دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: الکترونیک ویرایش: نویسندگان: Kevin F. Brennan, April S. Brown سری: ISBN (شابک) : 9780471415411, 0471415413 ناشر: Wiley-Interscience سال نشر: 2002 تعداد صفحات: 456 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 7 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Theory of Modern Electronic Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب تئوری دستگاه های نیمه هادی الکترونیکی مدرن نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
بررسی دقیق حال و آینده فناوری دستگاه های نیمه هادی مهندسان همچنان به توسعه دستگاه های نیمه هادی الکترونیکی جدید که تقریباً به طور تصاعدی کوچکتر، سریعتر و کارآمدتر از پیشینیان خود هستند، ادامه می دهند. نظریه دستگاههای نیمهرسانای الکترونیک مدرن تلاش میکند تا بحثی بهروز و گسترده درباره مهمترین دستگاهها و روندهای نوظهور در فنآوری نیمهرساناها ارائه دهد و سرعت را برای نسل بعدی ادبیات این رشته تنظیم کند. کوین برنان و اپریل براون بر سه حوزه مهم تمرکز دارند: ارتباطات راه دور، ساختارهای کوانتومی، و چالشها و جایگزینهای فناوری CMOS. به طور خاص، این متن به بررسی رفتار دستگاههای ناهمساختار برای سیستمهای ارتباطی، پدیدههای کوانتومی که در ساختارهای کوچکسازی شده و انواع دستگاههای نانوالکترونیکی جدید که از این اثرات بهرهبرداری میکنند، چالشهای کوچکسازی مداوم دستگاههای CMOS و جایگزینهای آیندهنگر را بررسی میکند. ساختارهای دستگاه در سطوح تجاری و تحقیقاتی که به تفصیل مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته اند عبارتند از: * ترانزیستورهای اثر میدان ناهم ساختار * ترانزیستورهای دوقطبی و CMOS * دیودهای تونل زنی تشدید * ترانزیستورهای انتقال فضای واقعی * اتوماتای سلولی نقطه کوانتومی * ترانزیستورهای تک الکترونی کتاب شامل تمرینات تکالیف زیادی در پایان است. از هر فصل، و راهنمای راه حل را می توان برای مدرسان به دست آورد. با تاکید بر توسعه فناوری جدید، نظریه دستگاه های نیمه هادی الکترونیکی مدرن همراهی ایده آل برای دوره های تحصیلات تکمیلی مهندسی برق و کامپیوتر و یک مرجع ضروری برای مهندسان دستگاه های نیمه هادی است.
A thorough examination of the present and future of semiconductor device technology Engineers continue to develop new electronic semiconductor devices that are almost exponentially smaller, faster, and more efficient than their immediate predecessors. Theory of Modern Electronic Semiconductor Devices endeavors to provide an up-to-date, extended discussion of the most important emerging devices and trends in semiconductor technology, setting the pace for the next generation of the discipline's literature. Kevin Brennan and April Brown focus on three increasingly important areas: telecommunications, quantum structures, and challenges and alternatives to CMOS technology. Specifically, the text examines the behavior of heterostructure devices for communications systems, quantum phenomena that appear in miniaturized structures and new nanoelectronic device types that exploit these effects, the challenges faced by continued miniaturization of CMOS devices, and futuristic alternatives. Device structures on the commercial and research levels analyzed in detail include: * Heterostructure field effect transistors * Bipolar and CMOS transistors * Resonant tunneling diodes * Real space transfer transistors * Quantum dot cellular automata * Single electron transistors The book contains many homework exercises at the end of each chapter, and a solution manual can be obtained for instructors. Emphasizing the development of new technology, Theory of Modern Electronic Semiconductor Devices is an ideal companion to electrical and computer engineering graduate level courses and an essential reference for semiconductor device engineers.
Content: Overview of Semiconductor Device Trends --
Moore\'s Law and Its Implications --
Semiconductor Devices for Telecommunications --
Digital Communications --
Semiconductor Heterostructures --
Formation of Heterostructures --
Modulation Doping --
Two-Dimensional Subband Transport at Heterointerfaces --
Strain and Stress at Heterointerfaces --
Perpendicular Transport in Heterostructures and Superlattices --
Heterojunction Materials Systems: Intrinsic and Extrinsic Properties --
Heterostructure Field-Effect Transistors --
Motivation --
Basics of Heterostructure Field-Effect Transistors --
Simplified Long-Channel Model of a MODFET --
Physical Features of Advanced State-of-the-Art MODFETs --
High-Frequency Performance of MODFETs --
Materials Properties and Structure Optimization for HFETs --
Heterostructure Bipolar Transistors --
Review of Bipolar Junction Transistors --
Emitter-Base Heterojunction Bipolar Transistors --
Base Transport Dynamics --
Nonstationary Transport Effects and Breakdown --
High-Frequency Performance of HBTs --
Materials Properties and Structure Optimization for HBTs --
Transferred Electron Effects, Negative Differential Resistance, and Devices --
k-Space Transfer --
Real-Space Transfer --
Consequences of NDR in a Semiconductor --
Transferred Electron-Effect Oscillators: Gunn Diodes --
Negative Differential Resistance Transistors --
IMPATT Diodes --
Resonant Tunneling and Devices --
Physics of Resonant Tunneling: Qualitative Approach --
Physics of Resonant Tunneling: Envelope Approximation.