RF and Time-domain Techniques for Evaluating Novel Semiconductor Transistors

این کتاب تکنیک‌های مختلفی را با استفاده از اندازه‌گیری‌های فرکانس بالا (RF) و حوزه زمان برای درک عملکرد الکتریکی ترانزیستورهای جدید و مدرن ساخته‌شده از موادی مانند گرافن، نانولوله‌های کربنی و سیلیکون روی عایق ارائه می‌کند. با استفاده از ساختارهای ترانزیستوری جدید نویسنده نحوه استفاده از RF معمولی و اندازه‌گیری‌های حوزه زمان را برای توصیف عملکرد ترانزیستورها توضیح می‌دهد. علاوه بر این، او توضیح می‌دهد که چگونه ترانزیستورهای جدید ممکن است در معرض اثراتی مانند خود گرم شدن، خروجی وابسته به دوره، غیرخطی بودن، حساسیت به تخریب کوتاه‌مدت، نقص‌های ساختاری نامرئی DC، و پاسخ متفاوت به ورودی‌های DC و گذرا باشند. . خوانندگان متوجه خواهند شد که برای درک کامل و توصیف رفتار یک ترانزیستور جدید، زرادخانه ای از تکنیک های پویا در دسترس است. علاوه بر مفاهیم انتزاعی، خواننده نکات عملی مورد نیاز برای دستیابی به اندازه‌گیری‌های معنادار را یاد می‌گیرد و رابطه بین این اندازه‌گیری‌ها و ویژگی‌های DC سنتی و مرسوم را درک خواهد کرد.

This book presents a variety of techniques using high-frequency (RF) and time-domain measurements to understand the electrical performance of novel, modern transistors made of materials such as graphene, carbon nanotubes, and silicon-on-insulator, and using new transistor structures.  The author explains how to use conventional RF and time- domain measurements to characterize the performance of the transistors. In addition, he explains how novel  transistors may be subject to effects such as self-heating, period-dependent output, non-linearity, susceptibility to short-term degradation, DC-invisible structural defects, and a different response to DC and transient inputs.  Readers will understand that in order to fully understand and characterize the behavior of a novel transistor, there is an arsenal of dynamic techniques available. In addition to abstract concepts, the reader will learn of practical tips required to achieve meaningful measurements, and will understand the relationship between these measurements and traditional, conventional DC characteristics.