دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Zhenyu Zheng. Max G. Lagally
سری: Series on Directions in Condensed Matter Physics, Vol 14
ISBN (شابک) : 9810234716, 9789810234713
ناشر: World Scientific Pub Co Inc
سال نشر: 1999
تعداد صفحات: 508
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 159 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب سازمان های مورفولوژیکی در رشد و حذف اپیتاکسال نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
یک ارزیابی انتقادی از وضعیت فعلی و جهتهای احتمالی آینده رشد لایه نازک ارائه میکند. تأکید متن بر توصیف مکانیسمهای مقیاس اتمی است که دینامیک و ترمودینامیک تکامل مورفولوژیکی جبهه رشد لایههای نازک را در سیستمهای متنوع با اهمیت اساسی و تکنولوژیکی کنترل میکنند. این کتاب بیشتر تحولات مفهومی اصلی و مهم ایجاد شده در دهه 1990 را پوشش می دهد. مقالات در پنج دسته اصلی مرتب شده اند - مبانی نظری، رشد نیمه هادی روی نیمه هادی، رشد فلز روی فلز، رشد فلز روی نیمه هادی، و حذف به عنوان روند معکوس رشد.
Provides a critical assessment of the current status and the likely future directions of thin-film growth. The text's emphasis is on descriptions of atomic-scale mechanisms controlling the dynamics and thermodynamics of the morphological evolution of the growth front of thin films in diverse systems of fundamental and technological significance. The book covers most of the original and important conceptual developments made in the 1990s. The articles are arranged in five major categories - the theoretical basis, semiconductor-on-semiconductor growth, metal-on-metal growth, metal-on-semiconductor growth, and removal as the inverse process of growth.