دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
دانلود کتاب مدلسازی و مشخص نمودن نیروگاه های RF و میکروویو
مشخصات کتاب
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
ویرایش: نویسندگان: Peter Aaen, Jaime A. Plá, John Wood سری: The Cambridge RF and Microwave Engineering Series ISBN (شابک) : 0521870666, 9780521870665 ناشر: Cambridge University Press سال نشر: 2007 تعداد صفحات: 379 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 4 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 71,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مدلسازی و مشخص نمودن نیروگاه های RF و میکروویو نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب مدلسازی و مشخص نمودن نیروگاه های RF و میکروویو
این کتاب در سال 2007 یک نمایشگاه جامع از مدلسازی FET است و یک منبع ضروری برای متخصصان باتجربه و فارغالتحصیلان جدید در جامعه طراحی و مدلسازی تقویتکننده توان RF و مایکروویو است. در آن، توضیحاتی از تکنیکهای مشخصهسازی و اندازهگیری، روشهای تجزیه و تحلیل، و پیادهسازی شبیهساز، تأیید مدل و روشهای اعتبارسنجی که برای تولید یک مدل ترانزیستوری مورد نیاز است را خواهید یافت که میتواند با اطمینان توسط طراح مدار استفاده شود. این کتاب که توسط متخصصان صنعت نیمه هادی با تجربه چندین ساله مدل سازی دستگاه در فن آوری های LDMOS و III-V نوشته شده است، اولین کتابی است که به الزامات مدل سازی خاص ترانزیستورهای RF پرقدرت می پردازد. یک رویکرد مستقل از فناوری توصیف شده است که به اثرات حرارتی، مسائل مقیاسبندی، مدلسازی غیرخطی و شبکههای تطبیق درون بسته میپردازد. اینها با استفاده از فناوری RF پرقدرت فعلی پیشرو در بازار، LDMOS، و همچنین با دستگاه های قدرت III-V نشان داده شده اند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This 2007 book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices.
