ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Halbleiter und Phosphore / Semiconductors and Phosphors / Semiconducteurs et Phosphores: Vorträge des Internationalen Kolloquiums 1956 „Halbleiter und Phosphore“ in Garmisch-Partenkirchen / Proceedings of the International Colloquium 1956 „Semiconductors and Phosphors“ at Garmisch-Partenkirchen / Traités du Colloquium International 1956 „Semiconducteurs et Phosphores“ a Garmisch-Partenkirchen

دانلود کتاب نیمه هادی ها و فسفورها / نیمه هادی ها و فسفورها / نیمه هادی ها و فسفورها: سخنرانی های بین المللی Colloquium 1956 "نیمه هادی ها و فسفورها" در Garmisch-Partenkirchen / Procesings of the International Colloquium 1956 "نیمه هادی ها و فسفورس" در Garmisch et Phosphores "a Garmisch-Partenkirchen

Halbleiter und Phosphore / Semiconductors and Phosphors / Semiconducteurs et Phosphores: Vorträge des Internationalen Kolloquiums 1956 „Halbleiter und Phosphore“ in Garmisch-Partenkirchen / Proceedings of the International Colloquium 1956 „Semiconductors and Phosphors“ at Garmisch-Partenkirchen / Traités du Colloquium International 1956 „Semiconducteurs et Phosphores“ a Garmisch-Partenkirchen

مشخصات کتاب

Halbleiter und Phosphore / Semiconductors and Phosphors / Semiconducteurs et Phosphores: Vorträge des Internationalen Kolloquiums 1956 „Halbleiter und Phosphore“ in Garmisch-Partenkirchen / Proceedings of the International Colloquium 1956 „Semiconductors and Phosphors“ at Garmisch-Partenkirchen / Traités du Colloquium International 1956 „Semiconducteurs et Phosphores“ a Garmisch-Partenkirchen

ویرایش: 1 
نویسندگان: , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9783663006442, 9783663025573 
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag 
سال نشر: 1958 
تعداد صفحات: 696 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 28 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 46,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب نیمه هادی ها و فسفورها / نیمه هادی ها و فسفورها / نیمه هادی ها و فسفورها: سخنرانی های بین المللی Colloquium 1956 "نیمه هادی ها و فسفورها" در Garmisch-Partenkirchen / Procesings of the International Colloquium 1956 "نیمه هادی ها و فسفورس" در Garmisch et Phosphores "a Garmisch-Partenkirchen: نیمه هادی ها، علوم، عمومی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 4


در صورت تبدیل فایل کتاب Halbleiter und Phosphore / Semiconductors and Phosphors / Semiconducteurs et Phosphores: Vorträge des Internationalen Kolloquiums 1956 „Halbleiter und Phosphore“ in Garmisch-Partenkirchen / Proceedings of the International Colloquium 1956 „Semiconductors and Phosphors“ at Garmisch-Partenkirchen / Traités du Colloquium International 1956 „Semiconducteurs et Phosphores“ a Garmisch-Partenkirchen به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی ها و فسفورها / نیمه هادی ها و فسفورها / نیمه هادی ها و فسفورها: سخنرانی های بین المللی Colloquium 1956 "نیمه هادی ها و فسفورها" در Garmisch-Partenkirchen / Procesings of the International Colloquium 1956 "نیمه هادی ها و فسفورس" در Garmisch et Phosphores "a Garmisch-Partenkirchen نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب نیمه هادی ها و فسفورها / نیمه هادی ها و فسفورها / نیمه هادی ها و فسفورها: سخنرانی های بین المللی Colloquium 1956 "نیمه هادی ها و فسفورها" در Garmisch-Partenkirchen / Procesings of the International Colloquium 1956 "نیمه هادی ها و فسفورس" در Garmisch et Phosphores "a Garmisch-Partenkirchen



