly essential in the tailoring of the end products.