ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Технология СБИС: В 2-х кн

دانلود کتاب فناوری SBIS: در 2 KN

Технология СБИС: В 2-х кн

مشخصات کتاب

Технология СБИС: В 2-х кн

ویرایش: [Кн. 1] 
نویسندگان: , , , , ,   
سری:  
 
ناشر: Мир Редакция литературы по новой технике 
سال نشر: 1986 
تعداد صفحات: 201 
زبان: Russian 
فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 Mb 

قیمت کتاب (تومان) : 62,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Технология СБИС: В 2-х кн به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فناوری SBIS: در 2 KN نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فناوری SBIS: در 2 KN

حاشیه نویسی از انتشارات: کتاب متخصصان پیشرو آمریکایی موضوعات تولید سیلیکون را برجسته می کند. کتاب 1 در مورد موضوعات به دست آوردن مونوکریستال های سیلیکونی ، تهیه بسترها ، در حال رشد لایه های اپیتاکسیال ، بارش فیلم های مواد مختلف ، اکسیداسیون حرارتی ، انتشار ، کاشت یون و همچنین روش های لیتوگرافی برای شکل گیری نقشه های توپولوژیکی با اندازه های زیر میکرونی وجود دارد. برای دانشجویان ارشد دانشگاه های دارای پروفایل مربوطه ، دانشجویان فارغ التحصیل و متخصصان در زمینه طراحی ، فناوری برای تولید و استفاده از IP.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Аннотация издательства: В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальиых слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, диффузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикронными размерами элементов. Для студентов старших курсов вузов соответствующего профиля, аспирантов и специалистов в области проектирования, технологии изготовления и применения ИС.





نظرات کاربران