دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: الکترونیک ویرایش: نویسندگان: Michiko Yoshitake سری: NIMS Monographs ISBN (شابک) : 4431568964, 9784431568964 ناشر: Springer Japan سال نشر: 2021 تعداد صفحات: 143 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 11 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Work Function and Band Alignment of Electrode Materials: The Art of Interface Potential for Electronic Devices, Solar Cells, and Batteries به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب عملکرد کار و تراز بندی باند مواد الکترود: هنر پتانسیل رابط برای دستگاه های الکترونیکی ، سلول های خورشیدی و باتری ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب طیف گسترده ای از موضوعات در مورد عملکرد کار و هم ترازی باند، از اصول اولیه تا مثال های عملی را پوشش می دهد. تابع کار و هم ترازی باند، خواص الکتریکی را در سطح مشترک از جمله سطوح، مانند انتشار الکترون، ارتفاع مانع شاتکی و تماس اهمی تعیین می کند. فیزیک پایه برای توضیح سیستماتیک نحوه تنظیم و اندازه گیری عملکرد کار و نحوه اصلاح هم ترازی باند مورد نیاز برای کنترل عملکرد کار در مواد و الکترودهای کاربردی استفاده می شود. روشهای معرفیشده در کتاب به بهبود عملکرد دستگاه و حل مشکلات کنترل ولتاژ و کارایی دستگاهها در کاربردهای بسیار متنوع از جمله دستگاههای الکترونیکی، دستگاههای نوری مانند نمایشگرها و دستگاههای انرژی مانند سلولهای خورشیدی و باتریها کمک میکنند. درک روش های فنی لازم برای کنترل عملکرد کار و تراز باند می تواند به حل مشکلاتی مانند تماس غیر اهمی در رابط های منبع-الکترود یا تخلیه-الکترود در ساختارهای فلز-اکسید-سیلیکون کمک کند که به طور مستقیم به بهبود صرفه جویی در مصرف انرژی و کاهش گرما کمک می کند. تولید در کامپیوتر
This book covers a wide range of topics on work function and band alignment, from the basics to practical examples. Work function and band alignment determine electric properties at the interface including surfaces, such as electron emission, the Schottky barrier height, and ohmic contact. Basic physics is used to systematically explain how to adjust and measure work function and how to modify the band alignment required for controlling work function in functional materials and electrodes. Methods introduced in the book help to improve device performance and to solve the problems of controlling the voltage and efficiency of devices in a great variety of applications, including electronic devices, optical devices such as displays, and energy devices such as solar cells and batteries. Understanding the technical methods necessary for controlling work function and band alignment can help to solve problems such as non-ohmic contact at source–electrode or drain–electrode interfaces in metal–oxide–silicon structures, which directly contributes to improving power saving and reducing heat generation in computers.
Preface Contents 1 Introduction: Functions and Performances Governed by the Work Function 1.1 Why is the Work Function Important? 1.2 Contents of the Following Chapters References 2 What is the Work Function?: Definition and Factors that Determine the Work Function 2.1 Definition of the Work Function 2.2 Origin of the Work Function 2.3 Factors Determining the Work Function 2.4 Effect of Temperature on the Work Function 2.5 Inhomogeneity of the Work Function References 3 Modification of the Work Function 3.1 Mixing Elements 3.1.1 Substitutional Alloys 3.1.2 Interstitials (Metal Carbides and Nitrides) 3.1.3 Intermetallic Compounds (Ordered Alloys) 3.1.4 Two Elements with Miscibility Gap 3.2 Surface Termination 3.3 Adsorption or Segregation 3.4 Deposition References 4 Measurement of Work Function 4.1 Utilizing Electron Emission Current Measurement 4.1.1 Thermal Emission 4.1.2 Field Emission 4.1.3 Photoelectron Emission 4.2 Utilizing Electron Emission Spectroscopy 4.2.1 Photoelectron Emission Yield Spectroscopy (PYS) 4.2.2 Secondary Electron Cutoff Spectroscopy (UPS, XPS, AES …) 4.3 Utilizing Contact Potential Difference Measurement 4.3.1 Kelvin Probe Method 4.3.2 Diode Method 4.4 Other Methods 4.4.1 Photoemission of Adsorbed Xenon (PAX) References 5 Modification of Band Alignment via Work Function Control 5.1 Ideal Band Alignment 5.2 Modification of Band Alignment References 6 Advanced Models for Practical Devices 6.1 S Parameter: Indicator of Nonideality 6.2 Origin of Nonideality 6.2.1 Metal-Induced Gap States (MIGS) Model 6.2.2 Disorder-Induced Gap States (DIGS) Model 6.2.3 Interface-Induced Gap States (IFIGS) Model 6.3 Charge Neutrality Level (CNL) and S Parameter 6.4 Modification of S Parameter by Inserting Insulator 6.5 Generalized CNL References 7 Utilization of Interface Potential 7.1 Control of Interface-Terminating Species 7.2 Insertion of a 1-ML-Thick Material References