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دسته بندی: فیزیک ریاضی ویرایش: 1 نویسندگان: Klaus D. Sattler سری: ISBN (شابک) : 1420075500, 9781420075502 ناشر: CRC Press سال نشر: 2010 تعداد صفحات: 782 زبان: English فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 17 مگابایت
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توجه داشته باشید کتاب کتاب نانوفیزیک: نانوالکترونیک و نانوفوتونیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
بسیاری از تکنیکهای پایین به بالا و از بالا به پایین برای تولید نانومواد و نانوساختار، توسعه کاربردهایی را در نانوالکترونیک و نانوفوتونیک ممکن کردهاند. کتاب راهنمای نانوفیزیک: نانوالکترونیک و نانوفوتونیک کاربردهای مهم اخیر نانوفیزیک را در حوزههای الکترونیک و فوتونیک بررسی میکند. هر فصل بررسی شده شامل یک مقدمه گسترده است و درک محتوای علمی پیشرفته را از طریق معادلات و تصاویر اساسی، برخی رنگی، افزایش می دهد. این جلد به چگونگی استفاده از نانومواد مختلف مانند نقاط کوانتومی و نانولوله ها در محاسبات کوانتومی، خازن ها و ترانزیستورها می پردازد. کارشناسان برجسته بین المللی پتانسیل تکنیک های الگوبرداری جدید در الکترونیک مولکولی و همچنین رویکردهای نانو سنگی برای تولید مدارهای نیمه هادی را بررسی می کنند. آنها همچنین خواص نوری نانوساختارها، نانوسیمها، نانومیلهها و خوشهها، از جمله کاتدولومینسانس، فوتولومینسانس و حساسیت به قطبش را توصیف میکنند. علاوه بر این، کتاب دستگاه های نانوفوتونیکی و نانولیزرها را پوشش می دهد. نانوفیزیک چندین رشته را برای تعیین رفتار ساختاری، الکترونیکی، نوری و حرارتی نانومواد گرد هم میآورد. هدایت الکتریکی و حرارتی؛ نیروهای بین اجسام در مقیاس نانو؛ و انتقال بین رفتار کلاسیک و کوانتومی. این نشریه برجسته که ارتباطات را در بسیاری از رشتهها تسهیل میکند، دانشمندان با علایق متفاوت را تشویق میکند تا در پروژههای بینرشتهای همکاری کنند و نظریه و روششناسی حوزههای دیگر را در کار خود بگنجانند.
Many bottom-up and top-down techniques for nanomaterial and nanostructure generation have enabled the development of applications in nanoelectronics and nanophotonics. Handbook of Nanophysics: Nanoelectronics and Nanophotonics explores important recent applications of nanophysics in the areas of electronics and photonics. Each peer-reviewed chapter contains a broad-based introduction and enhances understanding of the state-of-the-art scientific content through fundamental equations and illustrations, some in color. This volume discusses how different nanomaterials, such as quantum dots and nanotubes, are used in quantum computing, capacitors, and transistors. Leading international experts review the potential of the novel patterning techniques in molecular electronics as well as nanolithography approaches for producing semiconductor circuits. They also describe optical properties of nanostructures, nanowires, nanorods, and clusters, including cathodoluminescence, photoluminescence, and polarization-sensitivity. In addition, the book covers nanophotonic devices and nanolasers. Nanophysics brings together multiple disciplines to determine the structural, electronic, optical, and thermal behavior of nanomaterials; electrical and thermal conductivity; the forces between nanoscale objects; and the transition between classical and quantum behavior. Facilitating communication across many disciplines, this landmark publication encourages scientists with disparate interests to collaborate on interdisciplinary projects and incorporate the theory and methodology of other areas into their work.
--- FESEM images, vertically well-aligned......Page
--- 10-07......Page 0010
Editor xiii 14......Page 0014
1.1 Introduction 22 (1-1)......Page 0022
qubits and quantum logic gates, 23 (1-2) thru......Page 0023
--- 24 (1-3)......Page 0024
Zeeman effects, 25 (1-4)......Page 0025
--- using quantum dots and electric gates, 28 (1-7)......Page 0028
1.7 Quantum Computing with Molecular Magnets 30 (1-9)......Page 0030
--- 33 (1-12)......Page 0033
1.9 Single-Photon Faraday Rotation 35 (1-14)......Page 0035
--- optical Stark effect, 41 (1-20)......Page 0041
2.1 Introduction 44 (2-1)......Page 0044
--- cell array structure, 45 (2-2)......Page 0045
--- vs. DRAM, 47 (2-4)......Page 0047
2.4 Semiconductor Nanomemories 49 (2-6)......Page 0049
Single electron memories, 50 (2-7)......Page 0050
--- based nanomemories, 53 (2-10)......Page 0053
--- spectroscopy, 59 (2-16)......Page 0059
2.8 Write Times in Quantum Dot Memories 64 (2-21)......Page 0064
Acknowledgments 66 (2-23)......Page 0066
References 67 (2-24)......Page 0067
3.1 Introduction 70 (3-1)......Page 0070
--- schematic cross section, 71 (3-2)......Page 0071
--- properties, 78 (3-9)......Page 0078
--- 85 (3-16)......Page 0085
Acknowledgments 87 (3-18)......Page 0087
References 88 (3-19)......Page 0088
4.2 Background 92 (4-1)......Page 0092
--- preparation, 96 (4-5)......Page 0096
References 105 (4-14)......Page 0105
5.1 Introduction 108 (5-1)......Page 0108
--- geometry and notations, 110 (5-3)......Page 0110
--- 116 (5-9)......Page 0116
structure for FEM simulation, 121 (5-14)......Page 0121
--- 125 (5-18)......Page 0125
--- convergence, 126 (5-19)......Page 0126
References 128 (5-21)......Page 0128
Landau–Ginzburg–Devonshire theory, 130 (6-1)......Page 0130
--- phenomenological definition, 131 (6-2)......Page 0131
--- ferroelectric hysteresis loops, 133 (6-4)......Page 0133
--- (RBS), 137 (6-8)......Page 0137
--- thru 142 (6-13)......Page 0142
--- 146 (6-17)......Page 0146
References 148 (6-19)......Page 0148
7.1 Introduction 152 (7-1)......Page 0152
--- electronic state density, 153 (7-2)......Page 0153
--- Fabry–Perot cavity, 157 (7-6)......Page 0157
--- 161 (7-10)......Page 0161
--- thru 166 (7-15)......Page 0166
SQUIDs devices, 168 (7-17)......Page 0168
Molecular transistors, 169 (7-18)......Page 0169
8.1 Introduction 172 (8-1)......Page 0172
--- active region, 174 (8-3)......Page 0174
spin-diffusion length, 178 (8-7)......Page 0178
8.4 Conclusions and Future Perspective 186 (8-15)......Page 0186
References 187 (8-16)......Page 0187
Ferromagnetic molecular magnets, 190 (9-1)......Page 0190
--- uniaxial anisotropy, 191 (9-2)......Page 0191
--- 194 (9-5)......Page 0194
--- incoherent Zener tunneling in Fe8, 196 (9-7)......Page 0196
--- thru 197 (9-8)......Page 0197
Single-molecule magnet transistors, 200 (9-11) thru......Page 0200
--- 201 (9-12)......Page 0201
References 202 (9-13)......Page 0202
10.1 Introduction 204 (10-1)......Page 0204
--- via LUMO, 205 (10-2)......Page 0205
10.3 Buttiker Model for Inelastic Transport 208 (10-5)......Page 0208
--- electron–vibron interaction, 209 (10-6) thru......Page 0209
--- contact time, 212 (10-9)......Page 0212
--- junction power loss, 214 (10-11)......Page 0214
Negative differential resistance (NDR), 216 (10-13)......Page 0216
--- 218 (10-15)......Page 0218
References 219 (10-16)......Page 0219
Aharonov–Bohm effect, 224 (11-1)......Page 0224
--- of Mn,Cd-MT, 225 (11-2)......Page 0225
11.3 Nanostructured Semiconductor Templates: Nanofabrication and Patterning 229 (11-6)......Page 0229
--- AFM, 231 (11-8)......Page 0231
11.6 Conclusion and Future Perspectives 233 (11-10)......Page 0233
References 234 (11-11)......Page 0234
12.1 Introduction 238 (12-1)......Page 0238
12.2 Evolution of Silicon Processing: Technology Boosters 239 (12-2)......Page 0239
--- nonplanar multi-gate transistors, 240 (12-3)......Page 0240
12.4 The Rise of Quantum Effects 242 (12-5)......Page 0242
12.5 Carbon Nanotube Transistors 243 (12-6)......Page 0243
--- nonclassical transistor structures, 244 (12-7)......Page 0244
--- sub-kT/q switch, 245 (12-8)......Page 0245
--- spin transistor, 246 (12-9)......Page 0246
--- 248 (12-11)......Page 0248
References 249 (12-12)......Page 0249
Schottky barrier, 252 (13-1)......Page 0252
13.3 J?V Characteristic 254 (13-3)......Page 0254
--- glow discharge-deposition process, 255 (13-4)......Page 0255
--- test of dependency, 258 (13-7)......Page 0258
14.1 Introduction 260 (14-1)......Page 0260
--- physical parameters of ZnO, 261 (14-2)......Page 0261
--- furnace system schematic, 263 (14-4) thru......Page 0263
--- 273 (14-14)......Page 0273
--- micro-clusters, 276 (15-1)......Page 0276
--- spectroscopy, 279 (15-4)......Page 0279
--- van der Waals interaction, 282 (15-7)......Page 0282
--- photo-conducting spectra, 285 (15-10)......Page 0285
--- thru 291 (15-16)......Page 0291
--- SiO2/AlN substrates, 293 (15-18)......Page 0293
--- characterization on SiO2/AlN, 294 (15-19)......Page 0294
--- thru 295 (15-20)......Page 0295
References 296 (15-21)......Page 0296
16.2 Theory of Operation 298 (16-1)......Page 0298
--- deposition, 306 (16-9)......Page 0306
--- switching current measurement, 307 (16-10)......Page 0307
--- relation to the cooper-pair box, 313 (16-16)......Page 0313
17.1 Introduction 318 (17-1)......Page 0318
--- 319 (17-2)......Page 0319
--- imprint lithography (IL), 320 (17-3) thru......Page 0320
--- 322 (17-5)......Page 0322
--- 327 (17-10)......Page 0327
--- energetics application, 329 (17-12)......Page 0329
--- 331 (17-14)......Page 0331
--- 335 (17-18)......Page 0335
References 336 (17-19)......Page 0336
18.1 Introduction 340 (18-1)......Page 0340
--- for thermoplastic polymers, 342 (18-3)......Page 0342
nanopore generation, 344 (18-5)......Page 0344
18.4 Controlling Ordering and Assembly Processes by Nanoimprint Lithography 346 (18-7)......Page 0346
--- 353 (18-14)......Page 0353
19.1 Introduction 358 (19-1)......Page 0358
19.2 Photoresist Technology 360 (19-3)......Page 0360
--- 193a•›nm immersion lithography, 365 (19-8)......Page 0365
--- ultimate resolution limits, 371 (19-14)......Page 0371
--- cost of ownership, 374 (19-17)......Page 0374
--- double exposure method, 381 (19-24) thru......Page 0381
--- 384 (19-27)......Page 0384
References 385 (19-28)......Page 0385
Multilayer (ML) reflective coating, 394 (20-1),......Page 0394
--- normal-incidence reflective optics, 395 (20-2)......Page 0395
--- interferometer (PS/PDI), 398 (20-5)......Page 0398
--- intermediate focus, definition, 402 (20-9)......Page 0402
--- thru 407 (20-14)......Page 0407
References 409 (20-16)......Page 0409
--- semiconductor quantum wires, 414 (21-1)......Page 0414
--- recombination process, 415 (21-2)......Page 0415
--- scanning electron microscopy (SEM), 418 (21-5)......Page 0418
21.4 Quantum Structures 421 (21-8)......Page 0421
--- (MOCVPE) technique, 428 (21-15)......Page 0428
--- emission peak, 437 (21-24)......Page 0437
--- semiconductor nanoparticles, 440 (22-1)......Page 0440
Si/SiO2 substrate, 441 (22-2)......Page 0441
Stark effect, 443 (22-4)......Page 0443
--- Au nanoparticles, 445 (22-6)......Page 0445
--- 446 (22-7)......Page 0446
--- Wannier–Mott excitons, 450 (23-1)......Page 0450
--- nonlinear optical properties, 454 (23-5) thru......Page 0454
--- CdSe, 455 (23-6)......Page 0455
--- thru 457 (23-8)......Page 0457
--- electronic shells, 458 (24-1)......Page 0458
--- spectroscopic techniques, 459 (24-2)......Page 0459
--- 469 (24-12)......Page 0469
Acknowledgments 478 (24-21)......Page 0478
References 479 (24-22)......Page 0479
--- SiO2, 484 (25-1)......Page 0484
silicon nanocrystals (SiNCs), 486 (25-3) thru......Page 0486
--- luminescence bands, 490 (25-7)......Page 0490
and Nonradiative Processes 498 (25-15)......Page 0498
--- core nanocrystal, 505 (25-22)......Page 0505
planar interface, 510 (26-1)......Page 0510
polarization-dependent effects, 522 (26-13)......Page 0522
--- 526 (26-17)......Page 0526
References 527 (26-18)......Page 0527
--- hyperpolarizability tensor, 530 (27-1)......Page 0530
--- second-order nonlinear polarization, 531 (27-2)......Page 0531
--- semiconducting cluster, 534 (27-5)......Page 0534
--- 541 (27-12)......Page 0541
--- lightning rod effects, 544 (28-1)......Page 0544
28.2 Nonlinear Optics and Second Harmonic Generation 545 (28-2)......Page 0545
--- plane-wave illumination, 546 (28-3)......Page 0546
--- 548 (28-5)......Page 0548
28.5 Emission Patterns and Light Polarization 551 (28-8)......Page 0551
SH electric field polarization, 552 (28-9)......Page 0552
--- microscopy, 554 (28-11)......Page 0554
--- yield, 558 (28-15)......Page 0558
References 559 (28-16)......Page 0559
--- quantum field theory, 562 (29-1)......Page 0562
--- quantum dynamics, 563 (29-2)......Page 0563
spatial Fourier spectrum, 567 (29-6)......Page 0567
--- 572 (29-11)......Page 0572
spacial decoupling scheme, 577 (29-16)......Page 0577
--- exciton polarization, 580 (29-19)......Page 0580
--- optical process, 582 (30-1)......Page 0582
--- incident wave electric field, 584 (30-3)......Page 0584
--- angular distribution, 590 (30-9)......Page 0590
--- photomultiplier, 592 (30-11)......Page 0592
--- scattered light intensity, 593 (30-12)......Page 0593
References 594 (30-13)......Page 0594
31.3 Engineering of Iridescent Devices 596 (31-1)......Page 0596
--- 2D christmas tree structure, 598 (31-3) thru......Page 0598
--- photoluminescence (PL) emission, 600 (31-5)......Page 0600
Silica deposition vesicle (SDV), 602 (31-7)......Page 0602
--- eukaryote cell, 603 (31-8)......Page 0603
--- quantum electrodynamics (QED), 608 (32-1)......Page 0608
--- virtual cloud effects, 609 (32-2)......Page 0609
--- quantization procedure, 612 (32-5)......Page 0612
--- 624 (32-17)......Page 0624
33.1 Introduction 626 (33-1)......Page 0626
--- schematic representation, 627 (33-2)......Page 0627
symmetric and antisymmetric states, 633 (33-8)......Page 0633
References 638 (33-13)......Page 0638
34.2 System Architectures Based on Optical Excitation Transfer 640 (34-1)......Page 0640
--- physical and functional, 645 (34-6) thru......Page 0645
References 651 (34-12)......Page 0651
--- excitation energy transfer, 654 (35-1) thru......Page 0654
--- 656 (35-3)......Page 0656
--- photodissociation, 660 (35-7)......Page 0660
35.5 Summary 664 (35-11)......Page 0664
References 665 (35-12)......Page 0665
36.2 Nanophotonic Devices Based on Quantum Dots 668 (36-1)......Page 0668
Near-field photoluminescence (NFPL), 674 (36-7)......Page 0674
--- input laser llumination, 678 (36-11)......Page 0678
Siliconize photonics, 680 (37-1)......Page 0680
--- spectral filtering, 681 (37-2)......Page 0681
--- advantages, 683 (37-4)......Page 0683
--- 686 (37-7)......Page 0686
Substrate radiation mode, 688 (37-9)......Page 0688
--- substrate modes, 691 (37-12)......Page 0691
--- optical couplers, 693 (37-14)......Page 0693
38.1 Introduction 696 (38-1)......Page 0696
Using Bacteriorhodopsin (Basic Processes, Constructions, Technology) 697 (38-2)......Page 0697
--- 705 (38-10)......Page 0705
--- spectral characteristics, 712 (38-17)......Page 0712
39.1 Introduction: Properties of Laser Radiation 716 (39-1)......Page 0716
--- (VCSEL), 717 (39-2)......Page 0717
39.4 Rate Equation Approach 719 (39-4)......Page 0719
--- definition, 720 (39-5)......Page 0720
--- surface plasmon mode confinement, 723 (39-8)......Page 0723
Photonic crystal lasers, 725 (39-10)......Page 0725
Random lasers, 726 (39-11)......Page 0726
Ultrahigh data storage, 727 (39-12)......Page 0727
40.1 Introduction 730 (40-1)......Page 0730
Three-dimensional carrier confinement, 733 (40-4),......Page 0733
--- 734 (40-5)......Page 0734
--- 739 (40-10)......Page 0739
--- rate equations description, 742 (40-13) thru......Page 0742
--- thru 745 (40-16)......Page 0745
41.1 Introduction 748 (41-1)......Page 0748
Time-bandwidth product (TBWP), 749 (41-2)......Page 0749
41.3 Quantum Dots: Distinctive Advantages for Ultrafast Diode Lasers 752 (41-5)......Page 0752
--- temperature sensitivity, 755 (41-8)......Page 0755
References 757 (41-10)......Page 0757
Index 760 (Index-1)......Page 0760
--- field emission micrograph, 299 (16-2)......Page 0299
33-9) thru 635 (33-10)......Page 635
33-10) thru 636 (33-11)......Page 636
--- 154......Page 154
7-3) thru 155 (7-4)......Page 155
--- scanning probe techniques, 140 (6-11) thru......Page 0140
--- 141......Page 141
--- photolithography, 663......Page 663
--- atomic-scale TCAD, 248......Page 248
12-11) thru 249 (12-12)......Page 249
--- photocycle, 696......Page 696
38-1) thru 697 (38-2)......Page 697
--- activation function realization, 700 (38-5)......Page 0700
--- interaction, 698 (38-3)......Page 0698
38-2) thru 698 (38-3)......Page 698
--- 699 (38-4)......Page 0699
--- realization, 699......Page 699
--- cyclicity processes, 700......Page 700
--- thru 706 (38-11)......Page 0706
--- functional characteristics, 707 (38-12) thru......Page 0707
--- gold nanoparticles spectrum, 709 (38-14)......Page 0709
--- schematic composition, 708 (38-13)......Page 0708
--- 702......Page 702
38-7) thru 703 (38-8)......Page 703
38-5) thru 701 (38-6)......Page 701
--- light fluxes formation, 701 (38-6)......Page 0701
--- multilayered constructions, 702 (38-7)......Page 0702
--- 704 (38-9)......Page 0704
--- suspension preparation, 703 (38-8)......Page 0703
--- electron in constant magnetic field, 195 (9-6)......Page 0195
--- path integrals, 195......Page 195
Incoherent Zener tunneling, 196......Page 196
--- 200......Page 200
9-11) thru 201 (9-12)......Page 201
18-5) thru 345 (18-6)......Page 345
18-6) thru 346 (18-7)......Page 346
--- optical reflector types, 596......Page 596
--- cell culture, 598......Page 598
--- photonic device, 600......Page 600
31-5) thru 601 (31-6)......Page 601
31-6) thru 602 (31-7)......Page 602
--- thru 601 (31-6)......Page 0601
--- 599 (31-4)......Page 0599
31-1) thru 597 (31-2)......Page 597
31-2) thru 599 (31-4)......Page 599
--- photonic crystal, 597 (31-2)......Page 0597
Bose–Einstein distribution function, 211 (10-8)......Page 0211
Two-level amplifying system (TLS)., 724 (39-9)......Page 0724
--- Bragg mirrors, 718 (39-3)......Page 0718
Bragg MOKE technique, 99......Page 99
Noncircular rings, 100......Page 100
--- 86 (3-17)......Page 0086
10-4) thru 208 (10-5)......Page 208
10-5) thru 209 (10-6)......Page 209
Cantor’s middle-excluded set, 330 (17-13) thru......Page 0330
Depletion capacitance, 56......Page 56
2-13) thru 57 (2-14)......Page 57
