دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب A one-semester course in modeling of VLSI interconnections
دانلود کتاب یک دوره یک ترم در مدل سازی اتصالات VLSI
مشخصات کتاب
A one-semester course in modeling of VLSI interconnections
ویرایش:
نویسندگان: Goel. Ashok K
سری: Electronic circuits and semiconductor devices collection
ISBN (شابک) : 1606505122, 1606505130
ناشر: Momentum Press
سال نشر: 2015
تعداد صفحات: 362
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 71 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 85,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب یک دوره یک ترم در مدل سازی اتصالات VLSI: مدارهای مجتمع -- یکپارچه سازی در مقیاس بسیار بزرگ -- مدل های ریاضی. مدارهای مجتمع VLSI اتصالات متقابل مس اتصالات متقابل انتشار تأخیرها مدلسازی انتقال الکتریکی ظرفیت های القایی نانوتکنولوژی
در صورت تبدیل فایل کتاب A one-semester course in modeling of VLSI interconnections به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب یک دوره یک ترم در مدل سازی اتصالات VLSI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب یک دوره یک ترم در مدل سازی اتصالات VLSI
درک کمی ظرفیتها و اندوکتانسهای انگلی و تاخیرهای انتشار و پدیدههای متقابل مرتبط با اتصالات فلزی در مدارهای مجتمع (VLSI) در مقیاس بسیار بزرگ برای طراحی بهینه سیستمهای یکپارچه بسیار مهم شده است. مدارها بیش از 65 درصد تاخیرهای روی تراشه مدار مجتمع در اتصالات داخلی اتفاق می افتد و نه در ترانزیستورهای روی تراشه. تکنیکهای ریاضی برای مدلسازی ظرفیتهای انگلی، اندوکتانسها، تأخیرهای انتشار، نویز تداخل، و شکست ناشی از مهاجرت الکتریکی مرتبط با اتصالات در محیط با چگالی بالا واقع بینانه روی یک تراشه مورد بحث قرار خواهند گرفت. یک دوره یک ترم در مدل سازی اتصالات VLSI همچنین شامل مروری بر فناوری های اتصال آینده برای مدارهای فناوری نانو است.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Quantitative understanding of the parasitic capacitances and inductances, and the resultant propagation delays and crosstalk phenomena associated with the metallic interconnections on the very large scale integrated (VLSI) circuits has become extremely important for the optimum design of the state-of-the-art integrated circuits. More than 65 percent of the delays on the integrated circuit chip occur in the interconnections and not in the transistors on the chip. Mathematical techniques to model the parasitic capacitances, inductances, propagation delays, crosstalk noise, and electromigration-induced failure associated with the interconnections in the realistic high-density environment on a chip will be discussed. A One-Semester Course in Modeling of VLSI Interconnections also includes an overview of the future interconnection technologies for the nanotechnology circuits
فهرست مطالب
Content: 1. Introductory concepts --
1.1 Metallic interconnections --
1.2 Simplified modeling of resistive interconnections as ladder networks --
1.3 Propagation modes in a metallic interconnection --
1.4 Slow-wave mode --
1.5 Propagation delays --
2. Modeling of interconnection resistances, capacitances, and inductances --
2.1 Interconnection resistance --
2.2 Modeling of resistance for a copper interconnection --
2.3 Interconnection capacitances --
2.4 The Green's function method, Method of images --
2.5 Green's function method, Fourier integral approach --
2.6 Interconnection inductances --
2.7 Inductance extraction using FastHenry --
2.8 Approximate equations for capacitances --
2.9 Approximate equations for interconnection capacitances and inductances on silicon and GaAs substrates --
3. Modeling of interconnection delays --
3.1 Metal-insulator-semiconductor microstrip line model of an interconnection --
3.2 Transmission line analysis of single-level interconnections --
3.3 Transmission line model for multilevel interconnections --
3.4 Modeling of parallel and crossing interconnections --
3.5 Modeling of very-high-frequency losses in interconnections --
3.6 Compact modeling of interconnection delays --
3.7 Modeling of active interconnections --
4. Modeling of interconnection crosstalk --
4.1 Lumped capacitance model --
4.2 Coupled multiconductor MIS microstrip line model --
4.3 Frequency-domain model analysis of single-level interconnections --
4.4 Transmission line analysis of parallel multilevel interconnections --
4.5 Compact expressions for crosstalk analysis --
5. Modeling of electromigration-induced interconnection failure --
5.1 Electromigration factors and mechanism --
5.2 Problems caused by electromigration --
5.3 Reduction of electromigration --
5.4 Measurement of electromigration --
5.5 Electromigration in the copper interconnections --
5.6 Models of integrated circuit reliability --
5.7 Modeling of electromigration due to current pulses --
5.8 Guidelines for testing electromigration --
6. Other interconnection technologies --
6.1 Optical interconnections --
6.2 Superconducting interconnections --
6.3 Nanotechnology circuit interconnections --
Appendixes --
A. Tables of constants --
B. Method of images --
C. Method of moments --
D. Transmission line equations --
E. Miller's theorem --
F. Inverse Laplace transformation technique --
Index.
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
