دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فناوری نانو ویرایش: نویسندگان: Rafailov. Edik U سری: ISBN (شابک) : 9781306290982, 3527411844 ناشر: Wiley سال نشر: 2014 تعداد صفحات: 266 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 7 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک و مهندسی لیزرهای فشرده کوانتومی نقطه ای برای بیوفوتونیک: رشته های ویژه، نانومواد و فناوری نانو، نانوبیوتکنولوژی
در صورت تبدیل فایل کتاب The Physics and Engineering of Compact Quantum Dot-based Lasers for Biophotonics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فیزیک و مهندسی لیزرهای فشرده کوانتومی نقطه ای برای بیوفوتونیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Content: The Physics and Engineering of Compact Quantum Dot-based Lasers for Biophotonics
Contents
Foreword
List of Contributors
Chapter Introduction
References
Chapter 1 Quantum Dot Technologies
1.1 Motivation for Development of Quantum Dots
1.2 Gain and Quantum Confinement in a Semiconductor Laser
1.2.1 Top-Down Approach
1.2.2 Bottom-Up Approach
1.3 Self-Assembled Quantum Dot Technology
1.3.1 Molecular Beam Epitaxy
1.3.2 Growth Modes
1.3.3 Quantum Dot Growth Dynamics
1.3.3.1 The Interaction of the Quantum Dot and the Wetting Layer. 1.3.3.2 The Interaction of the Quantum Dot with Underlying Layers and Capping Layers1.3.3.3 Growth Interruption
1.3.3.4 Arsenic Pressure
1.3.3.5 Growth Temperature
1.3.3.6 Growth Rate and Material Coverage
1.3.4 Quantum Dot Growth Thermodynamic Processes
1.4 Physics and Device Properties of S-K Quantum Dots
1.4.1 Temperature Insensitivity
1.4.2 Low Threshold Current Density
1.4.3 Material Gain and Modal Gain
1.4.4 Broad Spectral Bandwidth Devices and Spectral Coverage
1.4.5 Ultrafast Gain Recovery
1.5 Extension of Emission Wavelength of GaAs-Based Quantum Dots. 1.5.1 Short-Wavelength Quantum Dot Light Emission1.5.1.1 InP/GaInP Quantum Dots
1.5.1.2 Type II InAlAs/AlGaAs Quantum Dots
1.5.2 Long-Wavelength QD Light Emission
1.5.2.1 Low Growth Temperature InAs/GaAs Quantum Dots
1.5.2.2 InAs QDs Grown on an InGaAs Metamorphic Layer
1.5.2.3 InGaAsSb Capped InAs/GaAs Quantum Dots and InGaNAs Capped InAs/GaAs Quantum Dots
1.5.2.4 Bilayer InAs/GaAs QD Structures
1.5.2.5 Asymmetric Dot in WELL QD Structure
1.6 Future Prospects
Acknowledgments
References
Chapter 2 Ultra-Short-Pulse QD Edge-Emitting Lasers
2.1 Introduction
2.2 Simulations. 2.3 Broadly Tunable Frequency-Doubled EC-QD Lasers2.4 Two-Section Monolithic Mode-Locked QD Lasers
2.4.1 Simultaneous GS and ES ML
2.4.2 QD Absorber Resistor-SEED Functionality
2.4.3 Pulse Width Narrowing due to GS Splitting
2.5 Tapered Monolithic Mode-Locked QD Lasers
2.5.1 High-Peak Power and Subpicosecond Pulse Generation
2.5.2 Suppression of Pulse Train Instabilities of Tapered QD-MLLs
2.6 QD-SOAs
2.6.1 Straight-Waveguide QD-SOAs
2.6.2 Tapered-Waveguide QD-SOAs
2.6.3 QD-SOA Noise
2.7 Pulsed EC-QD Lasers with Tapered QD-SOA
2.7.1 EC-MLQDL.