--- p–n junction, 55 (2-12)......Page 0055
Schottky contact, 54......Page 54
2-11) thru 55 (2-12)......Page 55
--- width of, 56 (2-13)......Page 0056
--- band structure, 72 (3-3)......Page 0072
charge-storage stability, 74......Page 74
control, 75......Page 75
controlling storage nodes, 75 (3-6) thru......Page 0075
--- two-terminal memory devices, 76 (3-7) thru......Page 0076
Fuhrer’s device, 73 (3-4)......Page 0073
Radosavljevic’s device, 74 (3-5)......Page 0074
3-14) thru 85 (3-16)......Page 85
3-16) thru 86 (3-17)......Page 86
3-11) thru 81 (3-12)......Page 81
--- 82......Page 82
--- thru 83 (3-14)......Page 0083
Nanorelays, 80......Page 80
--- 79......Page 79
--- linear bearing nanoswitch, 83......Page 83
12-5) thru 243 (12-6)......Page 243
12-6) thru 244 (12-7)......Page 244
--- experimental realizations, 157......Page 157
--- nanotube quantum dot, 158......Page 158
7-7) thru 160 (7-9)......Page 160
--- 161......Page 161
CNT superconducting transistor, 158 (7-7)......Page 0158
--- thru 159 (7-8)......Page 0159
--- gate dependence, 159......Page 159
--- quantum-kinetic equation, 736 (40-7)......Page 0736
--- carrier–carrier interaction, 735 (40-6) thru......Page 0735
--- screening effects, 736......Page 736
--- 737......Page 737
--- ON- to OFF-state, 632 (33-7)......Page 0632
40-8) thru 738 (40-9)......Page 738
Dyson equation, 738 (40-9)......Page 0738
--- resolution factors, 416 (21-3)......Page 0416
--- Bell Laboratory misconduct, 277 (15-2) thru......Page 0277
--- 278 (15-3)......Page 0278
15-18) thru 294 (15-19)......Page 294
15-19) thru 295 (15-20)......Page 295
15-17) thru 293 (15-18)......Page 293
--- operation principles, 278......Page 278
15-3) thru 279 (15-4)......Page 279
--- charge trap memories, 49......Page 49
2-6) thru 50 (2-7)......Page 50
EUV resists, 405 (20-12)......Page 0405
--- classical Faraday effect, 34 (1-13)......Page 0034
3-6) thru 76 (3-7)......Page 76
--- self-energy parts expression, 206 (10-3)......Page 0206
--- through a carbon chain, 207 (10-4)......Page 0207
--- satellite resonance, 199 (9-10)......Page 0199
--- state, 198 (9-9)......Page 0198
--- 181 (8-10)......Page 0181
--- exchange field computation, 180 (8-9)......Page 0180
--- vs. FE method, 179 (8-8)......Page 0179
Stratonovich interpretation, 182 (8-11)......Page 0182
--- and giant magnetoresistance, 183 (8-12) thru......Page 0183
8-6) thru 178 (8-7)......Page 178
8-7) thru 179 (8-8)......Page 179
--- magnetoresistance, 183......Page 183
8-12) thru 186 (8-15)......Page 186
--- 184......Page 184
--- dipolar approximation, 467 (24-10) thru......Page 0467
--- thru 468 (24-11)......Page 0468
24-7) thru 465......Page 465
24-8) thru 466 (24-9)......Page 466
--- dielectric function, 463 (24-6)......Page 0463
24-2), 463 (24-6)......Page 463
--- quasi-static approximation/dipolar, 462 (24-5)......Page 0462
--- 461......Page 461
24-4) thru 462 (24-5)......Page 462
--- etching, 332......Page 332
--- directional processes, 334......Page 334
Gas evaporation method, 280 (15-5)......Page 0280
--- 347 (18-8)......Page 0347
--- full confinement factor, 350......Page 350
18-11) thru 353 (18-14)......Page 353
--- partial confinement factor, 348 (18-9) thru......Page 0348
--- 350 (18-11)......Page 0350
16-4) thru 302 (16-5)......Page 302
--- quasiparticle poisoning, 303......Page 303
calculation, 303 (16-6)......Page 0303
--- uncertainty principle at work, 302 (16-5)......Page 0302
16-3) thru 301 (16-4)......Page 301
--- in ramped current measurement, 308 (16-11)......Page 0308
--- thru 309 (16-12)......Page 0309
--- 310 (16-13)......Page 0310
16-7) thru 306 (16-9)......Page 306
--- 301 (16-4)......Page 0301
--- I–V curve, 299......Page 299
--- RCSJ model, 300......Page 300
--- operation beyond 1a•›GHz, 311 (16-14) thru......Page 0311
--- quasiparticle poisoning, 312 (16-15)......Page 0312
Crossbar process, 319......Page 319
--- imprint lithography (IL), 320......Page 320
--- quasiparticle poisoning, 308......Page 308
16-11) thru 309 (16-12)......Page 309
32-11) thru 619 (32-12)......Page 619
--- 620......Page 620
--- 623 (32-16)......Page 0623
Rate window method, 58......Page 58
2-15) thru 59 (2-16)......Page 59
numerical aperture, 368 (19-11)......Page 0368
--- depth of focus (DOF), 366......Page 366
19-9) thru 367 (19-10)......Page 367
--- double patterning, 370......Page 370
--- resolution, 371......Page 371
--- plot of critical feature size, 367 (19-10)......Page 0367
--- thru 369 (19-12)......Page 0369
Optical-projection lithography system, 366 (19-9)......Page 0366
--- dipole nanolaser, 724......Page 724
Scattering lasers, 725......Page 725
20-8) thru 402 (20-9)......Page 402
--- blanks, 403......Page 403
--- dissipated optical energy transfer, 669 (36-2)......Page 0669
dynamic property of, 670 (36-3)......Page 0670
36-2) thru 670 (36-3)......Page 670
--- 671......Page 671
--- time-resolved PL intensity, 672......Page 672
--- thru 671 (36-4)......Page 0671
36-1) thru 669 (36-2)......Page 669
Liouville equation, 628 (33-3)......Page 0628
nanophotonic switch, 630......Page 630
--- exciton population, 631......Page 631
--- exciton dynamics, 628......Page 628
--- coupling strength, 629......Page 629
--- resonant coupling, 629 (33-4)......Page 0629
--- switching operation, 631 (33-6)......Page 0631
33-4) thru 632 (33-7)......Page 632
--- 633......Page 633
33-12) thru 638 (33-13)......Page 638
--- through large DNA molecules, 213 (10-10)......Page 0213
10-8) thru 212 (10-9)......Page 212
10-9) thru 213 (10-10)......Page 213
Micromagnetic theory, 173 (8-2)......Page 0173
--- 226 (11-3)......Page 0226
19-23) thru 381 (19-24)......Page 381
19-24) thru 382 (19-25)......Page 382
polarization ratio, 513 (26-4)......Page 0513
24-2) thru 460 (24-3)......Page 460
--- schematic band structure, 46 (2-3)......Page 0046
--- planar cell layout, 45......Page 45
2-2) thru 46 (2-3)......Page 46
--- microcavity lasers, 732......Page 732
40-3) thru 733 (40-4)......Page 733
--- types, 731 (40-2)......Page 0731
--- 615 (32-8)......Page 0615
--- 617 (32-10)......Page 0617
--- exciton polariton, 616 (32-9)......Page 0616
--- intermolecular interactions, 613 (32-6)......Page 0613
Relevant nanometric subsystem, 614 (32-7) thru......Page 0614
--- Yukawa functions, 618 (32-11)......Page 0618
19-15) thru 373 (19-16)......Page 373
19-16) thru 374 (19-17)......Page 374
--- throughput, 372......Page 372
Electron–phonon interactions, 205......Page 205
10-2), 210 (10-7),......Page 210
--- quantifying EPR entanglement, 37 (1-16)......Page 0037
--- (LBNL), 396 (20-3)......Page 0396
Excitation energy transfer, 654......Page 654
35-1) thru 656 (35-3)......Page 656
--- T-matrix method, 583 (30-2)......Page 0583
Power spectral density (PSD), 397 (20-4)......Page 0397
Laser-produced plasma EUV source, 403 (20-10)......Page 0403
--- unit cell, 401......Page 401
--- 2008......Page 2008
--- defectivity, 404......Page 404
20-11) thru 405 (20-12)......Page 405
--- optics and mask contamination, 406 (20-13)......Page 0406
--- ASML, 398......Page 398
--- CAD model, 399......Page 399
--- interference lithography, 400......Page 400
--- 400 (20-7)......Page 0400
--- six-mirror imaging system, 399 (20-6)......Page 0399
--- immersion lithography, 408 (20-15)......Page 0408
--- 396......Page 396
20-3) thru 397 (20-4)......Page 397
--- projection optics, 395......Page 395
--- Rayleigh equation, 407......Page 407
20-14) thru 408 (20-15)......Page 408
--- feedback-controlled nanocantilevers, 81 (3-12)......Page 0081
--- vertically aligned carbon nanotubes, 82 (3-13)......Page 0082
van Roosbroeck thru Shockly relation, 419 (21-6)......Page 0419
--- thermodynamic theory, 132 (6-3)......Page 0132
--- FeRAM, 47......Page 47
Phase-change RAM (PCRAM), 48......Page 48
4-1) thru 93 (4-2)......Page 93
--- micromagnetic simulations, 94......Page 94
--- thru 99 (4-8)......Page 0099
Ferromagnetic rings, 100 (4-9)......Page 0100
--- 98 (4-7)......Page 0098
4-9) thru 101 (4-10)......Page 101
4-10) thru 102 (4-11)......Page 102
ferromagnetism, 92......Page 92
van den Berg’s ferromagnetic islands, 94 (4-3)......Page 0094
--- honeycomb structure, 104 (4-13)......Page 0104
--- 103 (4-12)......Page 0103
--- spin ice state, 102 (4-11)......Page 0102
--- Py dipole arrays, 103......Page 103
4-12) thru 104 (4-13)......Page 104
4-3) thru 96 (4-5)......Page 96
Rectangular and elliptical islands, 97 (4-6) thru......Page 0097
Fick’s first law, 226......Page 226
11-3) thru 227 (11-4)......Page 227
--- 658 (35-5)......Page 0658
Floating nano-dots, 109 (5-2)......Page 0109
--- fractals in nature, 329......Page 329
--- SnPT?, 330......Page 330
17-13) thru 331 (17-14)......Page 331
10-11) thru 216 (10-13)......Page 216
10-13) thru 218 (10-15)......Page 218
--- 280......Page 280
--- C60, 285......Page 285
15-10) thru 286 (15-11)......Page 286
15-5) thru 282 (15-7)......Page 282
--- solid crystals, 276......Page 276
15-1) thru 277 (15-2)......Page 277
--- photoluminescence spectrum, 283 (15-8)......Page 0283
--- third nonlinear susceptibility, 284 (15-9)......Page 0284
7-15) thru 168 (7-17)......Page 168
7-17) thru 169 (7-18)......Page 169
--- sapphire substrate, 661 (35-8)......Page 0661
magnetic multilayers, 256......Page 256
7-14) thru 166 (7-15)......Page 166
1-8) thru 30 (1-9)......Page 30
1-9) thru 33 (1-12)......Page 33
positive and negative tone resist, 361 (19-4)......Page 0361
--- Hamiltonian model, 618......Page 618
--- Helmholtz equation, 611 (32-4)......Page 0611
--- memory retrieval, 646......Page 646
--- unscalable design, 647......Page 647
--- 709......Page 709
--- nanoparticles, 710......Page 710
--- bridge molecules, 710 (38-15)......Page 0710
38-15) thru 711 (38-16)......Page 711
--- electron and hole states, 52 (2-9)......Page 0052
--- fabrication, 51 (2-8)......Page 0051
2-7) thru 51 (2-8)......Page 51
--- DUV lithography, 368......Page 368
19-11) thru 369 (19-12)......Page 369
17-3) thru 321 (17-4)......Page 321
9-7) thru 197 (9-8)......Page 197
--- curves, 207......Page 207
--- polaron effects, 214......Page 214
--- polaronic shift, 210 (10-7)......Page 0210
--- 211......Page 211
--- in InGaAs/GaAs QD, 60 (2-17)......Page 0060
--- thru 61 (2-18)......Page 0061
--- 63 (2-20)......Page 0063
--- optical gain calculations, 740 (40-11) thru......Page 0740
Kohn–Sham equation, 464 (24-7)......Page 0464
--- plasmon angular frequency, 465 (24-8)......Page 0465
1-4) thru 27 (1-6)......Page 27
--- 28......Page 28
--- Josephson effect, 153......Page 153
--- Taylor expansion, 533 (27-4)......Page 0533
--- LLGS equation, 177 (8-6)......Page 0177
--- microscopic generalization, 743 (40-14) thru......Page 0743
--- photon statistics modifications, 744 (40-15)......Page 0744
--- lift-off technique, 136 (6-7)......Page 0136
1-7) thru 29 (1-8)......Page 29
--- thru 29 (1-8)......Page 0029
Low-dimensional sp2 carbon structures, 155 (7-4)......Page 0155
--- thru 156 (7-5)......Page 0156
--- (LECBD), 470 (24-13)......Page 0470
Magnetically ordered materials, 172......Page 172
8-1) thru 173 (8-2)......Page 173
--- three well model, 227 (11-4)......Page 0227
--- 228......Page 228
11-5) thru 229 (11-6)......Page 229
--- self-assemble, 228 (11-5)......Page 0228
Magnetocrystalline anisotropy, 95 (4-4)......Page 0095
Tunnel magnetoresistance (TMR) effect, 48 (2-5)......Page 0048
--- 404 (20-11)......Page 0404
Maxwell–Garnett theory, 471 (24-14)......Page 0471
--- nonlinear polarization, 517 (26-8)......Page 0517
--- SHG angular distribution, 519 (26-10)......Page 0519
--- Gaussian properties, 520 (26-11)......Page 0520
--- radiation pattern, 518 (26-9)......Page 0518
--- 516 (26-7)......Page 0516
24-14) thru 472 (24-15)......Page 472
--- SPR, 473......Page 473
--- discrete dipole approximation, 476 (24-19)......Page 0476
Monte Carlo simulation, 477 (24-20)......Page 0477
--- spectra, 477......Page 477
24-20) thru 478 (24-21)......Page 478
--- resonance, 459......Page 459
--- plasma frequency, 460 (24-3)......Page 0460
--- Kramers–Kronig relationship, 461 (24-4)......Page 0461
24-10), 469 (24-12)......Page 469
--- physical methods, 470......Page 470
--- optical spectroscopy, 471......Page 471
--- silver clusters, 474 (24-17)......Page 0474
--- TDLDA, 475 (24-18)......Page 0475
24-16) thru 474 (24-17)......Page 474
--- boundary conditions for potential, 111 (5-4)......Page 0111
--- polarization influence, 113......Page 113
5-6) thru 114 (5-7)......Page 114
--- vs. classical approximation, 114 (5-7) thru......Page 0114
--- method of images, 111......Page 111
5-4) thru 112 (5-5)......Page 112
--- 112 (5-5)......Page 0112
--- potential, 113 (5-6)......Page 0113
Thermionic emission (TE) theory, 253 (13-2)......Page 0253
MS contacts, 252......Page 252
13-1) thru 253 (13-2)......Page 253
13-3) thru 255 (13-4)......Page 255
13-5) thru 257 (13-6)......Page 257
--- organic semiconductor as top layer, 257 (13-6)......Page 0257
--- J–V characteristic, 254......Page 254
--- 553 (28-10)......Page 0553
28-7) thru 551 (28-8)......Page 551
28-8) thru 552 (28-9)......Page 552
28-3) thru 548 (28-5)......Page 548
28-2) thru 546 (28-3)......Page 546
--- nonlinear optics, 545......Page 545
--- (VCSELs), 732 (40-3)......Page 0732
24-6), 467......Page 467
--- dimensionality role, 752......Page 752
41-7) thru 755 (41-8)......Page 755
--- temperature resilience, 756 (41-9)......Page 0756
physics and devices, 750 (41-3)......Page 0750
--- requirements, 750......Page 750
Self-phase modulation (SPM), 751......Page 751
--- MBE, 134......Page 134
Sputter deposition, 135......Page 135
--- nanostructures, 233......Page 233
11-10) thru 234 (11-11)......Page 234
--- 230 (11-7)......Page 0230
11-6) thru 230 (11-7)......Page 230
11-7) thru 231 (11-8)......Page 231
--- Si template, SEM image, 232 (11-9)......Page 0232
--- Rabi oscillation, 192 (9-3)......Page 0192
--- generalized master equation, 193 (9-4)......Page 0193
Rabi oscillation, 192......Page 192
9-3) thru 193 (9-4)......Page 193
12-8) thru 246 (12-9)......Page 246
--- Moore’s law, 238......Page 238
--- 239......Page 239
Tunneling magnetoresistance (TMR), 147 (6-18)......Page 0147
--- polymeric film property, 704......Page 704
38-9) thru 705 (38-10)......Page 705
--- bodies and surfaces, 332 (17-15)......Page 0332
--- concrete technology, 335......Page 335
17-4) thru 322 (17-5)......Page 322
17-5) thru 324 (17-7)......Page 324
17-9) thru 327 (17-10)......Page 327
--- crossbar comparison, 328......Page 328
17-18) thru 336 (17-19)......Page 336
multiplicative route—SnPT?, 325 (17-8) thru......Page 0325
--- three-terminal molecules, 326 (17-9) thru......Page 0326
Spacer patterning technique (SPT), 321 (17-4) thru......Page 0321
nonvolatile random access memory, 79 (3-10)......Page 0079
--- thru 80 (3-11)......Page 0080
--- scatterometry measurements, 383 (19-26)......Page 0383
Spacer double patterning method, 382 (19-25)......Page 0382
--- thru 379 (19-22)......Page 0379
UV NIL, 376 (19-19)......Page 0376
--- template fabrication and availability, 378 (19-21)......Page 0378
--- overlay accuracy and control, 380 (19-23)......Page 0380
--- residual layer control, 379......Page 379
--- technology examples, 380......Page 380
--- 378......Page 378
Thermal NIL, 375......Page 375
19-18) thru 376 (19-19)......Page 376
19-19) thru 377 (19-20)......Page 377
--- base quencher additives, 363 (19-6) thru......Page 0363
--- residual swelling fraction, 364 (19-7)......Page 0364
--- resist materials, 361......Page 361
19-4) thru 362 (19-5)......Page 362
19-5) thru 363 (19-6)......Page 363
--- inverse Fourier transform, 585 (30-4)......Page 0585
--- 586 (30-5)......Page 0586
normal modes, 587 (30-6)......Page 0587
--- 591 (30-10)......Page 0591
30-6) thru 589 (30-8)......Page 589
--- angle, 590......Page 590
--- scattered field calculation, 587......Page 587
30-9) thru 591 (30-10)......Page 591
--- cavity fill process, 343......Page 343
--- optical grating creation, 344......Page 344
--- antireflective structure creation, 345 (18-6)......Page 0345
--- resolution limit, 343 (18-4)......Page 0343
--- laser radiation property, 716......Page 716
--- in-plane laser, 717......Page 717
--- schematic representation, 720......Page 720
--- plasmonic lasers, 723......Page 723
39-2) thru 719 (39-4)......Page 719
39-10) thru 726 (39-11)......Page 726
21-7) thru 421 (21-8)......Page 421
--- quantum well, 422......Page 422
--- luminescence spectra, 440......Page 440
22-1) thru 441 (22-2)......Page 441
--- 414......Page 414
21-1) thru 415 (21-2)......Page 415
21-9) thru 423 (21-10)......Page 423
--- electron wavefunction, 423 (21-10)......Page 0423
--- polarization anisotropy, 424 (21-11)......Page 0424
--- 426 (21-13)......Page 0426
--- optical absorption, 427 (21-14)......Page 0427
--- transition matrix element, 425 (21-12) thru......Page 0425
--- light emission theory, 419......Page 419
--- polarization, 420......Page 420
6-8) thru 139 (6-10)......Page 139
6-10) thru 140 (6-11)......Page 140
--- XRD, 137......Page 137
Pulsed laser deposition (PLD), 135 (6-6)......Page 0135
6-6) thru 136 (6-7)......Page 136
--- Josephson junctions, 147......Page 147
6-18) thru 148 (6-19)......Page 148
6-14) thru 144 (6-15)......Page 144
6-15) thru 145 (6-16)......Page 145
--- strain effect, 143......Page 143
--- “Research triangle,” 130 ......Page 130
6-1) thru 1131 (6-2)......Page 131
22-3) thru 443 (22-4)......Page 443
--- decay times, 444......Page 444
--- unique exciton energy transfer, 444 (22-5)......Page 0444
22-4) thru 445 (22-6)......Page 445
--- 636 (33-11)......Page 0636
--- 637 (33-12)......Page 0637
nutation frequency evaluation, 677 (36-10)......Page 0677
--- 675 (36-8)......Page 0675
--- schematic depict, SQW, 676 (36-9)......Page 0676
--- structures, 674......Page 674
36-7) thru 675 (36-8)......Page 675
--- switching operation, 677......Page 677
36-7) thru 678 (36-11)......Page 678
--- dots, 627......Page 627
nanophotonic AND gate, 657 (35-4) thru......Page 0657
