ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

دانلود کتاب اثرات ناشی از کرنش در ماسفت های پیشرفته

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

مشخصات کتاب

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Computational Microelectronics 
ISBN (شابک) : 9783709103814, 9783709103821 
ناشر: Springer-Verlag Wien 
سال نشر: 2011 
تعداد صفحات: 259 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 6 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 33,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب اثرات ناشی از کرنش در ماسفت های پیشرفته: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 14


در صورت تبدیل فایل کتاب Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب اثرات ناشی از کرنش در ماسفت های پیشرفته نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب اثرات ناشی از کرنش در ماسفت های پیشرفته



از کرنش برای افزایش عملکرد ماسفت ها استفاده می شود. مدل‌سازی اثرات کرنش بر حمل‌ونقل یکی از وظایف مهم ابزارهای شبیه‌سازی مدرن مورد نیاز برای طراحی دستگاه است. این کتاب تمام روش‌های مدل‌سازی مرتبط مورد استفاده برای توصیف کرنش در سیلیکون را پوشش می‌دهد. ساختار زیر باند در فیلم های نیمه هادی تحت تنش در دستگاه ها با استفاده از روش های تحلیلی k.p و شبه پتانسیل عددی بررسی شده است. یک نمای کلی دقیق از مدل‌سازی حمل و نقل در دستگاه‌های فشار داده شده است


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xiv
Introduction....Pages 1-3
Scaling, Power Consumption, and Mobility Enhancement Techniques....Pages 5-22
Strain and Stress....Pages 23-34
Basic Properties of the Silicon Lattice....Pages 35-44
Band Structure of Relaxed Silicon....Pages 45-62
Perturbative Methods for Band Structure Calculations in Silicon....Pages 63-81
Strain Effects on the Silicon Crystal Structure....Pages 83-90
Strain Effects on the Silicon Band Structure....Pages 91-103
Strain Effects on the Conduction Band of Silicon....Pages 105-121
Electron Subbands in Silicon in the Effective Mass Approximation....Pages 123-129
Electron Subbands in Thin Silicon Films....Pages 131-167
Demands of Transport Modeling in Advanced MOSFETs....Pages 169-237
Back Matter....Pages 239-252




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی