دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures - Production, Properties and Applications in Electronics
دانلود کتاب ساختارهای نانو سیلیکون-ژرمانیم (SiGe) - تولید ، خصوصیات و کاربردها در الکترونیک
مشخصات کتاب
Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures - Production, Properties and Applications in Electronics
ویرایش: نویسندگان: Shiraki. Yasuhiro, Usami. Noritaka(eds.) سری: ISBN (شابک) : 9781613443729, 9781845696894 ناشر: Woodhead Publishing سال نشر: 2011 تعداد صفحات: 701 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 30 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 34,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon-Germanium (SiGe) Nanostructures - Production, Properties and Applications in Electronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ساختارهای نانو سیلیکون-ژرمانیم (SiGe) - تولید ، خصوصیات و کاربردها در الکترونیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب ساختارهای نانو سیلیکون-ژرمانیم (SiGe) - تولید ، خصوصیات و کاربردها در الکترونیک
سیلیکون ژرمانیوم نانوساختار (SiGe) چشم انداز عملکرد دستگاه های الکترونیکی جدید و پیشرفته را به ویژه برای دستگاه های نیمه هادی باز می کند. این کتاب به بررسی علم مواد نانوساختارها و خواص و کاربردهای آنها در دستگاه های الکترونیکی مختلف می پردازد. بخش مقدماتی ویژگی‌های ساختاری نانوساختارهای SiGe را پوشش می‌دهد، با فصلی که در مورد ساختار نوار الکترونیکی آلیاژهای SiGe بحث می‌کند. بخش دوم بر تشکیل نانوساختارهای SiGe متمرکز است، با فصل هایی در مورد روش های مختلف رشد کریستال مانند اپیتاکسی پرتو مولکولی و رسوب بخار شیمیایی. این بخش همچنین شامل فصل هایی است که مهندسی کرنش و مدل سازی را پوشش می دهد. بخش سوم ویژگی‌های مواد نانوساختارهای SiGe را پوشش می‌دهد، از جمله موضوعاتی مانند نقص‌های ناشی از کرنش، خواص انتقال و ریزحفره‌ها و ساختارهای لیزر آبشاری کوانتومی. در بخش چهارم، دستگاه‌هایی که از آلیاژهای SiGe استفاده می‌کنند مورد بحث قرار می‌گیرند. فصل‌ها کاربردهای یکپارچه در مقیاس بزرگ، ماسفت‌ها و استفاده از SiGe در انواع مختلف ترانزیستورها و دستگاه‌های نوری را پوشش می‌دهند. این کتاب مرجع استانداردی برای محققانی است که بر روی دستگاه‌ها و مواد نیمه‌رسانا در صنعت و دانشگاه تمرکز می‌کنند، به‌ویژه کسانی که به نانوساختارها علاقه‌مند هستند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Nanostructured silicon-germanium (SiGe) opens up the prospects of novel and enhanced electronic device performance, especially for semiconductor devices. This book reviews the materials science of nanostructures and their properties and applications in different electronic devices. The introductory part one covers the structural properties of SiGe nanostructures, with a further chapter discussing electronic band structures of SiGe alloys. Part Two concentrates on the formation of SiGe nanostructures, with chapters on different methods of crystal growth such as molecular beam epitaxy and chemical vapor deposition. This part also includes chapters covering strain engineering and modeling. Part Three covers the material properties of SiGe nanostructures, including topics as strain-induced defects, transport properties and microcavities and quantum cascade laser structures. In Part Four, devices utilizing SiGe alloys are discussed. Chapters cover ultra large scale integrated applications, MOSFETs and the use of SiGe in different types of transistors and optical devices. This book is a standard reference for researchers focusing on semiconductor devices and materials in industry and academia, particularly those interested in nanostructures.
فهرست مطالب
front-matter......Page 1
1......Page 21
2......Page 44
3......Page 61
4......Page 88
5......Page 99
6......Page 133
7......Page 163
8......Page 187
9......Page 206
10......Page 227
11......Page 263
12......Page 313
13......Page 352
14......Page 375
15......Page 413
16......Page 447
17......Page 470
18......Page 485
19......Page 511
20......Page 540
21......Page 563
22......Page 587
back-matter......Page 622
