ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Etching of III-V semiconductors: an electrochemical approach

دانلود کتاب اچ کردن نیمه هادی های III-V: یک رویکرد الکتروشیمیایی

Etching of III-V semiconductors: an electrochemical approach

مشخصات کتاب

Etching of III-V semiconductors: an electrochemical approach

دسته بندی: فیزیک حالت جامد
ویرایش:  
نویسندگان: , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 0946395845 
ناشر: Elsevier Advanced Technology 
سال نشر: 1991 
تعداد صفحات: 363 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 108 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 56,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب اچ کردن نیمه هادی های III-V: یک رویکرد الکتروشیمیایی: فیزیک، فیزیک حالت جامد، فیزیک نیمه هادی ها



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 16


در صورت تبدیل فایل کتاب Etching of III-V semiconductors: an electrochemical approach به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اچ کردن نیمه هادی های III-V: یک رویکرد الکتروشیمیایی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب اچ کردن نیمه هادی های III-V: یک رویکرد الکتروشیمیایی

این کتاب تحقیقاتی به بررسی پیشرفت های مهم اخیر در زمینه به سرعت در حال گسترش III-V می پردازد. یک مرجع کامل که جنبه های اساسی سیستم های مختلف اچینگ و مناسب بودن آنها را در زمینه های کاربردی اصلی بررسی می کند. هر سیستم بر اساس مکانیسم و ​​سینتیک طبقه بندی می شود.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This research book reviews the important recent advances in the rapidly expanding III-V field. A complete reference that examines the fundamental aspects of different etching systems and their suitability in major application areas. Each system is classified according to mechanism and kinetics.



فهرست مطالب

Preface  Contents  List of symbols and abbreviations  1. Introduction  Part I: Electrochemistry  2. Basic principles of semiconductor electrochemistry  2.1. Introduction  2.2. Charge and potential distribution at the semiconductor/electrolyte interface  2.3. Charge transfer reactions  2.4. Anodic dissolution of III-V semiconductors  2.5. Principle of electroless dissolution  2.6. Principle of chemical dissolution  2.7. Kinetic considerations in etching reactions  References  3. Experimental considerations  3.1. Introduction  3.2. Electrochemicalmeasurements  3.2.1. Electrode preparation  3.2.2. Instrumentation  3.2.3. Flow-cell measurements  3.3. Etching experiments  3.3.1. Mask preparation and orientation  3.3.2. Etching conditions  References  4. Anodic Dissolution of GaAs  4.1. Introduction  4.2. Kinetics of anodic dissolution  4.2.1. Introduction  4.2.2. Results  4.2.3. Discussion  4.2.4. Conclusions  4.3. Surface charging under oxide-free conditions  4.3.1. Introduction  4.3.2. Results  4.3.3. Discussion  4.3.4. Conclusions  4.4. Interface charging under oxide-forming conditions  4.4.1. Introduction  4.4.2. Results  4.4.3. Discussion  4.4.4. Conclusions  References  5. Redox reactions at GaAs electrodes  5.1. Introduction  5.2. Reduction of Fe^{3+} and its complexes  5.2.1. Introduction  5.2.2. Results  5.2.3. Discussion  5.2.4. Conclusions  5.3. Reduction of Fe(CN)^{3-}_6 in alkaline solutions  5.3.1. Introduction  5.3.2. Results  5.3.3. Discussion  5.3.4. Conclusions  5.4. Hypochlorite reduction in alkaline solutions  5.4.1. Introduction  5.4.2. Results  5.4.3. Discussion  5.4.4. Conclusions  5.5. Hydrogen peroxide: reduction and chemical etching  5.5.1. Introduction  5.5.2. Results and discussion  5.5.3. A new model  5.5.4. Conclusions  5.6. The halogens: reduction and chemical etching  5.6.1. Introduction  5.6.2. Results  5.6.3. Discussion  5.6.4. Conclusions  5.6.5. Postscript  5.7. The electrochemistry of CrO_3-HF solutions  5.7.1. Introduction  5.7.2. Results  5.7.3. Discussion  5.7.4.Conclusions  References  6. Reactions at InP electrodes  6.1. Introduction  6.2. VB and CB charge transfer reactions  6.2.1. Introduction  6.2.2. Results  6.2.3. Discussion  6.2.4. Conclusions  6.3. Electrochemistry and etching in HCl and HBr solutions  6.3.1. Introduction  6.3.2. Results  6.3.3. Discussion  6.3.4. Conclusions  6.4. Electrochemistry and etching in Br_2 solutions  6.4.1. Introduction  6.4.2. Results  6.4.3. Discussion  6.4.4. Conclusions  References  Part II: Practtical etching  7. Overview of etching mechanisms and kinetics of various etchant  7.1. Introduction  7.2. General considerations  7.2.1. Anodic dissolution  7.2.2. Electroless dissolution  7.2.3. Chemical dissolution  7.3. Etching Table  References  8. Profile etching  8.1. Introduction  8.2. Kinetically-controlled etching profiles  8.2.1. Introduction  8.2.2. Results and discussion  8.3. Diffusion-controlled etching processes  8.3.1. Introduction  8.3.2. Results of mathematical modelling  8.3.3. Experimental confirmation  8.3.4. Cathodic protection of crystallographic facets  8.4. Intermediate etching profiles  8.4.1. Introduction  8.4.2. Results and discussion  8.5. Influence of native oxide layers on the etched profiles  8.5.1. Introduction  8.5.2. Results and discussion  8.6. Summary  References  9. Polishing and defect-revealing  9.1. Introduction  9.2. Strategies for controlling surface morphology  9.2.1. Polishing  9.2.2. Defect-revealing  9.3. Results and discussion  9.3.1. Anodic dissolution  9.3.2. Electroless etching in the dark  9.3.3. Electroless etching under illumination  9.3.4. The CrO_3-HF system  9.4. Final remarks  BookmarkTitle: References  10. Material-selective etching  10.1. Introduction  10.2. How to achieve selectivity  10.2.1. Anodic etching  10.2.2. Electroless etching  10.2.3. Chemical etching  10.2.4. Passivation  10.3. Results and discussion  10.3.1. Anodic etching  10.3.2. Electroless etching  10.3.3. Chemical etching  10.3.4. Passivation  References  Author index  Subject index




نظرات کاربران