دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: Dr. phil. nat Waldemar von Münch (auth.)
سری: Technische Physik in Einzeldarstellungen 16
ISBN (شابک) : 9783642883729, 9783642883712
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال نشر: 1969
تعداد صفحات: 165
زبان: German
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 5 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فناوری دستگاه آرسنید گالیوم: فیزیک، عمومی، مهندسی، عمومی
در صورت تبدیل فایل کتاب Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری دستگاه آرسنید گالیوم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
در حالی که فناوری اجزای ژرمانیوم و سیلیکون سالها پیش از مرحله آزمایشگاهی تا تولید انبوه صنعتی پیشرفت بسیار سریعی را طی کرد، فناوری اجزای آرسنید گالیم در حال حاضر در یک روند نسبتاً آهسته در حال پیشرفت از توسعه آزمایشگاهی به بلوغ تولید است. این واقعیت به دلیل مشکلات فنی بسیار مهم در تولید مواد آرسنید گالیم مناسب و در تحقق اجزای آرسنید گالیم مرتبط است. علاوه بر این، علل برخی از خواص نامطلوب اجزای آرسنید گالیم (مانند محدودیت فرکانس در ترانزیستورهای دوقطبی، تغییرات در ویژگیهای دیودهای تونلی) هنوز به طور کامل روشن نشده است. اخیراً، استفاده تجاری فزایندهای از اجزای آرسنید گالیم - بهویژه دیودهای فرکانس بالا و اجزای نوری الکترونیکی - وجود داشته است. به زودی می توان انتظار استفاده از دستگاه های انتقال الکترون را داشت. می توان انتظار داشت که این پیشرفت اخیر، که با پیشرفت های قابل توجهی در بخش مواد همراه است، تأثیر محرکی بر توسعه بیشتر اجزای "کلاسیک" (ترانزیستورهای دوقطبی و اثر میدانی) نیز داشته باشد. در این شرایط، ارائه یک ارائه جامع از وضعیت فعلی فن آوری آرسنید گالیم برای دایره بزرگی از متخصصان و دانشجویان تا حد امکان مطلوب به نظر می رسد. کتابشناسی پیوست شده به هر فصل برای کمک به خواننده علاقه مند به سوالات فردی در نظر گرفته شده است. هنگام انتخاب مراجع، خلاصه ارائه ها در اولویت قرار داشتند، زیرا این موارد اطلاعات جامع تر و اغلب آماده تر از آثار اصلی را در اختیار خواننده قرار می دهند. W. von Munch مطالب 1. مقدمه. 1 ادبیات. . 3 2. خواص فیزیکی آرسنید گالیم.
Wahrend die Technologie der Germanium- und Siliziumbauelemente bereits vor J ahren eine auBerordentlich rasche Entwicklung vom Labor stadium zur industriellen Massenfertigung durchgemacht hat, befindet sich die Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente gegenwartig in einem nur verhaltnismaBig langsam fortschreitenden ProzeB des Dber ganges von der Laborentwicklung zur Fertigungsreife. Diese Tatsache steht in ursachlichem Zusammenhang mit den sehr erheblichen techno logischen Schwierigkeiten bei der Herstellung geeigneten Galliumarsenid Materials und bei der Realisierung von Galliumarsenid-Bauelementen. Ferner sind die Ursachen einiger nachteiliger Eigenschaften von Gallium arsenid-Bauelementen (z. E. Frequenzbegrenzung bei bipolaren Transi storen, Kennlinienveranderungen bei Tunneldioden) noch nicht voll standig geklart. In jiingster Zeit ist nun ein steigender kommerzieller Einsatz von Galliumarsenid-Bauelementen - insbesondere von Hochstfrequenz dioden und optoelektronischen Bauelementen - zu bemerken. Mit dem Einsatz von Elektronentransfer-Bauelementen kann in Kiirze gerechnet werden. Es ist zu erwarten, daB diese neuere Entwicklung, die von wesentlichen Verbesserungen auf dem Materialsektor begleitet wird, auch befruchtend auf die \Veiterentwicklung von "klassischen" Bauelementen (bipolare und Feldeffekttransistoren) wirkt. In dieser Situation erscheint es wiinschenswert, einem moglichst groBen Kreis von Fachleuten und Studierenden hoherer Semester eine zusammenfassende Darstellung des heutigen Standes der Galliumarsenid-Technologie zur Verfiigung zu stellen. Die jedem Kapitel beigefiigten Literaturverzeichnisse sollen eine Hilfestellung fiir den an Einzelfragen interessierten Leser geben. Bei der Auswahl der Literaturstellen wurde zusammenfassenden Darstellungen der Vorzug gegeben, da diese - im Vergleich zu Originalarbeiten - dem Leser eine umfassendere und oft besser aufbereitete Information liefern. W. von Munch Inhalt 1. Einleitung . 1 Literatur . . 3 2. Physikalische Eigenschaften des Galliumarsenids .
Front Matter....Pages I-VIII
Einleitung....Pages 1-3
Physikalische Eigenschaften des Galliumarsenids....Pages 3-15
Galliumarsenid als Grundmaterial für elektronische Bauelemente....Pages 15-23
Herstellung und Prüfung des Galliumarsenid-Grundmaterials....Pages 24-46
Diffusionstechnik....Pages 46-94
Legierungstechnik....Pages 94-103
Dioden....Pages 103-106
Bipolare Transistoren....Pages 106-126
Feldeffekttransistoren....Pages 126-135
Opto-elektronische Bauelemente....Pages 135-146
Elektronentransfer- ( Gunn -Effekt-) Bauelemente....Pages 146-152
Integrierte Bauelemente....Pages 152-155
Back Matter....Pages 156-158