دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Silizium-Planartechnologie: Grundprozesse, Physik und Bauelemente
دانلود کتاب فناوری مسطح سیلیکونی: فرآیندهای اساسی، فیزیک و دستگاه ها
مشخصات کتاب
Silizium-Planartechnologie: Grundprozesse, Physik und Bauelemente
ویرایش: 1 نویسندگان: Prof. Dr.-Ing. Dr. h. c. Hans-Günther Wagemann, Dr.-Ing. Tim Schönauer (auth.) سری: Teubner Studienbücher Physik ISBN (شابک) : 9783519004677, 9783322800701 ناشر: Vieweg+Teubner Verlag سال نشر: 2003 تعداد صفحات: 227 زبان: German فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 13 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 37,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب فناوری مسطح سیلیکونی: فرآیندهای اساسی، فیزیک و دستگاه ها: نیمه هادی ها، فیزیک، عمومی
در صورت تبدیل فایل کتاب Silizium-Planartechnologie: Grundprozesse, Physik und Bauelemente به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری مسطح سیلیکونی: فرآیندهای اساسی، فیزیک و دستگاه ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب فناوری مسطح سیلیکونی: فرآیندهای اساسی، فیزیک و دستگاه ها
مبانی میکروالکترونیک به شکل فشرده و قابل فهم ارائه شده است. خواننده یاد می گیرد که مدارهای مجتمع چگونه ساخته می شوند، چگونه کار می کنند و چگونه می توان عناصر اساسی آنها را به صورت فیزیکی توصیف کرد. با توجه به اهمیت زیاد برنامه‌های شبیه‌سازی در فناوری مسطح سیلیکونی، ابزارهای CAD از شبیه‌سازی فرآیند (مانند ISE-TCAD) تا شبیه‌سازی مدار (مانند SPICE) نیز مورد بحث قرار می‌گیرند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Die Grundlagen der Mikroelektronik werden kompakt und in leicht verständlicher Form vorgestellt. Der Leser erfährt, wie integrierte Schalkreise hergestellt werden, wie sie funktionieren und wie ihre Grundelemente physikalisch beschrieben werden können. Aufgrund der großen Bedeutung von Simulationsprogrammen in der Silizium-Planartechnologie wird ergänzend auf CAD-Werkzeuge von der Prozesssimulation (z. B. ISE-TCAD) bis hin zur Schaltungssimulation (z. B. SPICE) eingegangen.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages I-XVII
Technologische Grundprozesse....Pages 1-43
Grundlagen der Halbleiterphysik für Siliziumbauelemente....Pages 45-85
Integrierte Widerstände und Kondensatoren....Pages 87-102
Der pn -Übergang....Pages 103-122
Der Metall-Halbleiter-Kontakt....Pages 123-138
Die Halbleiteroberfläche anhand des MOS-Varaktors....Pages 139-170
Der reale MOS-Transistor....Pages 171-202
Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen....Pages 203-204
Back Matter....Pages 205-214