از 28 اوت تا 1 در 1 سپتامبر 1956، "کلوکیوم بین المللی در مورد نیمه هادی ها و فسفرها" در گارمیش-پارتنکیرشن تحت حمایت اتحادیه بین المللی فیزیک محض و کاربردی (I.U.P.A.P.) و با حمایت یونسکو و ایالت فدرال و باواریا برگزار شد. مسئولین. کولوکیوم توسط W. Gerlach، G. Joos، H. Maier-Leibnitz، M. Schön و H. Welker تهیه شده است. این کنفرانس پس از "کنفرانس بین المللی نیمه هادی ها 1954" در آمستردام دنبال شد. در حالی که مشکلات مربوط به حوزه فسفرهای رسانای نوری، که ارتباط نزدیکی با نیمه هادی ها دارند، قبلاً در چند مقاله مورد بررسی قرار گرفت، در گارمیش-پارتنکرخن این منطقه به صراحت در بحث مشترک گنجانده شد. موارد زیر به تفصیل مورد بررسی قرار گرفتند: رشد کریستال و نقص‌های ساختاری، ماهیت شیمیایی و نوع ترکیب اتم‌های خارجی در شبکه بلوری، پدیده‌های سطحی، حساسیت دیامغناطیس، قدرت ترموالکتریک و خواص الکتریکی مواد نیمه‌رسانا و فسفر. با این حجم، اکنون سخنرانی های کولوکیوم را به همتایان خود ارائه می کنیم. مشارکت‌هایی که فقط به‌عنوان مقالات پیش‌چاپ شده در اختیار شرکت‌کنندگان در کولوکیوم بود، اما به دلیل کمبود وقت امکان ارائه آن‌ها وجود نداشت، نیز شامل می‌شود. ما فکر می‌کردیم که باید از کوتاه کردن مشارکت‌ها خودداری کنیم، حتی اگر این بدان معنا باشد که دامنه گزارش کنفرانس از حد مورد نظر فراتر رفته است. ما باید از نویسندگان تشکر کنیم، به ویژه از ناشر که همیشه به درخواست‌های ما پاسخ می‌دهد و تولید و ارائه جلد یک دغدغه همیشگی برای او بود.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Vom 28. August bis l. September 1956 fand in Garmisch-Partenkirchen unter dem Patronat der Internationalen Union für reine und angewandte Physik (I.U.P.A.P.) und mit Unterstützung der UNESCO sowie der Bundes-und der Bayerischen Landesbehörden ein "Internationales Kolloquium über Halbleiter und Phosphore" statt. Das Kolloquium wurde vorbereitet von W. Gerlach, G. Joos, H. Maier-Leibnitz, M. Schön und H. Welker. Das Kolloquium schloß sich an die "International Conference on Semi­ conductors 1954" in Amsterdam an. Während dort bereits Probleme auch aus dem Bereich der den Halbleitern nahe verwandten photoleitenden Phosphore in einigen Beiträgen berührt wurden, wurde in Garmisch-Partenkirchen dieses Gebiet ausdrücklich in die gemeinsame Diskussion einbezogen. Besonders eingehend wurden behandelt: Kristallwachstum und Kristallbau­ fehler, chemische Natur und Art des Einbaus von Fremdatomen in das Kristallgitter, Oberflächenerscheinungen, diamagnetische Suszeptibilität, Ther­ mokraft und elektrische Eigenschaften sowohl von Halbleiter- als auch von Phosphorsubstanzen. Mit dem vorliegenden Band legen wir nun die Vorträge des Kolloquiums den Fachgenossen vor. Es sind auch die Beiträge aufgenommen, die den Teil­ nehmern an dem Kolloquium nur als Vordrucke verfügbar waren, über die aber aus Zeitmangel nicht vorgetragen werden konnte. Von einer Kürzung der Beiträge glaubten wir absehen zu sollen, wenn auch hierdurch der Umfang des Tagungsberichts über das vorgesehene Ausmaß angewachsen ist. Zu danken haben wir den Autoren, besonders aber dem Verlag, der jederzeit auf unsere Wünsche eingegangen ist und dem die Herstellung und Ausstattung des Bandes eine stete Sorge war.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-1
Growth and Defects of Semiconductor Crystals....Pages 2-16
The Incorporation of Foreign Atoms in Crystalline solids....Pages 17-34
Chemismus der Leuchtzentrenbildung in II-VI-Verbindungen....Pages 35-44
Some Statistical Problems in Semiconductors....Pages 45-62
Energiefragen beim Einbau von Fremdionen in Ionenkristalle....Pages 63-80
Methods for Determination of Distribution of Surface States in Ge and Si....Pages 81-97
Photo-Electro-Magnetic and Magnetic Barrier Layer Effects....Pages 98-112
Irradiation of Semiconductors....Pages 113-138
Beeinflussung von Leuchtstoffen durch energiereiche Strahlung....Pages 139-157
Magnetische Suszeptibilität von Halbleitern....Pages 158-177
Thermoelektrische und thermomagnetische Effekte in Halbleitern....Pages 178-183
The Role of Low-Frequency Phonons in Thermoelectricity and Thermal Conduction....Pages 184-235
The Effects of Elastic Strain on the Conductivity of Homopolar Semiconductors....Pages 236-246
Elektrolumineszenz von suspendierten Sulfidphosphoren....Pages 247-262
A Review of Non-Sulphide Phosphors....Pages 263-268
Investigation of Energy Transfer in Liquid Organic Systems....Pages 269-284
Der nicht-elektronische Energietransport in Phosphoren....Pages 285-305
Elektronen- und Ionenprozesse in Silberhalogenidkristallen....Pages 306-316
Zener-Effekt und Stoßionisation....Pages 317-328
Surface Effects on the Diffusion of Impurities in Semiconductors....Pages 329-337
Sur la Technique de Tirage des Monocristaux de Germanium n-p-n....Pages 338-343
Mesures en Fonction de la Température du Courant dans les Jonctions de Germanium n-p....Pages 344-355
Trap Concentrations in Germanium, their Determination from Lifetime Measurements and the Relation to a Practical Breakdown Voltage in p-n Junction Rectifiers....Pages 356-362
Der Einfluß von schnellen α -Teilchen auf die Eigenschaften von Silizium p-n-Photoelementen....Pages 362-362
p-n-Übergänge aus InP zum Nachweis von Neutronenstrahlung....Pages 363-366
Paramagnetic Resonance in Single Crystals of SiC Doped with N, P, B or Al....Pages 367-370
Infrared Cyclotron Resonance and Magneto-optical Band Gap Effects in InSb....Pages 370-375
Zur Temperaturabhängigkeit der p-Absorptionsbanden in Germanium....Pages 375-379
Hall and Conductivity Mobilities in p-Type Silicon....Pages 380-385
Über den Hochtemperatur-Leitungsmechanismus thermisch Elektronen emittierender Oxyde....Pages 386-391
Zur Temperaturabhängigkeit der Trägerlebensdauer in hochreinem Silizium....Pages 392-398
The Lifetime of Charge Carriers in PbS....Pages 399-399
The Carrier Trapping due to the Dislocations in Polar and Nonpolar Semiconductors....Pages 400-401
The Trapping Centers of Electrons in Glass....Pages 402-402
Drift of Minority Carriers in the Presence of Trapping....Pages 402-407
Measurement of Minority Carrier Lifetime by the Phase Shift of Photoconductivity....Pages 408-412
Resonance Potentials in Thin Films of Potassium Chloride....Pages 413-425
Mechanismus der Lumineszenz von Silberhalogeniden und Versetzungen....Pages 426-428
Zur Driftbeweglichkeit von Elektronen in Silberchlorid....Pages 429-430
Fehlordnungseigenschaften am Silberjodid....Pages 431-434
Hole Motion in Anthracene Crystals....Pages 435-438
Experimenteller Beitrag zum Energieübertragungsmechanismus in Polystyrolphosphoren....Pages 439-444
Zur Frage der Energieübertragung in organischen Kristallen....Pages 445-450
Die magnetische Widerstandsänderung von Germanium im Temperaturbereich von 10 bis 20 °K....Pages 451-452
The Galvanomagnetic Effects in the Germanium-Silicon Alloys....Pages 452-452
Magnetoresistance Effects in Gallium Arsenide....Pages 453-456
Magnetoresistance and Hall Effect Studies in Graphite....Pages 456-462
Zur Theorie der longitudinalen Widerstandsänderung in konvalenten Halbleitern....Pages 462-462
Relationship of Hardness, Energy Gap and Melting Point of Diamond Type and Related Structures....Pages 463-469
Die elektrischen Eigenschaften von HgIn 2 Te 4 ....Pages 470-473
Über neue halbleitende Verbindungen mit Chalkopyritstruktur....Pages 474-476
Some Physical Properties of Bismuth Telluride....Pages 477-481
Generation of Imperfections by Thermal Stress....Pages 482-485
Effect of Orbital Quantization on Magneto Conductivity in Semiconductors....Pages 485-485
Über die Entstehung von elektromotorischen Kräften in Halbleitern....Pages 486-490
Die magnetische Suszeptibilität von eisen-dotiertem Germanium....Pages 491-494
The Interaction of Electrons and Phonons in Semiconductor Transport Phenomena....Pages 495-496
Wärmeleitfähigkeit von InSb....Pages 497-500
The Spectrum of the Photoconductive and Photomagnetic Effects in Semiconductors....Pages 500-500
Zur Plasmatheorie elektronischer Halbleiter....Pages 501-510
Elektronenoptische Untersuchungen spezieller Kristallisationserscheinungen des Selens....Pages 510-510
Die Dotierung von Indiumarsenid mit den Metallen der ersten Nebengruppe des periodischen Systems....Pages 511-514
Optical Properties of Pure and Doped SiC....Pages 514-524
Electrical Properties of Hexagonal SiC Doped with N, B or Al....Pages 525-533
Hydrogen as a Donor in Zinc Oxide....Pages 534-534
Diffusion von Aktivatoren in lumineszierendem Zinksulfid....Pages 535-537
Über den Effekt der Kathodothermolumineszenz....Pages 538-543
Über die Nichtexistenz einer Anregungsschwelle der Elektrolumineszenz....Pages 544-546
Photon Emission from Breakdown in Silicon....Pages 546-546
Radiation Resulting from the Recombination of Holes and Electrons in Silicon....Pages 546-546
Recent Investigations on the Electroluminescence of Gallium Phosphide....Pages 547-551
Probleme der p-n-Elektrolumineszenz im sichtbaren Spektralbereich....Pages 551-553
Absorption Dipolaire Debye de l’Oxyde de Zinc, du Selenium et du Carbure de Silicium....Pages 554-557
Absorption Photodipolaire du Sulfure de Zinc....Pages 557-559
Spectres d’absorption et d’émission attribués à l’exciton....Pages 560-560
Sur la nature de l’émission fluorescente de CdS pur à très basse température....Pages 561-565
Theorie stationärer und nichtstationärer Zustände des Exzitons im polaren Kristall....Pages 565-567
Application de l’Effet Photodiélectrique à l’Etude des Pièges à Electrons....Pages 568-570
Anodic Oxide Formation on Silicon....Pages 570-575
Junctions Induced in Germanium Surfaces by Transverse Electric Fields....Pages 576-576
Transfer of Material from Radioactive Point Contacts on Germanium....Pages 576-576
Über den Einfluß von Gasen und Dämpfen auf die Photoleitung und die Dunkelleitung dünner Bleiselenidschichten....Pages 577-580
Verzögerte Elektronenemission von Germanium....Pages 581-582
Die Elektronenemission bei der Oxydation von Metalloberflächen....Pages 583-584
On Thermal Transition Process of Electrons in Solids....Pages 584-587
Berechnung der Gitterschwingungen in Kristallen mit Zinkblendestruktur....Pages 587-592
Äußere Tilgung, Aktivatorenwechselwirkung und Wanderung der Löcher in den ZnSCu- und ZnSCuCo-Phosphoren....Pages 593-601
Fluoreszenz und Photoleitfähigkeit in Zink-Kadmium-Sulfiden aktiviert mit Silber....Pages 602-609
Facteurs Extincteurs de la Fluorescence de CdS(Ag)....Pages 610-613
Theory of Dynamic Quenching of Photoconductivity and Luminescence....Pages 613-622
Optische Anisotropie und Verhalten von Cadmiumsulfid- Einkristallen in Hochfrequenz-Feldern....Pages 622-629
Siliziumleistungsgleichrichter....Pages 630-640
Elektrische Eigenschaften einiger binärer Halbleiterverbindnngen....Pages 641-646
Über den Durchschlag in p-n-Übergängen in Germanium....Pages 647-649
A Note on the Energy Gaps of Semiconductors....Pages 650-651
Die Diffusion der Beimengungen im Silizium....Pages 652-655
Die relaxationsmäßige Dielektrikapolarisation und das innere Feld in Kristallen und Polykristallen....Pages 656-673
Determination of Surface States in Pb S Crystals....Pages 674-677
Glasartige Halbleiter....Pages 678-685
Back Matter....Pages 686-687




نظرات کاربران