Photovoltaic Power Generation: Proceedings of the Second Contractors’ Meeting held in Hamburg, 16–18 September 1987

تولید انبوه پانل PV سیلیکون آمورف مستلزم آن است که رسوب شیمیایی پلاسما از نظر اندازه بزرگ، هزینه، تعمیر و نگهداری و سایر مشکلات مربوط به صنعتی شدن جمع شود. از آنجایی که رسوب پلاسما یک تکنیک جدید است، توسعه همه این دانش مربوط به تولید مستلزم تلاش تحقیقات فنی قابل توجهی است. مشکلات عمده مربوط به طراحی یک ماشین رسوب گذاری تولیدی به شرح زیر است - رسوب گذاری باید روی بستر بسیار بزرگ (بعد معمولی 1 متر) یکنواخت باشد. - سیلیکون آمورف رسوب‌شده باید دارای ویژگی‌های الکترونیکی خوبی باشد (چگالی حالت از مرتبه یا کمتر از 16310 سانتی‌متر بر ولت) و غلظت ناخالصی‌های بسیار کم (به عنوان مثال غلظت اتمی اکسیژن در حالت ایده‌آل باید کمتر از 0.01%) باشد. - تنش فیلم باید محدود باشد، چگالی عیوب نوک (ذرات) باید معقول باقی بماند (کمتر از 2 در 100 سانتی متر). - کنترل سطح ناخالصی باید پایدار و کارآمد باشد. - مصرف سیلان باید به طور معقولی کارآمد باقی بماند - هزینه مالی مهم است، بهره وری ماشین باید بالا باشد، بنابراین نرخ رسوب بهینه شود. - زمان خرابی ناشی از تعمیر و نگهداری باید به حداقل کاهش یابد. ما در اینجا نتایجی را در مورد تلاش تحقیق و توسعه با توجه به مشکلات ذکر شده در بالا ارائه می کنیم. یک اتاقک اصلی طراحی شد. این دستگاه برای اهداف تحقیق و توسعه توسط یک شرکت ماشین آلات فرآیند در بازار عرضه خواهد شد. در نهایت مشکل نگهداری در نظر گرفته می شود. تمیز کردن پلاسما بر اساس گازهای اچانت حاوی فلوئور مورد مطالعه و ارزیابی قرار می گیرد. 2.

Amorphous silicon PV panel mass production will require to mas­ ter plasma chemical deposition in terms of large sizes, cost, maintenance and all other problems related to industrialization. Since plasma deposition is a novel technique, the development of all this production related know how involves a considerable technical research effort. The major problems related to the design of a production deposi­ tion machine are the following - deposition should be uniform on very large area substrate (typical dimension 1 meter) ; - the deposited amorphous silicon should have good electronic properties (density of state of the order or less than 16 3 10 cm /eV) and very low impurities concentrations (for exam­ ple oxygen atomic concentration should idealy be less than 0. 01 %) ; - the film stress should be limited, the density of ponctual defects (particulates) should remain reasonable (less than 2 per 100 cm ) ; - dopant level control should be stable and efficient ; - silane consumption should remain reasonably efficient - financial cost being important the machine productivity should be high hence deposition rate optimized ; - downtime due to maintenance should be reduced to a minimum. We present here some results on the R&D effort addressed to the above mentioned problems. An original single chamber was designed. This machine will be made available on the market for R&D purposes by a process machine company. Finally the maintenance problem is considered. Plasma cleaning based on a fluorine containing etchant gases is studied and evaluated. 2.