Epitaxy of Semiconductors: Introduction to Physical Principles

مقدمه ای بر اپیتاکسی اطلاعات ضروری را برای یک دوره جامع فارغ التحصیل سطح بالا که رشد کریستالی ساختارهای ناهمسان نیمه هادی را درمان می کند، ارائه می دهد. Heteroepitaxy اساس دستگاه های الکترونیکی و نوری پیشرفته امروزی را نشان می دهد و یکی از زمینه های برتر در تحقیقات مواد محسوب می شود. این کتاب خواص ساختاری و الکترونیکی لایه‌های اپیتاکسی کرنش، ترمودینامیک و سینتیک رشد لایه‌ها و تشریح تکنیک‌های اصلی رشد اپیتاکسی فاز بخار متالارگانیک، اپیتاکسی پرتو مولکولی و اپیتاکسی فاز مایع را پوشش می‌دهد. نیمه هادی های مکعبی، شل شدن کرنش توسط نابجایی های نامناسب، اثرات کرنش و محصور شدن روی حالت های الکترونیکی، ساختارهای سطحی و فرآیندها در طول هسته زایی و رشد به تفصیل بررسی می شوند. مقدمه ای بر اپیتاکسی فقط به دانش کمی در مورد فیزیک حالت جامد نیاز دارد. دانشجویان علوم طبیعی، علم مواد و مهندسی برق و همچنین استادان آنها از مقدمه‌های ابتدایی تئوری و عمل رشد همپایی، که توسط منابع مرتبط و بیش از 200 تصویر دقیق پشتیبانی می‌شود، بهره می‌برند.

Introduction to Epitaxy provides the essential information for a comprehensive upper-level graduate course treating the crystalline growth of semiconductor heterostructures. Heteroepitaxy represents the basis of advanced electronic and optoelectronic devices today and is considered one of the top fields in materials research. The book covers the structural and electronic properties of strained epitaxial layers, the thermodynamics and kinetics of layer growth, and the description of the major growth techniques metalorganic vapor phase epitaxy, molecular beam epitaxy and liquid phase epitaxy. Cubic semiconductors, strain relaxation by misfit dislocations, strain and confinement effects on electronic states, surface structures and processes during nucleation and growth are treated in detail. The Introduction to Epitaxy requires only little knowledge on solid-state physics. Students of natural sciences, materials science and electrical engineering as well as their lecturers benefit from elementary introductions to theory and practice of epitaxial growth, supported by pertinent references and over 200 detailed illustrations.