Ti-Sb-Te Phase Change Materials: Component Optimisation, Mechanism and Applications

این کتاب یک آلیاژ جدید Ti-Sb-Te را برای کاربردهای حافظه تغییر فاز با سرعت بالا و کم مصرف معرفی می کند، که مکانیسم تغییر فاز را نشان می دهد که به طور قابل توجهی با Ge2Sb2Te5 معمولی متفاوت است و در کل عملکرد مطلوبی دارد. کارایی. روش های سیستماتیک، همراه با ویژگی های مواد بهتر، برای بهینه سازی اجزای مواد و عملکرد دستگاه استفاده می شود. متعاقباً، یک تراشه حافظه تغییر فاز مبتنی بر جزء بهینه‌سازی شده با استفاده از فناوری نیمه‌رسانای اکسید فلزی مکمل 40 نانومتری با موفقیت ساخته می‌شود که در بسیاری از کاربردهای تعبیه‌شده تعدادی مزیت ارائه می‌دهد.

This book introduces a novel Ti-Sb-Te alloy for high-speed and low-power phase-change memory applications, which demonstrates a phase-change mechanism that differs significantly from that of conventional Ge2Sb2Te5 and yields favorable overall performance. Systematic methods, combined with better material characteristics, are used to optimize the material components and device performance. Subsequently, a phase-change memory chip based on the optimized component is successfully fabricated using 40-nm complementary metal-oxide semiconductor technology, which offers a number of advantages in many embedded applications.