ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Simulation of Semiconductor Devices and Processes: Vol.5

دانلود کتاب شبیه سازی دستگاهها و فرآیندهای نیمه هادی: جلد 5

Simulation of Semiconductor Devices and Processes: Vol.5

مشخصات کتاب

Simulation of Semiconductor Devices and Processes: Vol.5

ویرایش: 1 
نویسندگان: , , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9783709173725, 9783709166574 
ناشر: Springer-Verlag Wien 
سال نشر: 1993 
تعداد صفحات: 524 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 41 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 38,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب شبیه سازی دستگاهها و فرآیندهای نیمه هادی: جلد 5: مهندسی کامپیوتر، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، شبیه سازی و مدل سازی، مهندسی به کمک کامپیوتر (CAD، CAE) و طراحی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Simulation of Semiconductor Devices and Processes: Vol.5 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب شبیه سازی دستگاهها و فرآیندهای نیمه هادی: جلد 5 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب شبیه سازی دستگاهها و فرآیندهای نیمه هادی: جلد 5



"پنجمین کنفرانس بین المللی شبیه سازی دستگاه ها و فرآیندهای نیمه هادی" (SISDEP 93) به مجموعه ای از کنفرانس ها ادامه می دهد که در سال 1984 توسط K. Board و D. R. J. Owen در کالج دانشگاه ولز، سوانسی آغاز شد. برای بار دوم در سال 1986 انجام شد. سازمان آن توسط G. Baccarani و M. Rudan در دانشگاه بولونیا در سال 1988، و W. Fichtner و D. Aemmer در مؤسسه فدرال فناوری در زوریخ در سال 1991 جانشین شد. این سال کنفرانس در دانشگاه فنی وین، اتریش، 7 تا 9 سپتامبر 1993 برگزار می شود. این کنفرانس باید یک انجمن بین المللی برای ارائه نتایج برجسته تحقیق و توسعه در زمینه شبیه سازی فرآیندهای عددی و دستگاه فراهم کند. کوچک سازی دستگاه های نیمه هادی امروزی، استفاده از مواد جدید و مراحل فرآیند پیشرفته در توسعه فناوری های جدید نیمه هادی ها، طراحی برنامه های رایانه ای جدید را پیشنهاد می کند. این گرایش به سمت ساختارهای پیچیده‌تر و فرآیندهای پیچیده‌تر نیازمند شبیه‌سازهای پیشرفته است، مانند ابزارهای کاملاً سه‌بعدی برای هندسه‌های تقریباً خودسرانه پیچیده. با افزایش نیاز به مدل‌های بهتر و درک بهتر اثرات فیزیکی، کنفرانس شبیه‌سازی دستگاه‌ها و فرآیندهای نیمه‌رسانا، جامعه شبیه‌سازی و مهندسین فرآیند و دستگاه‌ها را گرد هم می‌آورد که به ابزارهای شبیه‌سازی عددی قابل اعتماد برای توصیف، پیش‌بینی و توسعه نیاز دارند. .


