دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Wide bandgap semiconductor spintronics
دانلود کتاب اسپینترونیک نیمه هادی با گپ گسترده
مشخصات کتاب
Wide bandgap semiconductor spintronics
ویرایش:
نویسندگان: Litvinov. Vladimir
سری:
ISBN (شابک) : 9789814669719, 9814669717
ناشر: Pan Stanford Publishing ; Roca Raton
سال نشر: 2016
تعداد صفحات: 192
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 9 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 32,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Wide bandgap semiconductor spintronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اسپینترونیک نیمه هادی با گپ گسترده نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب اسپینترونیک نیمه هادی با گپ گسترده
این کتاب بر روی خواص اسپینترونیک نیمه هادی های نیترید III-V متمرکز شده است. توجه ویژه ای به مقایسه بین ساختارهای مبتنی بر GaAs- وورتزیت روی GaAs و wurtzite معطوف شده است، که در آن اندرکنش اسپین-مدار Rashba نقش مهمی در مهندسی اسپین کنترل شده با ولتاژ دارد. این کتاب همچنین به عایق‌های توپولوژیکی می‌پردازد، دسته جدیدی از مواد که می‌توانند اسپین Rashba قابل توجهی را در طیف الکترون سطحی ارائه دهند. تقسیم اسپین میدان مغناطیسی صفر الکترون های سطحی با توجه به ویژگی های برهمکنش اسپین موضعی الکترون و فرومغناطیس کنترل شده با ولتاژ مورد بحث قرار گرفته است. این کتاب بدون ورود به مشخصات دستگاه، موضوعات عمومی در اسپینترونیک را پوشش می‌دهد، زیرا هدف کلی شرکت ارائه پیش‌زمینه نظری برای اکثر مفاهیم رایج فیزیک اسپین الکترون و ارائه دستورالعمل‌هایی برای استفاده در حل مسائل ماهیت کلی و خاص است. این کتاب برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی در نظر گرفته شده است و ممکن است به عنوان یک دوره مقدماتی در این زمینه خاص از نظریه و کاربردهای حالت جامد باشد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book is focused on the spintronic properties of III–V nitride semiconductors. Particular attention is paid to the comparison between zinc blende GaAs- and wurtzite GaN-based structures, where the Rashba spin–orbit interaction plays a crucial role in voltage-controlled spin engineering. The book also deals with topological insulators, a new class of materials that could deliver sizable Rashba spin splitting in the surface electron spectrum. Electrically driven zero-magnetic-field spin splitting of surface electrons is discussed with respect to the specifics of electron-localized spin interaction and voltage-controlled ferromagnetism. The book covers generic topics in spintronics without entering into device specifics, since the overall goal of the enterprise is to provide theoretical background for most common concepts of spin-electron physics and give instructions to be used in solving problems of a general and specific nature. The book is intended for graduate students and may serve as an introductory course in this specific field of solid-state theory and applications.
فهرست مطالب
Content: GaN Band Structure. Rashba Hamiltonian. Rashba Spin Splitting in III-Nitride Heterostructures and Quantum Wells. Tunnel Spin Filter in Rashba Quantum Structures. Exchange Interaction in Semiconductors and Metals. Ferromagnetism in III-V Semiconductors. Topological Insulators. Magnetic Exchange Interaction in Topological Insulators.
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب GaP Heteroepitaxy on Si(100): Benchmarking Surface Signals when Growing GaP on Si in CVD Ambients
دانلود کتاب Big Dams and Other Dreams: The Six Companies Story
دانلود کتاب Daniil Kharms and the Poetics of the Absurd: Essays and Materials
دانلود کتاب Modeling and Control of Batch Processes: Theory and Applications