nanophotonic NOT gate, 658......Page 658
Optical nanofountain, 659......Page 659
--- photonic devices interconnection, 659 (35-6)......Page 0659
--- energy diagram, 673 (36-6)......Page 0673
--- discrete energy levels, 668......Page 668
--- AND and XOR logic gates, 635 (33-10) thru......Page 0635
--- 637......Page 637
--- thru 634 (33-9)......Page 0634
selective energy transfer, 634......Page 634
35-10) thru 664 (35-11)......Page 664
34-7) thru 648 (34-9)......Page 648
--- 646 (34-7)......Page 0646
Optical near-field (ONF), 649......Page 649
--- 643 (34-4)......Page 0643
--- 644 (34-5)......Page 0644
--- memory-based architecture, 642 (34-3) thru......Page 0642
--- secure signal transfer, 644......Page 644
34-5) thru 645 (34-6)......Page 645
34-10) thru 651 (34-12)......Page 651
--- TE–TM splitting, 690 (37-11)......Page 0690
--- Fresnel formulae, 689 (37-10)......Page 0689
37-7) thru 687 (37-8)......Page 687
37-8) thru 688 (37-9)......Page 688
37-5) thru 686 (37-7)......Page 686
--- prism coupling, 687 (37-8)......Page 0687
--- pump-and-probe (PP) method, 684 (37-5),......Page 0684
--- 683......Page 683
--- 684......Page 684
--- 685 (37-6)......Page 0685
37-5) thru 685 (37-6)......Page 685
--- light amplification, 691......Page 691
37-12) thru 692 (37-13)......Page 692
--- PL spectra, 692 (37-13)......Page 0692
--- SiO2 film, 682 (37-3)......Page 0682
Plasmonic waveguides, 680......Page 680
37-1) thru 681 (37-2)......Page 681
--- density of states, 451......Page 451
23-2) thru 452 (23-3)......Page 452
--- 453 (23-4)......Page 0453
nanostructure, 451 (23-2)......Page 0451
--- 453......Page 453
23-4) thru 454 (23-5)......Page 454
--- spatial electron confinement, 452 (23-3) thru......Page 0452
--- exchange interactions, 175 (8-4)......Page 0175
--- external bias field, 176 (8-5)......Page 0176
8-4) thru 176 (8-5)......Page 176
--- spin-transfer torque effects, 177......Page 177
1-1), 174......Page 174
--- magnetostatic interactions, 175......Page 175
--- magnetometry applications, 164......Page 164
--- 165......Page 165
--- 165 (7-14)......Page 0165
7-10) thru 162 (7-11)......Page 162
7-11) thru 163 (7-12)......Page 163
--- basic properties, 721 (39-6)......Page 0721
39-5) thru 721 (39-6)......Page 721
39-6) thru 722 (39-7)......Page 722
15-5) thru 281 (15-6)......Page 281
--- growth time dependence, 672 (36-5)......Page 0672
36-5) thru 673 (36-6)......Page 673
--- photon flux relationship, 662 (35-9)......Page 0662
35-6) thru 660 (35-7)......Page 660
35-7) thru 661 (35-8)......Page 661
Nonadiabatic photolithography, 663 (35-10)......Page 0663
--- 540 (27-11)......Page 0540
--- method, 538 (27-9)......Page 0538
--- lithium tetramer, 539 (27-10)......Page 0539
--- excitation frequency, 540......Page 540
27-11) thru 541 (27-12)......Page 541
--- (GGA) technique, 535 (27-6)......Page 0535
27-5) thru 535 (27-6)......Page 535
27-6) thru 537 (27-8)......Page 537
--- mean dipole polarizability, 534......Page 534
--- 538......Page 538
27-9) thru 539 (27-10)......Page 539
Time-dependent Kohn–Sham equation, 532 (27-3)......Page 0532
thru 241 (12-4)......Page 0241
--- global summation, 641......Page 641
34-2) thru 642 (34-3)......Page 642
--- light–matter interactions, 641 (34-2)......Page 0641
32-5) thru 613 (32-6)......Page 613
--- 614......Page 614
22-6) thru 446 (22-7)......Page 446
--- thru 420 (21-7)......Page 0420
--- am-bipolar operations, 292......Page 292
--- 292 (15-17)......Page 0292
--- effects, 266......Page 266
--- sweep rate effect, 268......Page 268
Photolithography, 340......Page 340
18-1) thru 342 (18-3); see also......Page 342
--- energy-band diagram, 484......Page 484
25-1) thru 485 (25-2)......Page 485
--- surface-to-volume (STV) ratio, 485 (25-2) thru......Page 0485
--- relaxation process, 494 (25-11)......Page 0494
--- excitons, 491 (25-8)......Page 0491
25-6) thru 490 (25-7)......Page 490
25-7) thru 491 (25-8)......Page 491
--- PL decay time, 493 (25-10)......Page 0493
Thomas–Reiche–Kuhn sum rule, 496 (25-13)......Page 0496
spin-orbit interaction, 495 (25-12)......Page 0495
25-13) thru 497 (25-14)......Page 497
24-8), 498 (25-15)......Page 498
--- 496......Page 496
surface passivation, 492 (25-9)......Page 0492
--- radiative process, 497 (25-14)......Page 0497
--- synthesis, 486......Page 486
--- resonant coupling condition, 500 (25-17)......Page 0500
--- valence-ISL (VISL), 503 (25-20)......Page 0503
polaron formation mechanism, 501 (25-18)......Page 0501
polar optical phonon, 502 (25-19)......Page 0502
--- laser pyrolysis technique, 504 (25-21)......Page 0504
phonon dispersion relation, 499 (25-16)......Page 0499
--- spectra, 502......Page 502
--- Si–O vibration, 503......Page 503
25-15) thru 499 (25-16)......Page 499
25-16) thru 500 (25-17)......Page 500
25-20) thru 504 (25-21)......Page 504
--- Hamiltonian operator, 611......Page 611
--- virtual photon cloud, 612......Page 612
--- effective spatial wave function, 610 (32-3)......Page 0610
--- Davydov transformation, 619 (32-12) thru......Page 0619
32-13), 623 (32-16)......Page 623
32-7) thru 615 (32-8)......Page 615
--- thru 621 (32-14)......Page 0621
--- 622 (32-15)......Page 0622
--- quasiparticle and coherent state, 620 (32-13)......Page 0620
--- wave function definition, 609......Page 609
32-2) thru 610 (32-3)......Page 610
19-6) thru 364 (19-7)......Page 364
Piezoresponse force microscopy (PFM), 141 (6-12)......Page 0141
--- refractive index, 514 (26-5)......Page 0514
5-12) thru 120 (5-13)......Page 120
5-17) thru 125 (5-18)......Page 125
--- 520......Page 520
26-11) thru 522 (26-13)......Page 522
--- semiconductor nanostructures, 511 (26-2)......Page 0511
--- optical properties, 512 (26-3)......Page 0512
--- 516......Page 516
26-7) thru 517 (26-8)......Page 517
--- metal nanostructures, 513......Page 513
26-4) thru 514 (26-5)......Page 514
photoconductivity, 511......Page 511
26-2) thru 512 (26-3)......Page 512
--- longitudinal plasmon shift, 525 (26-16) thru......Page 0525
--- self-assembling, 524......Page 524
26-15) thru 525 (26-16)......Page 525
--- luminescence polarization ratio, 523 (26-14)......Page 0523
polarization antimemory, 524 (26-15)......Page 0524
Poynting vector, 515 (26-6)......Page 0515
--- in RWA, 25......Page 25
Quantum Faraday effect, 34......Page 34
--- description, 35......Page 35
--- Leuenberger’s scheme, 39 (1-18)......Page 0039
1-14) thru 36 (1-15)......Page 36
1-16) thru 39 (1-18)......Page 39
1-18) thru 41 (1-20)......Page 41
--- double-well potential, 32 (1-11)......Page 0032
--- 31 (1-10)......Page 0031
40-12) thru 742 (40-13)......Page 742
40-13) thru 743 (40-14)......Page 743
--- material systems, 730......Page 730
40-1) thru 731 (40-2)......Page 731
--- ?-factor, 741......Page 741
--- 741 (40-12)......Page 0741
--- optical susceptibility, 739......Page 739
40-10) thru 740 (40-11)......Page 740
--- carrier–phonon interaction, 737 (40-8) thru......Page 0737
--- hysteresis measurements, 65 (2-22)......Page 0065
--- write time measurements, 65......Page 65
2-22) thru 66 (2-23)......Page 66
Quantum teleportation, 37......Page 37
--- 304......Page 304
9-3), 577......Page 577
29-16) thru 580 (29-19)......Page 580
--- thru 27 (1-6)......Page 0027
--- 139 (6-10)......Page 0139
SHG selection rules, 550 (28-7)......Page 0550
--- retardation effects, 549 (28-6)......Page 0549
--- long-wavelength limit, 550......Page 550
--- resonant metal particles, 547 (28-4) thru......Page 0547
--- lithographed nanorods, 555 (28-12) thru......Page 0555
--- nonlinear optical behavior, 556 (28-13) thru......Page 0556
SHG efficiency, 557 (28-14)......Page 0557
28-12) thru 557 (28-14)......Page 557
28-14) thru 558 (28-15)......Page 558
SNOM, 554......Page 554
Second harmonic maps, 555......Page 555
--- barrier, 61......Page 61
storage time, 63......Page 63
2-20) thru 64 (2-21)......Page 64
--- FEM approach, 126......Page 126
5-19) thru 128 (5-21)......Page 128
39-2) thru 718 (39-3)......Page 718
--- excitation field possess, 574 (29-13)......Page 0574
S-matrix, 573 (29-12)......Page 0573
--- phase factor, 575 (29-14)......Page 0575
--- Pauli blocking spectrum, 576 (29-15)......Page 0576
--- 569 (29-8)......Page 0569
--- Helmholtz’s theorem, 568 (29-7)......Page 0568
--- rotating wave approximation, 570 (29-9)......Page 0570
--- thru 571 (29-10)......Page 0571
--- interband polarization, 579 (29-18)......Page 0579
--- integro-differential operator, 578 (29-17)......Page 0578
spatial field operators, 565 (29-4)......Page 0565
spin-orbit interaction, 566 (29-5)......Page 0566
Schrieffer?Wolff transformation, 564 (29-3)......Page 0564
--- imaging, 456 (23-7)......Page 0456
--- incident laser intensity, 455......Page 455
--- two-photon sensitizer, 456......Page 456
23-7) thru 457 (23-8)......Page 457
--- 487 (25-4)......Page 0487
--- (HAADF) detector, 489......Page 489
--- (TEM), 488 (25-5)......Page 0488
silicon/SiO2 serial sputtering, 489 (25-6)......Page 0489
--- vs. metallic approximation, 124 (5-17) thru......Page 0124
--- meshing optimization, 123 (5-16)......Page 0123
--- mesh algorithm, 122 (5-15)......Page 0122
--- vs. metallic approximation, 124......Page 124
--- Bob’s quantum dot, 40 (1-19)......Page 0040
--- Lorentzian function, 442 (22-3)......Page 0442
--- PL spectrum, 442......Page 442
--- 110......Page 110
--- quantization effects, 116......Page 116
--- multiple electrons, 119......Page 119
5-9) thru 117 (5-10)......Page 117
--- quantum dot with single electron, 117 (5-10)......Page 0117
second electron addition, 118 (5-11) thru......Page 0118
--- 119 (5-12)......Page 0119
--- 184 (8-13)......Page 0184
Spintronics, 22......Page 22
--- high-frequency irradiation, 160 (7-9) thru......Page 0160
7-4) thru 156 (7-5)......Page 156
--- magnetometry applications, 164 (7-13) thru......Page 0164
--- tunability of the phase shift, 162 (7-11) thru......Page 0162
--- 163 (7-12)......Page 0163
--- normal electron transport, 154 (7-3)......Page 0154
--- electrode CS, 271......Page 271
14-12) thru 272 (14-13)......Page 272
--- IDS–VG curves, 271 (14-12)......Page 0271
--- surface band bending, 272 (14-13)......Page 0272
14-9) thru 270 (14-11)......Page 270
Three-terminal molecules, 326......Page 326
--- (TD LDA), 464......Page 464
TMOS, schematic behavior, 108......Page 108
5-1) thru 109 (5-2)......Page 109
--- quantum effects, 242......Page 242
--- SET, 245......Page 245
12-2) thru 240 (12-3)......Page 240
--- process, 416......Page 416
21-3) thru 417 (21-4)......Page 417
--- Monte Carlo simulation, 417 (21-4)......Page 0417
--- 433 (21-20)......Page 0433
21-17) thru 431 (21-18)......Page 431
21-18) thru 432......Page 432
21-19), 434 (21-21)......Page 434
--- degree of polarization, 431 (21-18)......Page 0431
--- electron confinement energy, 429 (21-16)......Page 0429
--- CL spectra, 430......Page 430
--- phonon scattering process, 430 (21-17)......Page 0430
--- SEM image, 428......Page 428
21-15) thru 429 (21-16)......Page 429
--- fitting function, 435 (21-22)......Page 0435
--- wurtzite-type semiconductor, 434 (21-21)......Page 0434
--- polarization ratio, 436 (21-23)......Page 0436
--- smoke particles, 435......Page 435
21-22) thru 436 (21-23)......Page 436
--- broad gain bandwidth, 754 (41-7)......Page 0754
41-5) thru 753 (41-6)......Page 753
--- materials and growth, 753 (41-6)......Page 0753
ultrafast carrier dynamics, 754......Page 754
--- H-terminated Si (111) surfaces, 286 (15-11)......Page 0286
--- thru 289 (15-14)......Page 0289
--- thru 287 (15-12)......Page 0287
--- 262 (14-3)......Page 0262
--- nanowires, 264......Page 264
14-5) thru 265 (14-6)......Page 265
--- 264 (14-5)......Page 0264
--- measurements, 138 (6-9)......Page 0138
--- rf measurement setup, 310......Page 310
16-13) thru 311 (16-14)......Page 311
--- 266 (14-7)......Page 0266
--- FET, 262......Page 262
14-3) thru 263 (14-4)......Page 263
--- enhancement-mode, 270 (14-11)......Page 0270
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