دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Wide Band Gap Electronic Materials
دانلود کتاب Wide Band Gap مواد الکترونیکی
مشخصات کتاب
Wide Band Gap Electronic Materials
ویرایش: [1 ed.] نویسندگان: Galina Popovici, M. A. Prelas (auth.), Mark A. Prelas, Peter Gielisse, Galina Popovici, Boris V. Spitsyn, Tina Stacy (eds.) سری: NATO ASI Series 1 ISBN (شابک) : 9789401040785, 9789401101738 ناشر: Springer Netherlands سال نشر: 1995 تعداد صفحات: 531 [522] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 42 Mb
قیمت کتاب (تومان) : 53,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Wide Band Gap Electronic Materials به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب Wide Band Gap مواد الکترونیکی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب Wide Band Gap مواد الکترونیکی
مواد الکترونیکی باند گسترده موضوعاتی از جمله دوپینگ
الکترونیکی الماس، الماس نوع n، میل ترکیبی الکترون منفی
الماس، کاربردهای نیترید آلومینیوم، دوپینگ نیترید بور، گسترده را
پوشش می دهد. کاربردهای الکترونیکی شکاف باند و الماس
نانوفاز.
یکی از نکات برجسته توصیف یک زیر باند انرژی به دلیل نقص در شبکه
الماس است که مسئول یک LED الماسی است که می تواند نورهای قرمز،
سبز و آبی را ساطع کند. دستگاه های نانوساختار انقلابی نیز شرح
داده شده اند، مانند ترانزیستورهای نانوساختار. همچنین نشان داده
شده است که چگونه می توان از نیترید آلومینیوم در دستگاه های
صوتی، پیزو و الکترولومینسانس استفاده کرد.
ذرات الماس نانوفاز با توزیع اندازه باریک در حدود 4 نانومتر می
توانند توسط یک موج شوک انفجاری ایجاد شوند و می توانند به عنوان
دانه برای رشد فیلم های الماس صاف، به عنوان افزودنی در مواد
کامپوزیت، برای دستگاه های الکترونیکی نانوفاز و به عنوان بذر
استفاده شوند. پایه ای برای روان کننده های برتر
سایر مشکلات پوشش داده شده عبارتند از هترواپیتاکسی لایه های
الماس، دوپینگ نیترید آلومینیوم، و رشد کریستال های بزرگ نیترید
بور.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Wide Band Gap Electronic Materials covers topics
including electronic doping of diamond, n-type
diamond, negative electron affinity of diamond, applications of
aluminum nitride, the doping of boron nitride, wide band gap
electronic applications, and nanophase diamond.
One of the highlights is the description of an energy sub-band
due to defects in the diamond lattice, responsible for a
diamond LED which can emit red, green and blue light.
Revolutionary nanostructure devices are also described, such as
nanostructure transistors. It is also shown how aluminum
nitride can be used in acoustic, piezo and electroluminescent
devices.
Nanophase diamond particles having a narrow size distribution
around 4 nm can be created by an explosive shock wave, and
these can be used as seeds for growing smooth diamond films, as
additives in composite materials, for nanophase electronic
devices, and as the basis for superior lubricants.
Other problems covered include the heteroepitaxy of diamond
films, doping of aluminum nitride, and the growth of large
crystals of boron nitride.
