Transmission Electron Microscopy in Micro-Nanoelectronics

ویرایش:  
 
سری:  
ISBN (شابک) : 9781848213678, 9781118579022 
ناشر: Wiley-ISTE 
سال نشر: 2012 
تعداد صفحات: 248 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 17 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 88,000



امروزه، در دسترس بودن منابع الکترونی روشن و بسیار منسجم و آشکارسازهای حساس، نوع و کیفیت اطلاعاتی را که می توان با میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) به دست آورد، به شدت تغییر داده است. TEM ها در حال حاضر به تعداد زیادی نه تنها در دانشگاه ها، بلکه در مراکز تحقیقاتی صنعتی و کارخانه ها وجود دارند.
این کتاب به روشی ساده و عملی تکنیک های کمی جدید مبتنی بر TEM را که اخیراً برای پرداختن به آنها اختراع یا توسعه یافته است، ارائه می کند. بسیاری از مسائل چالش برانگیز اصلی که دانشمندان و مهندسان فرآیند برای توسعه یا بهینه سازی لایه ها و دستگاه های نیمه هادی با آن مواجه هستند. تعدادی از این تکنیک ها بر اساس هولوگرافی الکترونی هستند. دیگران از امکان تمرکز پرتوهای شدید درون نانوکاوشگرها استفاده می کنند. اندازه‌گیری و نگاشت کرنش، فعال‌سازی و جداسازی ناخالصی، واکنش‌های سطحی در مقیاس نانو، شناسایی نقص و آماده‌سازی نمونه توسط FIB از جمله موضوعات ارائه‌شده در این کتاب است. پس از ارائه مختصری از نظریه زیربنایی، هر تکنیک از طریق نمونه‌هایی از آزمایشگاه یا fab نشان داده می‌شود.

محتوا:
فصل 1 نمایه‌سازی فعال ناخالصی در TEM توسط هولوگرافی الکترونی محوری (صفحات 1-36) : دیوید کوپر
فصل 2 تجزیه و تحلیل کمی توزیع ناخالصی با استفاده از تکنیک‌های طیف‌سنجی STEM?EELS/EDX (صفحه‌های 37–64): رولاند پانتل و ژرمن سروانتون
فصل 3 اندازه‌گیری کمی کرنش در دستگاه‌های پیشرفته Beweamarironect: A پراش و پراش نانوپرتو (صفحات 65-80): لورن کلمنت و دومینیک دلیل
فصل 4 هولوگرافی الکترونی تاریک؟ میدانی برای نقشه برداری کرنش (صفحات 81-106): مارتین هیچ، فلورنت هودلیه، نیکولای چرکاشین، شای ربوه، السا جاوو ، پاتریک بنزو، کریستوف گاتل، اتین اسنوک و آلن کلاوری
فصل 5 نقشه برداری مغناطیسی با استفاده از هولوگرافی الکترونی (صفحات 107-134): اتین اسنوک و کریستوف گاتل
فصل 6 انتشار میانی و واکنش شیمیایی توسط TEM/EELS صفحات 135-164): Sylvie Schamm?Chardon
فصل 7 مشخصه فرآیند؟ نقص های ناشی از (صفحات 165-198): نیکولای چرکاشین و آلن کلاوری
فصل 8 روش های مشخصه سازی درجا در انتقال الکتروپی 9- میکرو1 218): Aurelien Masseboeuf
فصل 9 آماده سازی نمونه برای تجزیه و تحلیل نیمه هادی (صفحات 219-236): دیوید کوپر و جرارد بن آسایاگ

Today, the availability of bright and highly coherent electron sources and sensitive detectors has radically changed the type and quality of the information which can be obtained by transmission electron microscopy (TEM). TEMs are now present in large numbers not only in academia, but also in industrial research centers and fabs.
This book presents in a simple and practical way the new quantitative techniques based on TEM which have recently been invented or developed to address most of the main challenging issues scientists and process engineers have to face to develop or optimize semiconductor layers and devices. Several of these techniques are based on electron holography; others take advantage of the possibility of focusing intense beams within nanoprobes. Strain measurements and mappings, dopant activation and segregation, interfacial reactions at the nanoscale, defect identification and specimen preparation by FIB are among the topics presented in this book. After a brief presentation of the underlying theory, each technique is illustrated through examples from the lab or fab.

Content:
Chapter 1 Active Dopant Profiling in the TEM by Off?Axis Electron Holography (pages 1–36): David Cooper
Chapter 2 Dopant Distribution Quantitative Analysis Using STEM?EELS/EDX Spectroscopy Techniques (pages 37–64): Roland Pantel and Germain Servanton
Chapter 3 Quantitative Strain Measurement in Advanced Devices: A Comparison Between Convergent Beam Electron Diffraction and Nanobeam Diffraction (pages 65–80): Laurent Clement and Dominique Delille
Chapter 4 Dark?Field Electron Holography for Strain Mapping (pages 81–106): Martin Hytch, Florent Houdellier, Nikolay Cherkashin, Shay ReboH, Elsa Javon, Patrick Benzo, Christophe Gatel, Etienne Snoeck and Alain Claverie
Chapter 5 Magnetic Mapping Using Electron Holography (pages 107–134): Etienne Snoeck and Christophe Gatel
Chapter 6 Interdiffusion and Chemical Reaction at Interfaces by TEM/EELS (pages 135–164): Sylvie Schamm?Chardon
Chapter 7 Characterization of Process?Induced Defects (pages 165–198): Nikolay Cherkashin and Alain Claverie
Chapter 8 In Situ Characterization Methods in Transmission Electron Microscopy (pages 199–218): Aurelien Masseboeuf
Chapter 9 Specimen Preparation for Semiconductor Analysis (pages 219–236): David Cooper and Gerard Ben Assayag