دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: مهندسی مکانیک ویرایش: 1 نویسندگان: M.L Jenkins, M.A Kirk سری: Series in Microscopy in Materials Science ISBN (شابک) : 9780750307482, 075030748X ناشر: Taylor & Francis سال نشر: 2000 تعداد صفحات: 234 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 7 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب شناسایی آسیب تشعشع توسط میکروسکوپ الکترونی عبوری: مهندسی مکانیک و پردازش مواد، علم مواد و TCM
در صورت تبدیل فایل کتاب Characterisation of Radiation Damage by Transmission Electron Microscopy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب شناسایی آسیب تشعشع توسط میکروسکوپ الکترونی عبوری نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
هدف این کتاب توصیف جزئیات روشهای میکروسکوپ الکترونی مورد استفاده برای بررسی ریزساختارهای پیچیده و در مقیاس ریز است، مانند آنهایی که با تابش ذرات سریع فلزات یا کاشت یونی نیمهرساناها تولید میشوند. توجه ویژه به روشهای مورد استفاده برای توصیف خوشههای نقص نقطه کوچک مانند حلقههای نابجایی داده میشود، زیرا پوشش این موضوع در کتابهای درسی میکروسکوپ عمومی محدود است و بسیاری از مشکلات مرتبط با تجزیه و تحلیل این عیوب را حذف میکند. در محل، تکنیک های با وضوح بالا و تحلیلی نیز شرح داده شده است. این تکنیکها با مثالهایی نشان داده شدهاند، که به ارائه یک نمای کلی از سهم TEM در درک فعلی مکانیسمهای آسیب تشعشع کمک میکند. این کتاب برای محققان در زمینه تجزیه و تحلیل نقص در مواد یا وارد شدن به آن بسیار مفید خواهد بود.
This book aims to describe in detail the electron microscopy methods used to investigate complex and fine-scale microstructures, such as those produced by fast-particle irradiation of metals or ion-implantation of semiconductors. Particular attention is given to the methods used to characterize small point-defect clusters such as dislocation loops, since the coverage of this topic in general microscopy textbooks is limited and omits many of the problems associated with the analysis of these defects. In-situ, high-resolution and analytical techniques are also described. The techniques are illustrated with examples, which serve to give an overview of the contribution of TEM to the present understanding of radiation damage mechanisms. The book will be most useful to researchers in, or entering into, the field of defect analysis in materials.