ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Transmission Electron Microscopy of Semiconductor Nanostructures: An Analysis of Composition and Strain State (Springer Tracts in Modern Physics)

دانلود کتاب میکروسکوپ الکترونی عبوری نانوساختارهای نیمه هادی: تجزیه و تحلیل ترکیب و حالت کرنش (تراکت های اسپرینگر در فیزیک مدرن)

Transmission Electron Microscopy of Semiconductor Nanostructures: An Analysis of Composition and Strain State (Springer Tracts in Modern Physics)

مشخصات کتاب

Transmission Electron Microscopy of Semiconductor Nanostructures: An Analysis of Composition and Strain State (Springer Tracts in Modern Physics)

دسته بندی: فیزیک ریاضی
ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 3540004149, 9783540004141 
ناشر:  
سال نشر: 2003 
تعداد صفحات: 201 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 13 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 45,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Transmission Electron Microscopy of Semiconductor Nanostructures: An Analysis of Composition and Strain State (Springer Tracts in Modern Physics) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب میکروسکوپ الکترونی عبوری نانوساختارهای نیمه هادی: تجزیه و تحلیل ترکیب و حالت کرنش (تراکت های اسپرینگر در فیزیک مدرن) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب میکروسکوپ الکترونی عبوری نانوساختارهای نیمه هادی: تجزیه و تحلیل ترکیب و حالت کرنش (تراکت های اسپرینگر در فیزیک مدرن)

این کتاب ابزارهای مناسبی برای بررسی کمی میکروسکوپ الکترونی نیمه هادی ارائه می دهد. این ابزارها امکان تعیین دقیق ترکیب نانوساختارهای نیمه هادی سه تایی را با وضوح فضایی در مقیاس های نزدیک به اتمی فراهم می کنند. این کتاب بر روش‌های جدید از جمله تحلیل حالت کرنش و همچنین ارزیابی ترکیب از طریق تکنیک تحلیل حاشیه‌ای شبکه (CELFA) تمرکز دارد. اصول اولیه این روش ها و همچنین مزایا، معایب و منابع خطا همگی مورد بحث قرار می گیرند. این تکنیک‌ها در چاه‌ها و نقاط کوانتومی به‌منظور ارائه بینشی در مورد اثرات رشد جنبشی مانند جداسازی و مهاجرت اعمال می‌شوند. در بخش اول کتاب مبانی میکروسکوپ الکترونی عبوری ارائه شده است. اینها برای درک تکنیک های تجزیه و تحلیل تصویر دیجیتال که در قسمت دوم کتاب توضیح داده شده است، مورد نیاز است. در آنجا خواننده اطلاعاتی در مورد روش های مختلف تعیین ترکیب پیدا می کند. بخش سوم کتاب بر کاربردهایی مانند تعیین ترکیب در InGaAs Stranski--Krastanov نقاط کوانتومی تمرکز دارد. در نهایت نشان داده شده است که چگونه می توان با ترکیب CELFA با هولوگرافی الکترونی، بهبودی در دقت ارزیابی ترکیب به دست آورد. این برای یک ابرشبکه AlAs/GaAs نشان داده شده است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book provides tools well suited for the quantitative investigation of semiconductor electron microscopy. These tools allow for the accurate determination of the composition of ternary semiconductor nanostructures with a spatial resolution at near atomic scales. The book focuses on new methods including strain state analysis as well as evaluation of the composition via the lattice fringe analysis (CELFA) technique. The basics of these procedures as well as their advantages, drawbacks and sources of error are all discussed. The techniques are applied to quantum wells and dots in order to give insight into kinetic growth effects such as segregation and migration. In the first part of the book the fundamentals of transmission electron microscopy are provided. These are needed for an understanding of the digital image analysis techniques described in the second part of the book. There the reader will find information on different methods of composition determination. The third part of the book focuses on applications such as composition determination in InGaAs Stranski--Krastanov quantum dots. Finally it is shown how an improvement in the precision of the composition evaluation can be obtained by combining CELFA with electron holography. This is demonstrated for an AlAs/GaAs superlattice.





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی