دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Prof. Erich Kasper, Prof. D.J. Paul (auth.) سری: NanoScience and Technology ISBN (شابک) : 9783540220503, 9783540263821 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 2005 تعداد صفحات: 366 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 7 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مدارهای مجتمع کوانتومی سیلیکون: دستگاههای ناهمساختار سیلیکون-ژرمانیوم: مبانی و تحقق: مواد نوری و الکترونیکی، مواد متراکم، نانوتکنولوژی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق
در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon Quantum Integrated Circuits: Silicon-Germanium Heterostructure Devices: Basics and Realisations به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مدارهای مجتمع کوانتومی سیلیکون: دستگاههای ناهمساختار سیلیکون-ژرمانیوم: مبانی و تحقق نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
اثرات اندازه کوانتومی در میکروالکترونیک اهمیت فزاینده ای پیدا می کنند زیرا ابعاد ساختارها به صورت جانبی به سمت 100 نانومتر و به صورت عمودی به سمت 10 نانومتر کوچک می شود. مفاهیم پیشرفته دستگاه از این اثرات برای مدارهای مجتمع با ویژگی های جدید یا بهبود یافته بهره برداری می کند. با در نظر گرفتن گرایش به سمت سیستمهای روی تراشه، این کتاب به دستگاههای کوانتومی مبتنی بر سیلیکون میپردازد و بر عملکرد دمای اتاق تمرکز دارد. اصول اولیه فیزیکی، مواد، جنبههای فنآوری و عملیات اساسی دستگاه به شیوهای میان رشتهای مورد بحث قرار میگیرد. نشان داده شده است که دستگاههای ناهمساختار سیلیکون-ژرمانیوم (SiGe) نقش کلیدی در تحقق الکترونیک کوانتومی مبتنی بر سیلیکون دارند.
Quantum size effects are becoming increasingly important in microelectronics as the dimensions of the structures shrinks laterally towards 100 nm and vertically towards 10 nm. Advanced device concepts will exploit these effects for integrated circuits with novel or improved properties. Keeping in mind the trend towards systems on chip, this book deals with silicon-based quantum devices and focuses on room temperature operation. The basic physical principles, materials, technological aspects and fundamental device operation are discussed in an interdisciplinary manner. It is shown that silicon-germanium (SiGe) heterostructure devices will play a key role in realizing silicon-based quantum electronics.
Introduction....Pages 1-12
Material Science....Pages 13-47
Resumé of Semiconductor Physics....Pages 49-116
Realisation of Potential Barriers....Pages 117-142
Electronic Device Principles....Pages 143-188
Heterostructure Bipolar Transistors - HBTs....Pages 189-206
Hetero Field Effect Transistors (HFETs)....Pages 207-233
Tunneling Phenomena....Pages 235-279
Optoelectronics....Pages 281-309
Integration....Pages 311-346
Outlook....Pages 347-351