Introduction to VLSI Silicon Devices: Physics, Technology and Characterization

از مدتها قبل در مؤسسات صنعتی و دانشگاهی نیاز به این کتاب احساس می شد. این به مهندسان جدید و همچنین مهندسان مجرب و پرسنل آزمایشگاهی پیشرفته در زمینه نیمه هادی ها بحث روشن و کاملی در مورد دستگاه های سیلیکونی پیشرفته ارائه می دهد، بدون اینکه به پیچیدگی ریاضیات و فیزیک بالاتر متوسل شوند. این کار دشوار با تشریح جزییات معادلاتی که عملکرد و ویژگی‌های دستگاه را بدون تلاش برای استخراج کامل آنها توصیف می‌کنند ممکن شد. این با چندین مشکل تقویت می شود که موارد عملی مشاهده شده در آزمایشگاه را منعکس می کند. مسائل پس از معرفی یک معادله یا مفهوم اصلی ارائه می شوند. آنها به جای ترتیب سختی، به ترتیب متن مرتب شده اند. پاسخ به اکثر مسائل به این منظور ارائه می شود که دانش آموز بتواند روش مورد استفاده برای راه حل ها را "خود بررسی کند". هنگام پرداختن به خصوصیات دستگاه‌های واقعی و ارتباط داده‌های اندازه‌گیری شده با فیزیک دستگاه و پارامترهای فرآیند، این تصاویر ممکن است کمک بزرگی به \"تازه‌واران\" باشد. مهندس جدید این کتاب را معادل «آموزش در حین کار» پیدا می‌کند و از اصول بنیادین دستگاه‌های سیلیکونی دانش کار می‌کند. برای مهندس با پیشینه نظری، ابزاری برای کاربرد مستقیم نظریه حالت جامد برای تجزیه و تحلیل و سنتز دستگاه ارائه می‌کند. این کتاب برگرفته از مجموعه‌ای از یادداشت‌ها است که برای یک دوره یک ساله داخلی در فیزیک، فناوری و خصوصیات دستگاه در IBM تهیه شده است.

There was a long felt need for this book in industrial and academic institutions. It provides new engineers, as well as practicing engineers and advanced laboratory personnel in the field of semiconductors a clear and thorough discussion of state-of-the-art silicon devices, without resorting to the complexity of higher mathematics and physics. This difficult task was made possible by detailing the explanation of equations that describe the device operation and characteristics without endeavoring their full derivation. This is reinforced by several problems which reflect practical cases observed in the laboratory. The problems are given after introducing a major equation or concept. They are arranged in the order of the text rather than in the order of difficulty. The answers to most of the problems are given in order to enable the student to "self-check" the method used for the solutions. The illustrations may prove to be of great help to "newcomers" when dealing with the characterization of real devices and relating the measured data to device physics and process parameters. The new engineer will find the book equivalent to "on the job training" and acquire a working knowledge of the fundamental principles underlying silicon devices. For the engineer with theoretical background, it offers a means for direct application of solid state theory to device analysis and synthesis. The book originated from a set of notes developed for an in-house one-year course in Device Physics, Technology and Characterization at IBM.