دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: R. G. Rhodes and Heinz K. Henisch (Auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9781483197784
ناشر: Elsevier Ltd
سال نشر: 1964
تعداد صفحات: 377
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 18 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Imperfections and Active Centres in Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب عیوب و مراکز فعال در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Content:
OTHER TITLES IN THE SERIES ON SEMICONDUCTORS, Page ii
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
PREFACE, Pages xi-xii
Chapter 1 - FUNDAMENTAL CONCEPTS OF THE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, Pages 1-20
Chapter 2 - DISLOCATIONS OR LINE DEFECTS, Pages 21-71
Chapter 3 - THE DETECTION OF DISLOCATIONS BY X-RAY AND OTHER TECHNIQUES, Pages 72-92
Chapter 4 - PLASTIC DEFORMATION AND TWINNING, Pages 93-123
Chapter 5 - THE GROWTH OF SINGLE CRYSTALS, Pages 124-172
Chapter 6 - THE DISTRIBUTION AND CONTROL OF IMPURITIES, Pages 173-203
Chapter 7 - THE CHEMICAL AND PHYSICAL BEHAVIOUR OF THE IMPURITY ELEMENTS, Pages 204-258
Chapter 8 - DEFECTS AND THE SEMICONDUCTING PROPERTIES OF GERMANIUM AND SILICON, Pages 259-310
Chapter 9 - ETCHING AND THE FORMATION OF ETCH PITS, Pages 311-351
APPENDIX, Pages 353-354
REFERENCES, Pages 355-368
INDEX, Pages 369-373