Основи твердотільної електроніки

دسته بندی: فیزیک حالت جامد
ویرایش:  
نویسندگان: Борисов О.В.  
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 461 
زبان: Ukrainian 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 32 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 47,000

کیف، NTUU \"KPI\"، 2012. - 454 p. اطلاعات عمومی در مورد فیزیک نیمه هادی ها
انتقال الکتریکی بین نیمه هادی ها
دیودهای نیمه هادی
ترانزیستورهای دوقطبی
تریستور
ترانزیستورهای اثر میدانی
دستگاههای مبتنی بر نانومقیاس و اثرات کوانتومی
دستگاههای نیمه هادی نوری راهنمای مطالعه برای دانشجویانی که در رشته \"الکترونیک\" تحصیل می کنند، طیف وسیعی از متخصصان در زمینه الکترونیک حالت جامد و میکروالکترونیک. فرایندهای فیزیکی و خواص اصلی نیمه هادی ها دیودها، ترانزیستورهای دوقطبی و اثر میدانی در نظر گرفته می شوند. توجه قابل توجهی به تجزیه و تحلیل ریاضی عملکرد دستگاه های نیمه هادی و توضیح پدیده های فیزیکی می شود. فیزیک پدیده های تماس در نیمه هادی ها، کنتاکت های فلزی-نیمه هادی، سازه های فلز-دی الکتریک-نیمه هادی، ویژگی های استاتیکی و پارامترهای دینامیکی ترانزیستورهای دوقطبی و اثر میدانی و همچنین تغییرات در پارامترها و خواص دستگاه های نیمه هادی بسته به حالت عملکرد به تفصیل تحلیل می شوند.

Київ, НТУУ "КПІ", 2012. - 454 с. Загальні відомості з фізики напівпровідників
Електричні переходи між напівпровідниками
Напівпровідникові діоди
Біполярні транзистори
Тиристори
Польові транзистори
Прилади на нанорозмірних і квантових ефектах
Оптоелектронні напівпровідникові прилади Навчальний посібник для студентів, які навчаються за напрямом “Електроніка”, широкого загалу спеціалістів у галузі твердотільної електроніки і мікроелектроніки. Розглянуто основні фізичні процеси і властивості напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторів. Значну увагу приділено математичному аналізу роботи напівпровідникових приладів і поясненню фізичних явищ. Детально проаналізовано фізику контактних явищ у напівпровідниках, контактах метал-напівпровідник, структурах метал-діелектрик-напівпровідник, статичні характеристики і динамічні параметри біполярних і польових транзисторів, а також зміну параметрів і властивостей напівпровідникових приладів залежно від режимів роботи.