دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Dr. techn.Dipl.-Ing. Vassil Palankovski, Dr. techn.Dipl.-Phys. Rüdiger Quay (auth.) سری: Computational Microelectronics ISBN (شابک) : 9783709171936, 9783709105603 ناشر: Springer-Verlag Wien سال نشر: 2004 تعداد صفحات: 308 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 9 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب تحلیل و شبیهسازی دستگاههای ناهمساختار: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، مواد نوری و الکترونیکی، سطوح و رابطها، لایههای نازک، امواج مایکروویو، مهندسی نوری و RF، شبیهسازی و مدلسازی
در صورت تبدیل فایل کتاب Analysis and Simulation of Heterostructure Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب تحلیل و شبیهسازی دستگاههای ناهمساختار نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
سیستم های ارتباطی و اطلاعاتی در معرض تغییرات سریع و بسیار پیچیده هستند. در حال حاضر دستگاه های ناهمسان نیمه هادی، مانند ترانزیستورهای دوقطبی ناهمگون (HBT) و ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا (HEMT)، از سریع ترین و پیشرفته ترین دستگاه های فرکانس بالا هستند. آنها الزامات مصرف برق کم، ادغام متوسط، هزینه کم در مقادیر زیاد و قابلیت عملیات با سرعت بالا در مدارها را برآورده می کنند. در محدوده فرکانس بسیار بالا، فرکانس های قطع تا 500 گیگاهرتز [557] در سطح دستگاه گزارش شده است. HEMT ها و HBT ها برای تقویت کننده های توان با راندمان بالا در 900 مگاهرتز و همچنین برای سرعت های داده بالاتر از 100 گیگابیت بر ثانیه برای ارتباطات دوربرد بسیار مناسب هستند و بنابراین طیف وسیعی از کاربردها را پوشش می دهند. برای مقابله با هزینه های انفجاری توسعه و رقابت صنعت داکتورهای نیمه کانکتور امروزی، روش های طراحی به کمک رایانه (TCAD) به طور گسترده در توسعه و تولید استفاده می شود. از سال 2003، مدارهای مجتمع میکرومتر و موج میلی متری نیمه هادی III-V HEMT و HBT (MIC و MMIC) روی ویفرهای GaAs شش اینچی در دسترس هستند. مدارهای SiGe HBT، به عنوان بخشی از فناوری CMOS در ویفرهای هشت اینچی، در حجم تولید می شوند. ابزارهای شبیهسازی برای فناوری، دستگاهها و مدارها، تلاشهای گرانقیمت فناوری را کاهش میدهند. این کتاب بر روی کاربرد نرمافزار شبیهسازی برای دستگاههای ناهمساختار با توجه به کاربردهای صنعتی تمرکز دارد. به طور خاص، یک بحث مفصل از مدلسازی فیزیکی برای انواع زیادی از مواد ارائه شده است.
Communication and information systems are subject to rapid and highly so phisticated changes. Currently semiconductor heterostructure devices, such as Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) and High Electron Mobility Transis tors (HEMTs), are among the fastest and most advanced high-frequency devices. They satisfy the requirements for low power consumption, medium integration, low cost in large quantities, and high-speed operation capabilities in circuits. In the very high-frequency range, cut-off frequencies up to 500 GHz [557] have been reported on the device level. HEMTs and HBTs are very suitable for high efficiency power amplifiers at 900 MHz as well as for data rates higher than 100 Gbitfs for long-range communication and thus cover a broad range of appli cations. To cope with explosive development costs and the competition of today's semicon ductor industry, Technology Computer-Aided Design (TCAD) methodologies are used extensively in development and production. As of 2003, III-V semiconductor HEMT and HBT micrometer and millimeter-wave integrated circuits (MICs and MMICs) are available on six-inch GaAs wafers. SiGe HBT circuits, as part of the CMOS technology on eight-inch wafers, are in volume production. Simulation tools for technology, devices, and circuits reduce expensive technological efforts. This book focuses on the application of simulation software to heterostructure devices with respect to industrial applications. In particular, a detailed discussion of physical modeling for a great variety of materials is presented.
Front Matter....Pages I-XX
Introduction....Pages 1-3
State-of-the-Art of Materials, Device Modeling, and RF Devices....Pages 4-25
Physical Models....Pages 26-140
RF Parameter Extraction for HEMTs and HBTs....Pages 141-153
Heterojunction Bipolar Transistors....Pages 154-203
High Electron Mobility Transistors....Pages 204-235
Novel Devices....Pages 236-238
Back Matter....Pages 239-289