ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Three-Dimensional Simulation of Semiconductor Devices

دانلود کتاب شبیه سازی سه بعدی دستگاه های نیمه هادی

Three-Dimensional Simulation of Semiconductor Devices

مشخصات کتاب

Three-Dimensional Simulation of Semiconductor Devices

ویرایش: 1 
نویسندگان: ,   
سری: Progress in Numerical Simulation for Microelectronics 
ISBN (شابک) : 9783034877329, 9783034877312 
ناشر: Birkhäuser Basel 
سال نشر: 1991 
تعداد صفحات: 127 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 4 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 34,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب Three-Dimensional Simulation of Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب شبیه سازی سه بعدی دستگاه های نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب شبیه سازی سه بعدی دستگاه های نیمه هادی

شبیه سازی سه بعدی دستگاه به ابزاری ضروری برای طراحی و بررسی ساختارهای پیچیده دستگاه تبدیل شده است. تکامل ابزارهای شبیه‌سازی سه‌بعدی مستقیماً با مقیاس‌پذیری دستگاه‌ها و افزایش پیچیدگی سلول‌های حافظه با دسترسی تصادفی پویا (DRAM) مرتبط است. مقیاس گذاری دستگاه های ماسفت منجر به هندسه سه بعدی با افکت هایی شد که دیگر با شبیه سازی دو بعدی قابل کنترل نیستند. با افزایش چگالی ادغام در DRAMها، بعد سوم باید برای شناسایی خازن ذخیره سازی مورد استفاده قرار می گرفت. مشکلات نشت حاصل باید بررسی شود و طراحی سلول با استفاده از شبیه‌سازی‌های سه‌بعدی بهینه‌سازی شود. این کتاب برای دانشجویان ارشد در فیزیک کاربردی، مهندسی برق و فیزیک محاسباتی و همچنین برای دانشمندان و مهندسین درگیر در جستجو و توسعه دستگاه های نیمه هادی در نظر گرفته شده است. همچنین برای مهندسین نرم افزار و همه کسانی که با شبیه سازی سروکار دارند در نظر گرفته شده است. این کتاب یک مرور کلی بر مشکلات و فعالیت های مربوط به شبیه سازی دستگاه های سه بعدی، بدون ادعای کتاب درسی کلاسیک ارائه می دهد. از معادلات نیمه هادی کلاسیک شروع می شود، مدل های فیزیکی مورد استفاده در شبیه سازی دستگاه را مورد بحث قرار می دهد، گسسته سازی و برخی روش های عددی برای حل معادلات دیفرانسیل را شرح می دهد. کاربرد شبیه سازی سه بعدی در مهندسی دستگاه VLSI با چند مثال خاص نشان داده شده است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The three-dimensional device simulation has become a necessary tool for the design and investigation of complex device structures. The evolution of the three-dimensional simulation tools is directly linked to the scaling of the devices and the increasing complex­ ity of dynamic random access memory (DRAM) cells. Scaling of MOSFET devices led to a three-dimensional geometry with effects which cannot be handled by two-dimensional simulations anymore. With increasing integration density in DRAMs the third dimen­ sion had to be utilized to realize the storage capacitor. The result­ ing leakage problems have to be investigated and the cell design optimized by means of three-dimensional simulations. This book is intended for senior undergraduate students in applied physics, electrical engineering and computational physics, as well as for scientists and engineers involved in semiconductor device re­ search and development. It is also intended for software engineers and all those who are concerned with simulation. The book will give an overview on the problems and activities con­ cerning three-dimensional device simulation, without the claim of being a classical textbook. It starts from the classical semiconduc­ tor equations, discusses the physical models used in device simu­ lation, describes the discretization and some numerical methods for solving the differential equations. The application of the three­ dimensional simulation to VLSI device engineering is illustrated by a few specific examples.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages 1-10
Introduction....Pages 11-28
Basic Physical Models....Pages 29-49
Discretization of the Semiconductor Equations....Pages 51-70
Numerical Solution....Pages 71-86
Examples: Leakage in DRAM Cell Structures....Pages 87-115
Back Matter....Pages 117-124




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی