ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Tunneling Field Effect Transistor Technology

دانلود کتاب تونلینگ فناوری اثر ترانزیستور میدانی

Tunneling Field Effect Transistor Technology

مشخصات کتاب

Tunneling Field Effect Transistor Technology

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9783319316512, 9783319316536 
ناشر: Springer International Publishing 
سال نشر: 2016 
تعداد صفحات: 217 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 40,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب تونلینگ فناوری اثر ترانزیستور میدانی: مدارها و سیستم ها، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 13


در صورت تبدیل فایل کتاب Tunneling Field Effect Transistor Technology به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب تونلینگ فناوری اثر ترانزیستور میدانی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب تونلینگ فناوری اثر ترانزیستور میدانی



این کتاب یک مرجع تک منبعی به پیشرفته ترین ترانزیستورهای اثر میدان تونل زنی (TFET) ارائه می دهد. خوانندگان فیزیک TFET ها را از شبیه سازی های اتمی پیشرفته، فرآیند ساخت TFET و نقش مهمی که TFET ها در فعال کردن طرح های مدار مجتمع برای بهره وری انرژی ایفا می کنند، یاد خواهند گرفت.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-ix
Steep Slope Devices and TFETs....Pages 1-31
Tunneling FET Fabrication and Characterization....Pages 33-60
Compact Models of TFETs....Pages 61-87
Challenges and Designs of TFET for Digital Applications....Pages 89-109
Atomistic Simulations of Tunneling FETs....Pages 111-149
Quantum Transport Simulation of III-V TFETs with Reduced-Order \( \varvec{k} \cdot \varvec{p} \) Method....Pages 151-180
Carbon Nanotube TFETs: Structure Optimization with Numerical Simulation....Pages 181-210
Back Matter....Pages 211-213




نظرات کاربران