دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Emerging Non-volatile Memory Technologies Physics, Engineering, and Applications
دانلود کتاب فیزیک، مهندسی، و کاربردهای فناوری های حافظه غیر فرار در حال ظهور
مشخصات کتاب
Emerging Non-volatile Memory Technologies Physics, Engineering, and Applications
ویرایش: نویسندگان: Wen Siang Lew (Editor), Gerard Joseph Lim (Editor), Putu Andhita Dananjaya (Editor) سری: ISBN (شابک) : 9789811569104, 9789811569128 ناشر: Springer سال نشر: 2021 تعداد صفحات: [438] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 20 Mb
قیمت کتاب (تومان) : 54,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Emerging Non-volatile Memory Technologies Physics, Engineering, and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فیزیک، مهندسی، و کاربردهای فناوری های حافظه غیر فرار در حال ظهور نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب فیزیک، مهندسی، و کاربردهای فناوری های حافظه غیر فرار در حال ظهور
این کتاب یک راهنمای متعادل و جامع برای اصول اصلی، ویژگی‌های بنیادی، رویکردهای آزمایشی، و کاربردهای پیشرفته دو گروه عمده از فناوری‌های حافظه غیر فرار، یعنی دستگاه‌های مبتنی بر اسپینترونیک و همچنین سوئیچینگ مقاومتی ارائه می‌کند. دستگاه هایی که به عنوان حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی (RRAM) نیز شناخته می شوند. بخش اول انواع مختلفی از دستگاه‌های مبتنی بر اسپینترونیک را ارائه می‌کند، یعنی اتصال تونل مغناطیسی (MTJ)، دیوار دامنه و دستگاه‌های حافظه اسکایرمیون. این بخش توضیح می‌دهد که چگونه پیشرفت‌های آن‌ها منجر به کاربردهای امیدوارکننده مختلفی مانند نوسانگرهای مایکروویو، آشکارسازها، منطق مغناطیسی و سیستم‌های مهندسی نورومورفیک شده است. در نیمه دوم کتاب، فیزیک دستگاه زیربنایی که توسط مشاهدات تجربی مختلف و مدل‌سازی دستگاه‌های RRAM پشتیبانی می‌شود، با پیاده‌سازی سطح آرایه حافظه ارائه شده است. بینشی از ویژگی‌های مورد نظر RRAM به عنوان عنصر سیناپسی در پلت‌فرم‌های محاسباتی نورومورفیک از دیدگاه مواد و الگوریتم‌ها نیز با مثالی خاص در چارچوب طبقه‌بندی خودکار صدا مورد بحث قرار می‌گیرد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book offers a balanced and comprehensive guide to the core principles, fundamental properties, experimental approaches, and state-of-the-art applications of two major groups of emerging non-volatile memory technologies, i.e. spintronics-based devices as well as resistive switching devices, also known as Resistive Random Access Memory (RRAM). The first section presents different types of spintronic-based devices, i.e. magnetic tunnel junction (MTJ), domain wall, and skyrmion memory devices. This section describes how their developments have led to various promising applications, such as microwave oscillators, detectors, magnetic logic, and neuromorphic engineered systems. In the second half of the book, the underlying device physics supported by different experimental observations and modelling of RRAM devices are presented with memory array level implementation. An insight into RRAM desired properties as synaptic element in neuromorphic computing platforms from material and algorithms viewpoint is also discussed with specific example in automatic sound classification framework.
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Justice for Victims of Crime: Human Dignity as the Foundation of Criminal Justice in Europe
دانلود کتاب Fragments of an Unfinished War: Taiwanese Entrepreneurs and the Partition of China
دانلود کتاب History of Kershaw's brigade, with complete roll of companies, biographical sketches, incidents, anecdotes, etc
دانلود کتاب Modern Applied U-Statistics
