مشخصات کتاب

Silicon Carbide: Power Devices and Sensors, Volume 2

ویرایش:  
 
سری:  
ISBN (شابک) : 9783527409976, 9783527629077 
ناشر:  
سال نشر: 2009 
تعداد صفحات: 510 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 19 مگابایت 

در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon Carbide: Power Devices and Sensors, Volume 2 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب سیلیکون کاربید: دستگاهها و سنسورهای قدرت ، جلد 2 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب سیلیکون کاربید: دستگاهها و سنسورهای قدرت ، جلد 2

کاربید سیلیکون - این ترکیب آسان برای ساخت سیلیکون و کربن گفته می شود که ماده نوظهور برای کاربرد در الکترونیک است. هدایت حرارتی بالا، قدرت شکست میدان الکتریکی بالا و حداکثر چگالی جریان بالا، آن را برای دستگاه های نیمه هادی پرقدرت بسیار امیدوارکننده می کند. جدا از کاربردها در الکترونیک قدرت، حسگرها و NEMS، SiC اخیراً به عنوان یک ماده بستر برای ساخت گرافن کنترل‌شده علاقه‌مند شده است. تحقیقات SiC و گرافن به سمت بازارهای نهایی است و تأثیر زیادی بر مناطق مورد علاقه به سرعت در حال رشد مانند وسایل نقلیه الکتریکی دارد.
این جلد به محصولات دستگاه های پرقدرت و چالش های آنها در کاربردهای صنعتی اختصاص دارد. خوانندگان از گزارش‌هایی در مورد جنبه‌های توسعه و قابلیت اطمینان دیودهای مانع شاتکی، مزایای ماسفت‌های قدرت SiC یا حسگرهای SiC بهره خواهند برد. نویسندگان MEMS و NEMS را به عنوان الکترونیک مبتنی بر SiC برای صنعت خودرو و همچنین عناصر مدار مبتنی بر SiC برای کاربردهای دمای بالا و کاربرد ترانزیستورها در اینورترهای PV مورد بحث قرار می‌دهند.
فهرست مشارکت‌کنندگان شبیه به \"Who's Who\" از جامعه SiC است که به شدت از همکاری بین مؤسسات تحقیقاتی و شرکت‌های فعال در رشد کریستال SiC و توسعه دستگاه بهره می‌برد. از جمله CREE Inc. و Fraunhofer ISE، در حالی که صنعت توسط توشیبا، نیسان، اینفینئون، ناسا، آزمایشگاه تحقیقات دریایی و موسسه پلی تکنیک Rensselaer نمایندگی می شود.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Silicon Carbide - this easy to manufacture compound of silicon and carbon is said to be THE emerging material for applications in electronics. High thermal conductivity, high electric field breakdown strength and high maximum current density make it most promising for high-powered semiconductor devices. Apart from applications in power electronics, sensors, and NEMS, SiC has recently gained new interest as a substrate material for the manufacture of controlled graphene. SiC and graphene research is oriented towards end markets and has high impact on areas of rapidly growing interest like electric vehicles.
This volume is devoted to high power devices products and their challenges in industrial application. Readers will benefit from reports on development and reliability aspects of Schottky barrier diodes, advantages of SiC power MOSFETs, or SiC sensors. The authors discuss MEMS and NEMS as SiC-based electronics for automotive industry as well as SiC-based circuit elements for high temperature applications, and the application of transistors in PV-inverters.
The list of contributors reads like a "Who's Who" of the SiC community, strongly benefiting from collaborations between research institutions and enterprises active in SiC crystal growth and device development. Among the former are CREE Inc. and Fraunhofer ISE, while the industry is represented by Toshiba, Nissan, Infineon, NASA, Naval Research Lab, and Rensselaer Polytechnic Institute, to name but a few.

