دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Jaejun Kim
سری:
ISBN (شابک) : 981163906X, 9789811639067
ناشر: Springer
سال نشر: 2021
تعداد صفحات: 86
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 4 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Design of Electronic Devices Using Redox-Active Organic Molecules and Their Porous Coordination Networks (Springer Theses) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب طراحی دستگاه های الکترونیکی با استفاده از مولکول های آلی ردوکس فعال و شبکه های هماهنگی متخلخل آنها (پایان نامه های اسپرینگر) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Supervisor’s Foreword Abstract Parts of this paper have been published in the following journal articles. Acknowledgements Contents 1 General Introduction 1.1 Redox-Active Organic Molecule 1.1.1 Redox (Oxidation–Reduction) Reaction 1.1.2 Redox-Active Organic Molecules 1.1.3 Phenalenyl Chemistry 1.2 Resistive Random Access Memory (ReRAM) 1.2.1 Conventional Memory Devices 1.2.2 Resistive RAM (ReRAM or RRAM) 1.2.3 Structure and General Characteristic of ReRAMs 1.2.4 Materials and Switching Mechanisms in ReRAMs 1.3 Redox-Active Porous Coordination Networks (PCNs) 1.3.1 Role of Redox-Activity in Metal–Ligand Cooperated System 1.3.2 Redox-Active Ligands 1.3.3 Porous Coordination Networks 1.3.4 Ligand-Based Redox-Active PCNs 1.3.5 Conductive PCNs 1.3.6 Chemiresistive Sensor Based on PCNs 1.4 Post-synthetic Modification (PSM) of PCNs References 2 Resistive Switching Memory Devices Based on a Redox-Active Organic Molecule Abstract 2.1 Introduction 2.2 Results and Discussion 2.2.1 Selective Formation of Redox-Active TPDAP Films 2.2.2 Current–Voltage (I–V) Characteristics of TPDAPs 2.2.3 Ex Situ Study of Resistive Switching Memory Devices 2.2.4 Selective Formation of Redox-Inert TPHAP Films 2.2.5 Current–Voltage (I–V) Characteristics of TPHAPs 2.2.6 Switching Mechanism 2.3 Conclusion 2.4 Experimental Section 2.4.1 General Experimental Information 2.4.2 Syntheses 2.4.3 Device Fabrication 2.4.4 X-ray Structure Analysis References 3 Chemiresistive Sensor Based on Redox-Active Porous Coordination Networks Abstract 3.1 Introduction 3.2 Results and Discussion 3.2.1 Selective Formation of Redox-Active PCNs 3.2.2 Film Fabrication of Redox-Active PCNs 3.2.3 Electrical Properties of Redox-Active PCNs 3.2.4 Chemiresistive Humidity Sensing Ability of Redox-Active PCN 3.2.5 Mechanism Investigation 3.3 Conclusion 3.4 Experimental Section 3.4.1 General Experimental Information 3.4.2 Syntheses 3.4.3 X-Ray Structure Analysis 3.4.4 Electrical Measurement References 4 Tunable Electrical Properties of Redox-Active Porous Coordination Networks via Post-synthetic Modification Abstract 4.1 Introduction 4.2 Results and Discussion 4.2.1 Pore Opening of a Redox-Active PCN by PSMs 4.2.2 Efficient Oxidation of Open Structure After PSMs 4.2.3 Tunable Electrical Properties via PSMs 4.3 Conclusion 4.4 Experimental Section 4.4.1 General Experimental Information 4.4.2 Syntheses 4.4.3 X-Ray Structure Analysis 4.4.4 Electrical Measurement References 5 Summary and Outlook 5.1 Summary 5.2 Limitations and Future Work References