ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Germanium Nanostructures on Silicon Observed by Scanning Probe Microscopy

دانلود کتاب نانوساختارهای ژرمانیوم روی سیلیکون مشاهده شده توسط میکروسکوپ کاوشگر روبشی

Germanium Nanostructures on Silicon Observed by Scanning Probe Microscopy

مشخصات کتاب

Germanium Nanostructures on Silicon Observed by Scanning Probe Microscopy

دسته بندی: فناوری نانو
ویرایش:  
نویسندگان: ,   
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر: 2004 
تعداد صفحات: 4 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 663 کیلوبایت

قیمت کتاب (تومان) : 53,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 10


در صورت تبدیل فایل کتاب Germanium Nanostructures on Silicon Observed by Scanning Probe Microscopy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نانوساختارهای ژرمانیوم روی سیلیکون مشاهده شده توسط میکروسکوپ کاوشگر روبشی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب نانوساختارهای ژرمانیوم روی سیلیکون مشاهده شده توسط میکروسکوپ کاوشگر روبشی

میکروسکوپ تونل زنی روبشی و میکروسکوپ نیروی اتمی غیر تماسی برای مشاهده رشد ژرمانیوم در Si(001) و Si(111) استفاده شده است. تصاویر با تفکیک اتمی اطلاعات ارزشمندی در مورد رشد فیلم هترواپیتاکسیال از دیدگاه کاربردهای صنعتی و علوم پایه ارائه می دهند. ما به طور خلاصه تاریخچه مشخص کردن سیستم های نیمه هادی عنصری هترواپیتاکسیال را با استفاده از میکروسکوپ پروب روبشی (SPM) مرور می کنیم، که در آن حالت رشد Stranski-Krastanov را می توان مشاهده کرد. مقیاس اتمی: انتقال فاز دقیق از رشد لایه به لایه به رشد خوشه سه بعدی با استفاده از SPM روشن شد. علاوه بر این، ما در مورد پتانسیل SPM برای بررسی جنبه‌های طیف‌سنجی رشد فیلم هترواپیتاکسیال، از طریق استفاده از نکات SPM با جنبه‌های کاملاً مشخص، اظهار نظر می‌کنیم.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Scanning tunneling microscopy and noncontact atomic force microscopy have beenused to observe germanium growth on Si(001) and Si(111). The atomically resolvedimages provide invaluable information on heteroepitaxial film growth from the viewpointsof both industrial application and basic science.We briefly review the history ofcharacterizing heteroepitaxial elemental semiconductor systems by means of scanningprobe microscopy (SPM), where the Stranski-Krastanov growth mode can be observedon the atomic scale: the detailed phase transition from layer-by-layer growth tothree-dimensional cluster growth was elucidated by the use of SPM. In addition, wecomment on the potential of SPM for examining the spectroscopic aspects ofheteroepitaxial film growth, through the use of SPM tips with well-defined facets.





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی