مشخصات کتاب

Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors

ویرایش:  
نویسندگان: John D. Cressler,  Guofu Niu  
سری:  
ISBN (شابک) : 1580533612, 9781580535991 
ناشر:  
سال نشر: 2002 
تعداد صفحات: 589 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 15 مگابایت 

در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ترانزیستورهای دو قطبی سیلیکون ژرمانیوم Heterojunction نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب ترانزیستورهای دو قطبی سیلیکون ژرمانیوم Heterojunction

این منبع آموزنده و جدید اولین درمان جامع ترانزیستورهای دوقطبی ناهمگون سیلیکون-ژرمانیوم (SiGe HBTs) را ارائه می دهد. این به شما یک درک کامل و اولیه از دستگاه ها و فناوری SiGe HBT را از دیدگاه بسیار گسترده ارائه می دهد. این کتاب انگیزه، تاریخچه، مواد، ساخت، فیزیک دستگاه، اصول عملیاتی، و ویژگی‌های سطح مدار مرتبط با این فناوری جدید دستگاه نیمه‌رسانا را پوشش می‌دهد. این مرجع عملی شامل بیش از 400 معادله و بیش از 300 تصویر، به زبانی واضح و مختصر نحوه طراحی، شبیه سازی، ساخت و اندازه گیری SiGe HBT را به شما نشان می دهد. علاوه بر این، این کتاب به شما کمک می کند تا درک کاملی از مسائل ظریف بهینه سازی و مبادلات طراحی SiGe HBT و مدارهای RF/مایکروویو ساخته شده با این فناوری به دست آورید. این کتاب توضیح می‌دهد که چگونه HBT‌های SiGe عملکرد بالا مرتبط با دستگاه‌های III-V مانند GaAs و InP را ارائه می‌کنند، در حالی که از مزایای کم‌هزینه، سطح یکپارچه‌سازی بالا، بازده بالا و مزایای اقتصادی تولید IC سیلیکونی معمولی محافظت می‌کنند. . متوجه می شوید که چرا فناوری SiGe یک راه حل منحصر به فرد برای نیازهای IC ارتباطات قرن 21 ارائه می دهد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This informative, new resource presents the first comprehensive treatment of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs). It offers you a complete, from-the-ground-up understanding of SiGe HBT devices and technology, from a very broad perspective. The book covers motivation, history, materials, fabrication, device physics, operational principles, and circuit-level properties associated with this new cutting-edge semiconductor device technology. Including over 400 equations and more than 300 illustrations, this hands-on reference shows you in clear and concise language how to design, simulate, fabricate, and measure a SiGe HBT. Moreover, the book helps you gain a thorough understanding of the subtle optimization issues and design tradeoffs of SiGe HBTs and RF/microwave circuits built with this technology. The book explains how SiGe HBTs offer the high-performance associated with III-V devices such as GaAs and InP, while preserving the low-cost, high-integration level, high yield, and economy-of-scale benefits of conventional silicon IC manufacturing. You discover why SiGe technology offers a unique solution for 21st century communications IC needs.

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Best Bike Rides New York City: Great Recreational Rides In The Five Boroughs

دانلود کتاب Biochemistry and Physiology of Plant Hormones

دانلود کتاب The Ethics of Anthropology and Amerindian Research: Reporting on Environmental Degradation and Warfare

دانلود کتاب Faça acontecer — mulheres, trabalho e a vontade de liderar

دانلود کتاب Microsoft Corp. Microsoft PowerPoint 2010 Product Guide