MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch

این کتاب تجزیه و تحلیل و طراحی فن‌آوری‌های مختلف MOSFET را ارائه می‌کند که برای طراحی سوئیچ‌های RF دو قطبی چهار پرتاب (DP4T) برای سیستم‌های ارتباطی نسل بعدی استفاده می‌شوند. نویسندگان در مورد طراحی سوئیچ RF (DP4T) با استفاده از ماسفت Double-Gate (DG) و همچنین MOSFET دو دروازه ای اطراف استوانه ای (CSDG) بحث می کنند. اثر HFO2 (مواد دی الکتریک بالا) در طراحی DG MOSFET و CSDG MOSFET نیز بررسی شده است. پوشش شامل مقایسه پارامترهای سوئیچینگ ماسفت تک گیت و ماسفت دو دروازه و همچنین آزمایش پارامترهای ماسفت با استفاده از جذب تصویر است.

This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies which are used for the design of Double-Pole Four-Throw (DP4T) RF switches for next generation communication systems. The authors discuss the design of the (DP4T) RF switch by using the Double-Gate (DG) MOSFET, as well as the Cylindrical Surrounding double-gate (CSDG) MOSFET. The effect of HFO2 (high dielectric material) in the design of DG MOSFET and CSDG MOSFET is also explored. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters, as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.