مشخصات کتاب

Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET

ویرایش:  
نویسندگان: Chandan Kumar Sarkar  
سری:  
ISBN (شابک) : 9781466512658, 1466512652 
ناشر: CRC Press Taylor & Francis Group 
سال نشر:  
تعداد صفحات: 445 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 33 مگابایت 

در صورت تبدیل فایل کتاب Technology computer aided design : simulation for VLSI MOSFET به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فناوری طراحی به کمک کامپیوتر: شبیه سازی برای VLSI MOSFET نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب فناوری طراحی به کمک کامپیوتر: شبیه سازی برای VLSI MOSFET

در پاسخ به تحولات اخیر و بازار رو به رشد تولید مدار VLSI، طراحی به کمک کامپیوتر فناوری: شبیه سازی برای VLSI MOSFET، فرآیندها و دستگاه های MOSFET پیشرفته را از طریق شبیه سازی عددی TCAD بررسی می کند. این کتاب خلاصه‌ای متعادل از مفاهیم پایه TCAD و MOSFET، معادلات، فیزیک و فناوری‌های جدید مرتبط با TCAD و MOSFET ارائه می‌کند. درک دقیق این مفاهیم امکان طراحی مدل های بهتر را فراهم می کند، بنابراین فرآیند طراحی را ساده می کند و در زمان و هزینه صرفه جویی می کند. این کتاب بر اهمیت مدل سازی و شبیه سازی ترانزیستورهای VLSI MOS و نرم افزار TCAD تاکید دارد. با ارائه مفاهیم پس‌زمینه درگیر در شبیه‌سازی TCAD دستگاه‌های MOSFET، مفاهیم را به شیوه‌ای ساده ارائه می‌کند و اغلب از مقایسه با تجربیات زندگی روزمره استفاده می‌کند. کتاب سپس مفاهیم را به طور عمیق، با ریاضیات و کد برنامه مورد نیاز توضیح می دهد. این کتاب همچنین جزئیات فیزیک نیمه هادی های کلاسیک را برای درک اصل عملیات ترانزیستورهای VLSI MOS، نشان می دهد، تحولات اخیر در زمینه MOSFET و سایر دستگاه های الکترونیکی را نشان می دهد، و تکامل نقش مدل سازی و شبیه سازی MOSFET را تجزیه و تحلیل می کند. همچنین قرار گرفتن در معرض دو ابزار شبیه سازی TCAD از نظر تجاری محبوب Silvaco و Sentaurus را فراهم می کند. • بر نیاز به گنجاندن شبیه سازی TCAD در جریان طراحی VLSI برای مدارهای مجتمع در مقیاس نانو تاکید می کند • مزایای شبیه سازی TCAD را برای مشخصه یابی فناوری دستگاه و فرآیند معرفی می کند • فیزیک و ریاضیات اساسی موجود در ابزارهای TCAD را ارائه می دهد • شامل TCAD تجاری محبوب ابزارهای شبیه سازی (Silvaco و Sentaurus) • ارائه مشخصات عملکرد ماسفت های VLSI از طریق ابزارهای TCAD • ارائه آشنایی با مدل سازی فشرده برای شبیه سازی مدار VLSI R

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Responding to recent developments and a growing VLSI circuit manufacturing market, Technology Computer Aided Design: Simulation for VLSI MOSFET examines advanced MOSFET processes and devices through TCAD numerical simulations. The book provides a balanced summary of TCAD and MOSFET basic concepts, equations, physics, and new technologies related to TCAD and MOSFET. A firm grasp of these concepts allows for the design of better models, thus streamlining the design process, saving time and money. This book places emphasis on the importance of modeling and simulations of VLSI MOS transistors and TCAD software. Providing background concepts involved in the TCAD simulation of MOSFET devices, it presents concepts in a simplified manner, frequently using comparisons to everyday-life experiences. The book then explains concepts in depth, with required mathematics and program code. This book also details the classical semiconductor physics for understanding the principle of operations for VLSI MOS transistors, illustrates recent developments in the area of MOSFET and other electronic devices, and analyzes the evolution of the role of modeling and simulation of MOSFET. It also provides exposure to the two most commercially popular TCAD simulation tools Silvaco and Sentaurus. • Emphasizes the need for TCAD simulation to be included within VLSI design flow for nano-scale integrated circuits • Introduces the advantages of TCAD simulations for device and process technology characterization • Presents the fundamental physics and mathematics incorporated in the TCAD tools • Includes popular commercial TCAD simulation tools (Silvaco and Sentaurus) • Provides characterization of performances of VLSI MOSFETs through TCAD tools • Offers familiarization to compact modeling for VLSI circuit simulation R&D cost and time for electronic product development is drastically reduced by taking advantage of TCAD tools, making it indispensable for modern VLSI device technologies. They provide a means to characterize the MOS transistors and improve the VLSI circuit simulation procedure. The comprehensive information and systematic approach to design, characterization, fabrication, and computation of VLSI MOS transistor through TCAD tools presented in this book provides a thorough foundation for the development of models that simplify the design verification process and make it cost effective.

فهرست مطالب

 Content: Machine generated contents note: 1.Introduction to Technology Computer Aided Design / Samar K. Saha --
 2.Basic Semiconductor and Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Physics / Swapnadip De --
 3.Review of Numerical Methods for Technology Computer Aided Design (TCAD) / Kalyan Koley --
 4.Device Simulation Using ISE-TCAD / N. Mohankumar --
 5.Device Simulation Using Silvaco ATLAS Tool / Angsuman Sarkar --
 6.Study of Deep Sub-Micron VLSI MOSFETs through TCAD / Srabanti Pandit --
 7.MOSFET Characterization for VLSI Circuit Simulation / Soumya Pandit --
 8.Process Simulation of a MOSFET Using TSUPREM-4 and Medici / Atanu Kundu.
 Abstract:             ''MOSFET and related high-speed semiconductor devices are spearheading the drive toward smaller, faster, and lower-power electronics. This work concentrates on technology computer aided design (TCAD) and its integration into the IC fabrication process flow. It presents modeling techniques and concepts involved with the TCAD simulation of MOSFET devices. The book describes basic concepts and background related to popular commercial TCAD software as well as recent technologies to improve device performance such as multiple gate MOSFET, FINFET, SOI devices, and high-k gate material devices''

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Complications in Neurosurgery

دانلود کتاب Statutory Regulation and Employment Relations: The Impact of Statutory Trade Union Recognition

دانلود کتاب Astrophysics at Very High Energies: Saas-Fee Advanced Course 40. Swiss Society for Astrophysics and Astronomy

دانلود کتاب Focus Storia Collection. Come si viveva ai tempi del fascismo

دانلود کتاب Business Model Renewal: How to Grow and Prosper by Defying Best Practices and Reinventing Your Strategy