دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Silicon Non-Volatile Memories: Paths of Innovation
دانلود کتاب خاطرات غیر فرار سیلیکونی: مسیرهای نوآوری
مشخصات کتاب
Silicon Non-Volatile Memories: Paths of Innovation
ویرایش: 1
نویسندگان: B. de Salvo
سری:
ISBN (شابک) : 1848211058, 9781848211056
ناشر: Wiley-ISTE
سال نشر: 2009
تعداد صفحات: 248
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 7 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 60,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon Non-Volatile Memories: Paths of Innovation به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خاطرات غیر فرار سیلیکونی: مسیرهای نوآوری نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب خاطرات غیر فرار سیلیکونی: مسیرهای نوآوری
این کتاب یک مرور کلی از رویکردهای مختلف تکنولوژیکی که در حال حاضر برای برآوردن نیازهای حافظه آینده مورد مطالعه قرار گرفته اند، ارائه می دهد. دو مسیر اصلی تحقیق شناسایی و مورد بحث قرار گرفته است. "مسیرهای تکاملی" مختلف بر اساس مواد جدید و ساختارهای ترانزیستوری جدید برای گسترش فناوری دروازه شناور کلاسیک به گره 32 نانومتری بررسی شده‌اند. "مسیرهای مخرب" نیز پوشش داده شده است و به نسل های IC 22 نانومتری و کوچکتر می پردازد. در نهایت، عوامل اصلی منشأ این پدیده ها شناسایی و تجزیه و تحلیل می شوند و نکاتی را در مورد فعالیت های تحقیقاتی آینده و تحولات در این زمینه ارائه می دهند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different “evolutionary paths” based on new materials and new transistor structures are investigated to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. “Disruptive paths” are also covered, addressing 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.
