ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب 3D IC Devices, Technologies, and Manufacturing

دانلود کتاب دستگاه های آی سی سه بعدی، فناوری ها و ساخت

3D IC Devices, Technologies, and Manufacturing

مشخصات کتاب

3D IC Devices, Technologies, and Manufacturing

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری: SPIE Press Monographs 
 
ناشر: SPIE Press 
سال نشر: 2016 
تعداد صفحات: 0
[198] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 34 Mb 

قیمت کتاب (تومان) : 37,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 10


در صورت تبدیل فایل کتاب 3D IC Devices, Technologies, and Manufacturing به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب دستگاه های آی سی سه بعدی، فناوری ها و ساخت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب دستگاه های آی سی سه بعدی، فناوری ها و ساخت

فرآیند مقیاس‌بندی تراشه‌های مدار مجتمع (IC) با افزایش اندازه ویژگی به گره‌های فناوری نانومتری چالش‌برانگیزتر شده است. به منظور گسترش مقیاس، مهندسان و دانشمندان تلاش کرده اند نه تنها اندازه ویژگی را در جهت های x و y کوچک کنند، بلکه دستگاه های IC را به بعد سوم نیز سوق دهند. این کتاب مزایای دستگاه‌های سه‌بعدی و کاربردهای آن‌ها را در حافظه‌های با دسترسی تصادفی پویا (DRAM)، فلش 3D-NAND و آی سی‌های گره CMOS با فناوری پیشرفته مورد بحث قرار می‌دهد. موضوعات شامل توسعه ترانزیستورهای سلولی DRAM و خازن‌های گره ذخیره‌سازی، فرآیند ساخت دستگاه‌های آی سی DRAM 3D FinFET CMOS با خط پیشرفته مدفون، روندهای مقیاس‌بندی دستگاه‌های منطقی CMOS است که ممکن است در عصر «پس از CMOS» و فناوری‌های سه بعدی استفاده شوند. مانند ادغام فرآیند 3 بعدی ویفر بسته بندی 3 بعدی سیلیکون-رو-ILD و TSV.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The process of scaling integrated circuit (IC) chips has become more challenging as the feature size has been pushed into nanometer-technology nodes. In order to extend the scaling, engineers and scientists have attempted to not only shrink the feature size in x and y directions but also push IC devices into the third dimension. This book discusses the advantages of 3D devices and their applications in dynamic random access memory (DRAM), 3D-NAND flash, and advanced-technology-node CMOS ICs. Topics include the development of DRAM cell transistors and storage node capacitors the manufacturing process of advanced buried-word-line DRAM 3D FinFET CMOS IC devices scaling trends of CMOS logic devices that may be used in the «post-CMOS» era and 3D technologies, such as the 3D-wafer process integration of silicon-on-ILD and TSV-based 3D packaging.





نظرات کاربران