فهرست مطالب

Content: 
Chapter 1 Present Status and Future Prospects for Electronics in Electric Vehicles/Hybrid Electric Vehicles and Expectations for Wide?Bandgap Semiconductor Devices (pages 1–19): Kimimori Hamada
Chapter 2 Silicon Carbide Power?Device Products – Status and Upcoming Challenges with a Special Attention to Traditional, Nonmilitary Industrial Applications (pages 21–33): Dr. Peter Friedrichs
Chapter 3 Effect of an Intermediate Graphite Layer on the Electronic Properties of Metal/SiC Contacts (pages 35–50): Sergey A. Reshanov, Konstantin V. Emtsev, Florian Speck, Kun?Yuan Gao, Thomas K. Seyller, Dr. Gerhard Pensl and Prof. Dr. Lothar Ley
Chapter 4 Reliability Aspects of SiC Schottky Diodes (pages 51–75): Matthias Holz, Jochen Hilsenbeck and Roland Rupp
Chapter 5 Design, Process, and Performance of All?Epitaxial Normally?Off SiC JFETs (pages 77–119): Rajesh K. Malhan, Mietek Bakowski, Yuuichi Takeuchi, Naohiro Sugiyama and Adolf Schoner
Chapter 6 Extreme Temperature 6H?SiC JFET Integrated Circuit Technology (pages 121–155): Philip G. Neudeck, Steven L. Garverick, David J. Spry, Liang?Yu Chen, Glenn M. Beheim, Michael J. Krasowski and Mehran Mehregany
Chapter 7 1200 V SiC Vertical?Channel?JFETs and Cascode Switches (pages 157–191): Victor Veliadis
Chapter 8 Alternative Techniques to Reduce Interface Traps in n?Type 4H?SiC MOS Capacitors (pages 193–214): Dr. Gerhard Pensl, Svetlana Beljakowa, Thomas Frank, Kunyuan Gao, Florian Speck, Thomas Seyller, Prof. Dr. Lothar Ley, Florin Ciobanu, Valery Afanas'ev, Andre Stesmans, Prof. Dr. Tsunenobu Kimoto and Adolf Schoner
Chapter 9 High Electron Mobility Achieved in n?Channel 4H?SiC MOSFETs Oxidized in the Presence of Nitrogen (pages 215–233): B. Zippelius, S. Beljakowa, M. Krieger, Dr. G. Pensl, S. A. Reshanov, M. Noborio, Prof. Dr. T. Kimoto and V. V. Afanas'ev
Chapter 10 4H?SiC MISFETs with Nitrogen?Containing Insulators (pages 235–265): Masato Noborio, Jun Suda, Svetlana Beljakowa, Michael Krieger and Prof. Dr. Tsunenobu Kimoto
Chapter 11 Inversion Layer Electron Transport in 4H?SiC Metal–Oxide–Semiconductor Field?Effect Transistors (pages 267–290): Vinayak Tilak
Chapter 12 Development of SiC Diodes, Power MOSFETs and Intelligent Power Modules (pages 291–319): Takashi Nakamura, Mineo Miura, Noriaki Kawamoto, Yuki Nakano, Takukazu Otsuka, Keiji Oku?Mura and Akira Kamisawa
Chapter 13 Reliability Issues of SiC Power MOSFETs toward High Junction Temperature Operation (pages 321–346): Satoshi Tanimoto and Hiromichi Ohashi
Chapter 14 Application of Silicon Carbide Transistors in Photovoltaic – Inverters (pages 347–388): Dirk Kranzer and Bruno Burger
Chapter 15 Design and Technology Considerations for SiC Bipolar Devices: BJTs, IGBTs, and GTOs (pages 389–444): Qingchun (Jon) Zhang and Anant K. Agarwal
Chapter 16 Suppressed Surface?Recombination Structure and Surface Passivation for Improving Current Gain of 4H?SiC BJTs (pages 445–465): Kenichi Nonaka, Akihiko Horiuchi, Yuki Negoro, Kensuke Iwanaga, Seiichi Yokoyama, Hideki Hashimoto, Masashi Sato, Yusuke Maeyama, Masaaki Shimizu and Hiroaki Iwakuro
Chapter 17 SiC Avalanche Photodiodes and Photomultipliers for Ultraviolet and Solar?Blind Light Detection (pages 467–486): Alexey Vert, Stanislav Soloviev and Peter Sandvik

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Goethes naturwissenschaftliches Denken und Wirken: Drei Aufsätze

دانلود کتاب Hillary: A Biography of Hillary Rodham Clinton

دانلود کتاب Revival: Antioxidants in Higher Plants (1993)

دانلود کتاب Rechnergestützte Betriebsorganisation: CA-Techniken in der Fertigung

دانلود کتاب Logic and Contemporary Rhetoric: The Use of Reason in Everyday Life