ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik

دانلود کتاب مبانی نظری فیزیک نیمه هادی ها

Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik

مشخصات کتاب

Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik

ویرایش: 2 
نویسندگان: ,   
سری: Reihe Wissenschaft 
ISBN (شابک) : 9783528068202, 9783322863256 
ناشر: Vieweg+Teubner Verlag 
سال نشر: 1976 
تعداد صفحات: 222 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 3 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 51,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب مبانی نظری فیزیک نیمه هادی ها: علم، عمومی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 18


در صورت تبدیل فایل کتاب Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مبانی نظری فیزیک نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب مبانی نظری فیزیک نیمه هادی ها

5 به طور کامل در لایه های نیمه هادی نازک توزیع شده است. با این حال، در واقع، نظریه نیمه هادی همگن فضایی، مبنای فیزیکی لازم برای همه آن پدیده هایی است که ناهمگونی ها در آنها نقش مهمی دارند، اگرچه وضعیت را بسیار پیچیده می کنند. W.BRAUER H.-W. STREITWOLF برلین، ژوئن 1971 محتویات 1. ساختار بلوری و تقارن. 11 1.1. گروه ترجمه 12 1.1.1. توری. 12 1.1.2. Reciprocal Lattice 13 Holoedry 1.1.3. 16 1.1.4. مثال: سیستم مکعبی 17 1.2. گروه امتیاز 18 1.3. ترجمه های کسری 21 1.4. مثال: شبکه fcc 23 2. الکترون در پتانسیل بلوری ایده آل 26 2.1. پتانسیل کریستال 26 2.2. عملگرهای تقارن 27 2.3. مسئله ارزش ویژه عملگرهای ترجمه 28 2.4. قضیه بلوخ 29 2.5. باندهای انرژی 29 2.5.1. نمایه حجم 29 2.5.2. تقارن باندها و انحطاط 30 2.5.3. تأثیر تقارن برگشت زمان 33 2.6. شرایط مرزی دوره ای 34 2.7. تراکم حالت ها نکات بحرانی 36 2.8. اندازه گیری نبض مقدار مورد انتظار حرکت j رکورد کل 38 2.9. سازه های نواری نیمه هادی. 39 3. روش های محاسبه ساختار نواری 43 3.1. شکل کیفی پتانسیل بلوری 43 3.2. مسئله مقدار ویژه و توابع بسط 44 3.3. توسعه طبق بلوخ 45 3.4. باندینگ اوربیتال مدل 47 3.5. توسعه با توجه به امواج هواپیما. 50 3.6. امواج صفحه متعامد. 54 8 مطالب 3.7. شبه پتانسیل 57 3.8. ک. p-method 60 3.9. پتانسیل کریستال Hartree-Fock-Slater 64 4. ناخالصی ها.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

5 in diinnen Halbleiter-Schichten vollkommen verzichtet. Tatsachlich ist aber die Theorie des raumlich homogenen Halbleiters notwendige physikalische Grundlage aller jener Erscheinungen, bei denen Inhomogenitaten eine wesent­ liche, die Situation allerdings sehr verkomplizierende Rolle spielen. W.BRAUER H.-W. STREITWOLF Berlin, im Juni 1971 InhaItsverzeichnis 1. Kristallstruktur und Symmetrien . 11 1.1. Translationsgruppe 12 1.1.1. Gitter. 12 1.1.2. Reziprokes Gitter 13 Holoedrie 1.1.3. 16 1.1.4. Beispiel: Kubisches System 17 1.2. Punktgruppe 18 1.3. Fraktionelle Translationen . 21 1.4. Beispiel: fcc-Gitter 23 2. Elektron im idealen Kristallpotential 26 2.1. Kristallpotential 26 2.2. Symmetrieoperatoren 27 2.3. Eigenwertproblem der Translationsoperatoren 28 2.4. Blochsches Theorem 29 2.5. Energiebander 29 2.5.1. Bandindex 29 2.5.2. Symmetrien der Bander und Entartungen 30 2.5.3. EinfluB der Zeitumkehrsymmetrie 33 2.6. Periodische Randbedingung 34 2.7. Zustandsdichte. KritiBche Punkte 36 2.8. Impulsmessung. Erwartungswert des Impulses. j-Summensatz 38 2.9. Halbleiter-Bandstrukturen . 39 3. Methoden zur Berechnung der Bandstruktur 43 3.1. Qualitative Form des Kristallpotentials 43 3.2. Eigenwertproblem und Entwicklungsfunktionen 44 3.3. Entwicklung nach Bloch-Summen 45 3.4. Bindungs-Orbital-Modell 47 3.5. Entwicklung nach ebenen Wellen. 50 3.6. Orthogonalisierte ebene Wellen. 54 8 Inhaltsverzeichnis 3.7. Pseudopotential 57 3.8. k . p-Methode 60 3.9. Hartree-Fock-Slater-Kristallpotential 64 4. Storstellen .



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-9
Kristallstruktur und Symmetrien....Pages 11-26
Elektron im idealen Kristallpotential....Pages 26-42
Methoden zur Berechnung der Bandstruktur....Pages 43-67
Störstellen....Pages 67-74
Statistik der Ladungsträger im Gleichgewicht....Pages 74-83
Bornsche Gitterdynamik....Pages 83-91
Lineare Wechselwirkung der Elektronen mit einem äußeren elektromagnetischen Feld....Pages 91-100
Elektronische optische Eigenschaften....Pages 100-119
Kristallpotential im Bindungsladungsmodell. Modellpotential....Pages 120-126
Mikroskopische Theorie der Gitterdynamik....Pages 126-138
Elektron-Phonon- Wechselwirkung....Pages 138-147
Boltzmann-Gleichung....Pages 148-157
Lösungen der Boltzmann-Gleichung....Pages 157-169
Elektrische Leitfähigkeit....Pages 169-187
Galvanomagnetische Effekte....Pages 187-194
Back Matter....Pages 195-220




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی