The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

این کتاب عمدتاً بر کاهش مقاومت انگلی بالا در منبع/زهکشی nMOSFET ژرمانیوم تمرکز دارد. با استفاده از روش کاشت پس از ژرماناید (IAG)، روش کاشت همزمان P و Sb و تکنیک کاشت چندگانه و بازپخت چندگانه (MIMA)، ارتفاع سد الکترونی شاتکی تماس NiGe/Ge به 0.1eV تعدیل می‌شود، که پایداری حرارتی NiGe به 600 ℃ بهبود یافته است و مقاومت تماس تماس فلز/n-Ge به ترتیب به 3.8×10-7Ω•cm2 به شدت کاهش می یابد. علاوه بر این، کاهش مقاومت انگلی منبع / تخلیه در Ge nMOSFET ساخته شده نشان داده شده است. خوانندگان اطلاعات مفیدی در مورد تکنیک مهندسی منبع/تخلیه برای دستگاه‌های CMOS با کارایی بالا در نود فناوری آینده پیدا خواهند کرد.

This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600℃ and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10−7Ω•cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.