دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: نویسندگان: Jacques Jupille, Geoff Thornton سری: ISBN (شابک) : 9783319380193, 3319380192 ناشر: Springer International Publishing سال نشر: 2016 تعداد صفحات: 0 زبان: English فرمت فایل : EPUB (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 13 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Defects at Oxide Surfaces به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نقص در سطوح اکسید نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب اصول اولیه و توصیف عیوب در سطوح اکسید را ارائه می دهد. این یک بررسی پیشرفته از این میدان را ارائه می دهد که حاوی اطلاعاتی در مورد انواع مختلف عیوب سطحی است، روش های تحلیلی برای مطالعه عیوب، فعالیت شیمیایی آنها و واکنش کاتالیستی اکسیدها را توصیف می کند. شبیه سازی عددی سازه های معیوب تصویر توسعه یافته را کامل می کند. نقص در سطوح مسطح تمرکز بیشتر کتاب را تشکیل می دهد، اگرچه بررسی نمونه های پودر نیز بخش مهمی را تشکیل می دهد. مطالعه تجربی سطوح مسطح امکان بکارگیری تسلیحات بزرگ تکنیک هایی را که در نیم قرن گذشته برای مطالعه سطوح در خلاء فوق العاده بالا توسعه داده اند، باز می کند. این امکان دستیابی به داده های سطح اتمی را در شرایط کنترل شده فراهم می کند و یک آزمون دقیق از روش های نظری ارائه می دهد. سپس میتوان دومی را با اطمینان بیشتری در سیستمهایی مانند نانوذرات که روشهای دقیق توصیف ساختار و خواص الکترونیکی برای آنها توسعه نیافتهاند، به کار برد. این کتاب با کنترل ماهیت و غلظت عیوب، سطوح اکسیدی خیاطی را راهنمایی می کند. اهمیت عیوب در فیزیک و شیمی سطوح اکسید فلزی همراه با نقش برجسته اکسیدها در زندگی مشترک در این کتاب ارائه شده است. این کتاب حاوی مشارکتهای رهبران این حوزه است. به عنوان مرجعی برای متخصصان و مبتدیان در این زمینه عمل می کند.
This book presents the basics and characterization of defects at oxide surfaces. It provides a state-of-the-art review of the field, containing information to the various types of surface defects, describes analytical methods to study defects, their chemical activity and the catalytic reactivity of oxides. Numerical simulations of defective structures complete the picture developed. Defects on planar surfaces form the focus of much of the book, although the investigation of powder samples also form an important part. The experimental study of planar surfaces opens the possibility of applying the large armoury of techniques that have been developed over the last half-century to study surfaces in ultra-high vacuum. This enables the acquisition of atomic level data under well-controlled conditions, providing a stringent test of theoretical methods. The latter can then be more reliably applied to systems such as nanoparticles for which accurate methods of characterization of structure and electronic properties have yet to be developed. The book gives guidance to tailor oxide surfaces by controlling the nature and concentration of defects. The importance of defects in the physics and chemistry of metal oxide surfaces is presented in this book together with the prominent role of oxides in common life. The book contains contributions from leaders in the field. It serves as a reference for experts and beginners in the field.
Numerical simulations of defective structures.- Modeling oxygen vacancies.- Role of surface defects in photocatalysis.- Chemical activity of defects.- Nature of defects as determined by scanning probe tip-surface interactions.- Scanning force microscopy of defects.- Defects in Electron Paramagnetic Resonance.- Sn-doped indium tin oxide.- Defects on strontium titanate.- Catalytic reactivity of oxides in water gas shift and related reactions.- Wetting of surfaces promoted by OH groups on defects.- Defects in oxide powders.- Hydrogen in oxides.- Resistive switching.- Electron/X-ray induced defects.- Excess electrons.