Silizium-Halbleitertechnologie: Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik

اساس فناوری یکپارچه سازی میکروالکترونیک، فناوری نیمه هادی سیلیکونی است. این شامل تعداد زیادی از فرآیندهای منفرد تکراری است که پیاده سازی و تجهیزات آنها باید الزامات شدید را برآورده کند تا اندازه ساختار مورد نیاز تا چند 10 نانومتر به طور یکنواخت و قابل تکرار تولید شود. تعامل اکسیداسیون، مراحل اچ و کاشت برای تولید MOS و مدارهای دوقطبی از دیدگاه کاربر توضیح داده شده است - از سیلیکون خام تا مدار مجتمع کپسوله شده شروع می شود. علاوه بر اصول اولیه، کتاب درسی همچنین به اجرای فنی فرآیندهای فردی برای فناوری یکپارچه سازی می پردازد.

Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Lehrbuch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.