برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Technology of Gallium Nitride Crystal Growth

دانلود کتاب فناوری رشد کریستال نیترید گالیم

مشخصات کتاب

Technology of Gallium Nitride Crystal Growth

دسته بندی: فیزیک حالت جامد
ویرایش: 1 
نویسندگان: Andrew D. Hanser,  Keith R. Evans (auth.),  Dirk Ehrentraut,  Elke Meissner,  Michal Bockowski (eds.)  
سری: Springer Series in Materials Science 133 
ISBN (شابک) : 3642048285, 9783642048289 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 2010 
تعداد صفحات: 337 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 7 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 46,000

کلمات کلیدی مربوط به کتاب فناوری رشد کریستال نیترید گالیم: کریستالوگرافی، نوری و مواد الکترونیکی

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 7

در صورت تبدیل فایل کتاب Technology of Gallium Nitride Crystal Growth به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فناوری رشد کریستال نیترید گالیم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب فناوری رشد کریستال نیترید گالیم

این کتاب به جنبه‌های مهم تکنولوژیک رشد تک بلورهای GaN توسط روش‌های HVPE، MOCVD، آمونیومترمال و شار به منظور تولید ویفر GaN به صورت مستقل می‌پردازد. کارشناسان برجسته صنعت و دانشگاه به روشی بسیار جامع در مورد آخرین وضعیت فن آوری های رشد و خواص نوری و ساختاری کریستال های GaN با هم مقایسه می شوند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book deals with the important technological aspects of the growth of GaN single crystals by HVPE, MOCVD, ammonothermal and flux methods for the purpose of free-standing GaN wafer production. Leading experts from industry and academia report in a very comprehensive way on the current state-of-the-art of the growth technologies and optical and structural properties of the GaN crystals are compared.

فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xxi
Front Matter....Pages 1-1
Development of the Bulk GaN Substrate Market....Pages 3-27
Front Matter....Pages 30-30
Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN....Pages 31-60
Growth of Bulk GaN Crystals by HVPE on Single Crystalline GaN Seeds....Pages 61-78
Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using Void-Assisted Separation Technology....Pages 79-96
Nonpolar and Semipolar GaN Growth by HVPE....Pages 97-117
High Growth Rate MOVPE....Pages 119-133
Front Matter....Pages 136-136
Ammonothermal Growth of GaN Under Ammono-Basic Conditions....Pages 137-160
A Pathway Toward Bulk Growth of GaN by the Ammonothermal Method....Pages 161-182
Acidic Ammonothermal Growth Technology for GaN....Pages 183-203
Front Matter....Pages 207-207
High Pressure Solution Growth of Gallium Nitride....Pages 207-234
A Brief Review on the Na-Flux Method Toward Growth of Large-Size GaN Crystal....Pages 235-244
Low Pressure Solution Growth of Gallium Nitride....Pages 245-273
Front Matter....Pages 277-277
Optical Properties of GaN Substrates....Pages 277-293
Point Defects and Impurities in Bulk GaN Studied by Positron Annihilation Spectroscopy....Pages 295-316
Back Matter....Pages 317-326