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The "Fifth International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes" (SISDEP 93) continues a series of conferences which was initiated in 1984 by K. Board and D. R. J. Owen at the University College of Wales, Swansea, where it took place a second time in 1986. Its organization was succeeded by G. Baccarani and M. Rudan at the University of Bologna in 1988, and W. Fichtner and D. Aemmer at the Federal Institute of Technology in Zurich in 1991. This year the conference is held at the Technical University of Vienna, Austria, September 7 - 9, 1993. This conference shall provide an international forum for the presentation of out­ standing research and development results in the area of numerical process and de­ vice simulation. The miniaturization of today's semiconductor devices, the usage of new materials and advanced process steps in the development of new semiconduc­ tor technologies suggests the design of new computer programs. This trend towards more complex structures and increasingly sophisticated processes demands advanced simulators, such as fully three-dimensional tools for almost arbitrarily complicated geometries. With the increasing need for better models and improved understand­ ing of physical effects, the Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes brings together the simulation community and the process- and device en­ gineers who need reliable numerical simulation tools for characterization, prediction, and development.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xx
Challenges to Achieving Accurate Three-Dimensional Process Simulation....Pages 1-8
Modeling Nano-Structure Devices....Pages 9-16
About Boltzmann Equations for Transport Modeling in Semiconductors....Pages 17-20
Applied TCAD in Mega-Bits Memory Design....Pages 21-24
Process Flow Representation within the VISTA Framework....Pages 25-28
A Powerful TCAD System Including Advanced RSM Techniques for Various Engineering Optimization Problems....Pages 29-32
Modeling of VLSI MOSFET Characteristics Using Neural Networks....Pages 33-36
Coupling a Statistical Process-Device Simulator with a Circuit Layout Extractor for a Realistic Circuit Simulation of VLSI Circuits....Pages 37-40
Simulation of Self-Heating Effects in a Power p-i-n Diode....Pages 41-44
Impact of Cell Geometries and Electrothermal Effects on IGBT Latch-Up in 2D-Simulation....Pages 45-48
On the Influence of Thermal Diffusion and Heat Flux on Bipolar Device and Circuit Performance....Pages 49-52
2-D Electrothermal Simulation and Failure Analysis of GTO Turn-off with Complete Chopper Circuit Parasitics....Pages 53-56
3D Thermal/Electrical Simulation of Breakdown in a BJT Using a Circuit Simulator and a Layout-to-Circuit Extraction Tool....Pages 57-60
Nonlocal Oxide Injection Models....Pages 61-64
Electron Transport in Silicon Dioxide at Intermediate and High Electric Fields....Pages 65-68
Efficient and Accurate Simulation of EEPROM Write Time and its Degradation Using MINIMOS....Pages 69-72
Influence of Oxide-Damage on Degradation-Effects in Bipolar-Transistors....Pages 73-76
The Application of Sparse Supernodal Factorization Algorithms for Structurally Symmetric Linear Systems in Semiconductor Device Simulation....Pages 77-80
Newton-GMRES Method for Coupled Nonlinear Systems Arising in Semiconductor Device Simulation....Pages 81-84
Practical Use of a Hierarchical Linear Solver Concept for 3D MOS Device Simulation....Pages 85-88
Further Improvements in Nonsymmetric Hybrid Iterative Methods....Pages 89-92
Rigorous Microscopic Drift-Diffusion Theory and its Applications to Nanostructures....Pages 93-96
Atomistic Evaluation of Diffusion Theories for the Diffusion of Dopants in Vacancy Gradients....Pages 97-100
Self Diffusion in Silicon Using the Ackland Potential....Pages 101-104
Three-Dimensional Numerical Simulation for Low Dopant Diffusion in Silicon....Pages 105-108
3-D Diffusion Models for Chemically-Amplified Resists Using Massively Parallel Processors....Pages 109-112
Improvement of Initial Solution Projection in Solving General Semiconductor Equations Including Engery Transport....Pages 113-116
A Numerical Implementation of the Energy Balance Equations Based on Physical Considerations....Pages 117-120
Construction of Stable Discretization Schemes for the Hydrodynamic Device Model....Pages 121-124
Three-Dimensional Implementation of a Unified Transport Model....Pages 125-128
Mixed-Mode Multi-Dimensional Device and Circuit Simulation....Pages 129-132
Modeling High Concentration Boron Diffusion with Dynamic Clustering: Influence of the Initial Conditions....Pages 133-136
Simulation of High-Dose Ion Implantation-Induced Transient Diffusion and of Electrical Activation of Boron in Crystalline Silicon....Pages 137-140
Physical Modeling of the Enhanced Diffusion of Boron Due to Ion Implantation in Thin Base npn Bipolar Transistors....Pages 141-144
Simulation of Denuded Zone Formation in CZ Silicon....Pages 145-148
A Closed Hydrodynamic Model for Hot-Carrier Transport in Submicron Semiconductor Devices....Pages 149-152
Critical Assessment of Different Hydrodynamical Models for Avalanche Multiplication Calculation in Silicon Bipolar Transistors....Pages 153-156
Dual Energy Transport Model with Coupled Lattice and Carrier Temperatures....Pages 157-160
Inclusion of Electron-Electron Scattering in the Spherical Harmonics Expansion Treatment of the Boltzmann Transport Equation....Pages 161-164
Quantitative 2D Stress Dependent Oxidation with Viscoelastic Model....Pages 165-168
Oxidation Simulation and Growth Kinetics of Thin SiO 2 in Pure N 2 O ....Pages 169-172
Accurate Simulation of Mechanical Stresses in Silicon During Thermal Oxidation....Pages 173-176
Mechanical Stress Simulation During Gate Formation of MOS Devices Considering Crystallization-Induced Stress of p-Doped Silicon Thin Films....Pages 177-180
Monte Carlo Simulation of Carrier-Carrier Interaction for Silicon Devices....Pages 181-184
Monte Carlo MOSFET Simulator Including Inversion Layer Quantization....Pages 185-188
Three-Dimensional Monte Carlo Simulation of Submicronic Devices....Pages 189-192
Monte Carlo Analysis of Voltage Fluctuations in Two-Terminal Semiconductor Devices....Pages 193-196
Simulation of Sputter Deposition Process by DUPSIM....Pages 197-200
Process Simulation for Nonplanar Structures with the Multigrid Solver LiSS....Pages 201-204
Multizone Adaptive Grid Generation Technique for Multilayer Multistep Process Simulation....Pages 205-208
Process Optimization in a Production Environment Using Simulation and Taguchi Methods....Pages 209-212
Optimization of DMOS Transistors for Smart Power Technologies by Simulation and Response Surface Methods....Pages 213-216
Improved Technology Understanding through Using Process Simulation and Measurements....Pages 217-220
Hot Carrier Suppression for an Optimized 10V CMOS Process....Pages 221-224
Electrical Parameter Sensitivity of Deep Submicron and Micron MOSFET Devices with Variation in Processing Conditions....Pages 225-228
Predicting Manufacturing Variabilities for Deep Submicron Technologies: Integration of Process, Device, and Statistical Simulations....Pages 229-232
An Investigation of Coupled and Decoupled Iterative Algorithms for Energy Balance Calculations....Pages 233-236
On the Scharfetter-Gummel Box-Method....Pages 237-240
A Spectral Method for the Numerical Simulation of Transit-Time Devices....Pages 241-244
PARDESIM — A Parallel Device Simulator on a Transputer Based MIMD-Machine....Pages 245-248
An Efficient and Accurate Method to Calculate the Two-Dimensional Scattering Rates in Heterostructure Semiconductors....Pages 249-252
Two-Dimensional Numerical Analysis on the Diffusion-Induced Degradation of A1GaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors....Pages 253-255
High Speed Performance of Si Homo-and Si/Si 1- x Ge x Heterojunction Bipolar Transistors....Pages 257-260
Analysis of a CMOS-Compatible Vertical Bipolar Transistor....Pages 261-264
Finite Element Simulation of Recess Gate MESFETs and HEMTs: The Simulator H2F....Pages 265-268
A Smallsignal Databased HEMT Model for Nonlinear Time Domain Simulation....Pages 269-272
Noise in Si / Si 1- x Ge x n-channel HEMTs and p-channel FETs....Pages 273-276
Drift Velocities and Momentum Distributions of Hot Carriers in MOSFETs at Low Supply Voltages....Pages 277-280
Numerical Simulation of MOSFETs Gate Capacitances for the Evaluation of Hot-Carrier Generated Interface States and Trapped Carriers....Pages 281-284
An Analytical Device Model Including Velocity Overshoot for Subquartermicrometer MOSFET....Pages 285-288
Numerical Modeling of Electrothermal Effects in Semiconductor Devices....Pages 289-292
Analysis of Charge Storage in Polysilicon Contacts....Pages 293-296
Simulation of the Conduction Mechanisms in Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors....Pages 297-300
Extraction of Parameters for Balance Equations from Monte-Carlo Simulations....Pages 301-304
The Influence of Technological Parameters on Ultra-Short Gate Si-NMOS Transistor Performances....Pages 305-308
Semianalytical Universal Simulation of the Electrical Properties of the Permeable Base Transistor....Pages 309-312
The Static and Dynamic Behaviour of NPT-IGBTs with Different p + -Anode Designs....Pages 313-316
Numerical Modeling and Simulation of Multi-Electrode Semiconductor Optical Amplifiers....Pages 317-320
Simulation of Carrier Heating Induced Picosecond Operation of GaInAsP/InP Laser Diode....Pages 321-324
Computer Simulation of Inverse Problems of Crystal Growth and Photoconductivity of Graded Band Gap Semiconductors....Pages 325-328
Charge Distribution and Capacitance of Double Barrier Resonant Tunneling Diodes....Pages 329-332
Generation and Amplification of Microwave Power in Submicron n + nn + Diodes....Pages 333-336
Modelling of IGBTs and LIGBTs for Power Circuit Simulation....Pages 337-340
Physical IGBT Model for Circuit Simulations....Pages 341-344
Model-Independent Distortion Analysis in SPICE Realized for Complex Modelled Bipolar and MOS Transistors....Pages 345-348
A Newly Proposed Delay Improvement on CMOS/SOI Future Technology....Pages 349-352
Simulation of a Novel Scheme for 700–1000 V Wiring Applications....Pages 353-356
A General Simulation Method for Etching and Deposition Processes....Pages 357-360
Two Dimensional Monte Carlo Simulation of Ion Implantation in Crystalline Silicon Considering Damage Formation....Pages 361-364
MOSFET Two-Dimensional Doping Profile Determination....Pages 365-368
Determination of EBIC Response by Two-Dimensional Device Simulation....Pages 369-372
Radiative Heat Transfer with Quasi Monte Carlo Methods....Pages 373-376
Numerical Simulation of Piezo-Hall Effects in n-Doped Silicon Magnetic Sensors....Pages 377-380
Electro-Elastic Simulation of Piezoresistive Pressure Sensor....Pages 381-384
Models for the Chemo-Physical Reactions at the Sensitive Layer of Semiconductor Gas Sensors and their Application in the Simulation of these Devices....Pages 385-388
Two-Dimensional Numerical Simulations of High Efficiency Silicon Solar Cells....Pages 389-392
Simulation in High Efficiency Solar Cell Research....Pages 393-396
Modeling of Breakdown in SOI MOSFETs....Pages 397-400
3D Simulation of MOS Transistors with Inversion Condition in Two Directions....Pages 401-404
Quasi Two-Dimensional Numerical Simulation of SiGe/Si MOSFETs....Pages 405-408
Large-Signal RF and DC Performance of p-Type Diamond FETs....Pages 409-412
3D Grid Generation for Semiconductor Devices Using a Fully Flexible Refinement Approach....Pages 413-416
Grid and Geometry Techniques for Multi-Layer Process Simulation....Pages 417-420
Multigrid Becomes a Competitive Algorithm for some 3D Device Simulation Problems....Pages 421-424
A 2D Analytical Model of Current-Flow in Lateral Bipolar Transistor Structures....Pages 425-428
Consistent Treatment of Carrier Emission and Capture Kinetics in Electrothermal and Energy Transport Models....Pages 429-432
Modeling of Electron-Hole Scattering in Semiconductor Power Device Simulation....Pages 433-436
Modeling of Localized Lifetime Tailoring in Silicon Devices....Pages 437-440
Analytical Model of the Metal-Semiconductor Contact for Device Simulation....Pages 441-444
Nonlinear Contact Resistance and Inhomogeneous Current Distribution at Ohmic Contacts....Pages 445-448
Simulations of Carrier-Blocking Effects on Cutoff Frequency Characteristics for AlGaAs/GaAs HBTs with Insulating and Semi-Insulating External Collectors....Pages 449-452
Non-Stationary Transport HBT Modeling Under Non-Isothermal Conditions....Pages 453-456
An Enhanced Two Dimensional Hydrodynamic Energy Model for Transient Time Simulation of Complex Heterostructure Field Effect Transistors....Pages 457-460
Evaluation of Effective Device Parameters by Comparison of Measured and Simulated C-V Characteristics for Conventional and Pseudomorphic HEMTs....Pages 461-464
Helena: A Physical Modeling for the DC, AC, Noise and Non Linear HEMT Performance....Pages 465-468
Lifetime Calculations of MOSFET’s Using Depth-Dependent Non-Local Impact Ionization....Pages 469-472
Inverse Modeling of Impact Ionization Rate Formula Through Comparison Between Simulation and Experimental Results of MOS Device Characteristics....Pages 473-476
The MicroMOS 3D Monte Carlo Simulation Program – a Tool for Verifying the MINIMOS Mobility Models....Pages 477-480
Accurate Determination of Silicon Inversion Layer Mobility by the Monte Carlo Method....Pages 481-484
Importance of Hole Generation on Modeling and Simulation of Schottky and MESFET Structures....Pages 485-488
Thermionic Current in Direct-Indirect Energy-Gap GaAs/Al x Ga 1-x As Interfaces....Pages 489-492
Preliminary Results of Quantum Directional Coupler Simulation Using a Beam Propagation Method....Pages 493-496
Numerical Simulation of Auger-Induced Hot Electron Transport in InGaAsP/InP Double Heterojunction Laser Diodes: Hydrodynamics versus Drift and Diffusion....Pages 497-500
Back Matter....Pages 501-507




نظرات کاربران